第九代 v-nand 文章 進入第九代 v-nand技術社區(qū)
6月中國市場NAND Flash Wafer部分容量合約價有望小幅翻揚
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后,已見到部分供應商開始調(diào)高wafer報價,對于中國市場報價均已略高于3~4月成交價。因此,TrendForce集邦咨詢預估6月在模組廠啟動備貨下,主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈,結束自2022年5月以來的猛烈跌勢,預期今年第三季起將轉為上漲,漲幅約0~5%,第四季漲幅將再擴大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫存仍待促銷去化,現(xiàn)階段價格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至,盡管今
- 關鍵字: NAND Flash Wafer TrendForce
三星、英特爾、高通等 13 家企業(yè)發(fā)起 RISC-V 軟件生態(tài)計劃 RISE
- IT之家 6 月 2 日消息,三星、英特爾、英偉達、高通、聯(lián)發(fā)科、谷歌等 13 家 IT 和半導體企業(yè)今日在比利時布魯塞爾正式發(fā)起全球 RISC-V 軟件生態(tài)計劃“RISE”。據(jù)介紹,該計劃旨在加速 RISC-V 新架構的軟件生態(tài)建設及應用商業(yè)化進程,推動 RISC-V 處理器在移動通信、數(shù)據(jù)中心、邊緣計算及自動駕駛等領域的市場化落地。RISE 創(chuàng)始董事會包含 13 名成員:谷歌、英特爾、平頭哥、三星、聯(lián)發(fā)科、英偉達、高通、Andes、Imagination、Red Hat、Rivos、SiFive、Ve
- 關鍵字: RISC-V
RISC-V切入云計算的元年,進展如何了?
- 近兩年,RISC-V 作為 IT 產(chǎn)業(yè)鏈中國產(chǎn)替代中的重要一環(huán)備受關注。這個基于 BSD 協(xié)議開源,基金會總部設在瑞士的開源指令集也一直被視為 X86 和 ARM 強有力的競爭對手。不過,由于起步較晚,性能與生態(tài)尚未成熟,RISC-V 以往更多地是用在物聯(lián)網(wǎng)領域。今年,算能科技基于阿里平頭哥玄鐵 C910 開發(fā)了一臺 64 核 RISC-V 服務器 SG2042。這一動作則拉開了 RISC-V 挺入云計算領域的序幕,2023 也被業(yè)界看做是 RISC-V 進入云計算的元年。本期開源訪談我們邀請中國電信研究
- 關鍵字: RISC-V 崔恩放
科技巨頭聯(lián)合發(fā)起RISC-V生態(tài)計劃 年出貨將超800億顆
- 據(jù)報道,由谷歌、英特爾、平頭哥等13家企業(yè)發(fā)起的全球RISC-V軟件生態(tài)計劃“RISE”,在比利時布魯塞爾正式啟動。RISE旨在加速RISC-V新架構的軟件生態(tài)建設及應用商業(yè)化進程,成員將聯(lián)合推動RISC-V處理器在移動通信、數(shù)據(jù)中心、邊緣計算及自動駕駛等領域的市場化落地。面對物聯(lián)網(wǎng)等應用新變化,RISC-V作為新一代指令集,擁有開源、精簡、靈活、可自定義的特點,相比封閉的ARM指令集,更適合專用處理器的開發(fā),有望在IoT MCU市場迅速擴張,而后推廣至數(shù)據(jù)中心等領域。我國RISC-V發(fā)展意義更加重大,在
- 關鍵字: RISC-V
傳鎧俠/西數(shù)合并進入最終階段 NAND Flash營收或超三星?
- 近日,據(jù)日本共同社消息,日本存儲器大廠鎧俠與合作方美國西部數(shù)據(jù)的合并經(jīng)營已經(jīng)進入最終收尾調(diào)整階段。目前,作為全球知名的存儲器廠商,鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競爭對手又是合作伙伴,目前兩家公司正在共同運營巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報道引用相關人士消息稱,鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設立新公司、統(tǒng)一開展半導體生產(chǎn)及營銷的方案等,未來雙方將進行經(jīng)營合并,擬由鎧俠掌握主導權,關于出資比率等將繼續(xù)探討。報道稱,由于面向智能手機等的半導體行情疲軟、業(yè)績低迷,鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經(jīng)營效率并提高競爭力。資料顯示,鎧俠
- 關鍵字: 鎧俠 西數(shù) NAND Flash 三星
DDR5 重新下跌,內(nèi)存現(xiàn)貨價格未見回暖
- 業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場預期不太樂觀。
- 關鍵字: NAND Flash NAND DDR5
基于形式驗證的高效RISC-V處理器驗證方法
- RISC-V的開放性允許定制和擴展基于 RISC-V 內(nèi)核的架構和微架構,以滿足特定需求。這種對設計自由的渴望也正在將驗證部分的職責轉移到不斷壯大的開發(fā)人員社群。然而,隨著越來越多的企業(yè)和開發(fā)人員轉型RISC-V,大家才發(fā)現(xiàn)處理器驗證絕非易事。新標準由于其新穎和靈活性而帶來的新功能會在無意中產(chǎn)生規(guī)范和設計漏洞,因此處理器驗證是處理器開發(fā)過程中一項非常重要的環(huán)節(jié)。在復雜性一般的RISC-V 處理器內(nèi)核的開發(fā)過程中,會發(fā)現(xiàn)數(shù)百甚至數(shù)千個漏洞。當引入更多高級特性的時候,也會引入復雜程度各不相同的新漏洞。而某些類
- 關鍵字: 形式驗證 RISC-V
需求持續(xù)下修,第一季NAND Flash總營收環(huán)比下跌16.1%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,第一季NAND Flash買方采購動能保守,供應商持續(xù)透過降價求售,但第一季NAND Flash位元出貨量僅微幅環(huán)比增長2.1%,平均銷售(ASP)單價季減15%,合計NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收約86.3億美元,環(huán)比減少16.1%。SK集團(SK hynix & Solidigm)及西部數(shù)據(jù)(WDC)量價齊跌,沖擊營收表現(xiàn),環(huán)比下降均逾兩成。SK集團受淡季及削價競爭影響,第一季NAND Flash營收僅13.2億美元,環(huán)比減少24.8%
- 關鍵字: 集邦 NAND Flash
強攻安卓高階市場 SONY發(fā)表Xperia 1 V旗艦新機
- Sony年度旗艦新機Xperia 1 V今日正式在臺推出,今年4月上任以來首次參與中國臺灣Xperia手機的上市發(fā)表的Sony Mobile中國臺灣區(qū)總經(jīng)理筒塩具隆 (Tomotaka Tsutsushio)表示,Xperia 1系列致力滿足安卓高階旗艦手機的市場需求,透過近年來集團內(nèi)部的業(yè)務整合,Xperia 1系列歷代的產(chǎn)品設計和技術創(chuàng)新持續(xù)在拍照、錄像、游戲、音樂等領域帶給消費者引領業(yè)界的全方位行動娛樂產(chǎn)品。Xperia 1 V采用Sony集團全新開發(fā)的雙層式架構感光組件,同時整合Sony領先的相機
- 關鍵字: 安卓 SONY Xperia 1 V
歐洲RISC-V處理器流片:216核心 不需要風扇散熱
- 5月9日消息,歐洲航天局(ESA)贊助、瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工學院和意大利博洛尼亞大學共同開發(fā)的“Occany”(鳥蛇)處理器,現(xiàn)已流片。這顆處理器基于開源開放的RISC-V架構,GlobalFoundries 12nm LPP低功耗工藝,chiplet小芯片設計,2.5D封裝,雙芯片共集成多達216個核心,晶體管數(shù)量達10億個,而面積僅為73平方毫米。同時,它還集成了未公開數(shù)量的64位FPU浮點單元,整合兩顆美光的16GB HBM2e高帶寬內(nèi)存。硅中介層面積26.3 x 23.05毫米,制造工藝為65nm,
- 關鍵字: risc-v 架構 處理器
NAND閃存主控芯片供應商2023年第1季財報出爐
- 據(jù)中國臺灣《經(jīng)濟日報》報道,全球NAND閃存主控芯片供應商慧榮科技(SIMO)公布2023年第1季財報,營收1億2407萬美元,季減38%,年減49%,第1季毛利率42.3%,稅后凈利1116萬美元。報道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示,包括NAND大廠在內(nèi)的主要客戶,目前一致認為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機終端市場持續(xù)呈現(xiàn)疲弱,上下游供應鏈皆將重心放在去化庫存,包括消費級SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲設備供應商,因此影響相關控制芯片的營收。茍嘉章認為,見到一些客戶的下單模式從第2季開始有所改善,再加
- 關鍵字: NAND 閃存 主控芯片
3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術
- 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術儲備,雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導側向
- 關鍵字: 3D NAND
歐盟前沿性NimbleAI項目采用定制RISC-V處理器
- 隨著越來越多的研究伙伴加入以及新技術和新產(chǎn)品的不斷披露,歐盟于2022年底啟動的NimbleAI這一前沿項目在喧囂的GPT熱潮中,開始展現(xiàn)出一條新的智能化和數(shù)字化轉型之道。NimbleAI旨在推動神經(jīng)形態(tài)視覺(neuromorphic vision)傳感和處理技術的發(fā)展和研究。作為一種創(chuàng)新的視覺感知和處理技術,神經(jīng)形態(tài)視覺參考了生物系統(tǒng)工作方式,通過檢測動態(tài)場景中的變化來決定是否更細致地查看捕捉到的內(nèi)容,而不是花費大量資源區(qū)連續(xù)分析整個場景,從而節(jié)省大量資源和大幅度縮短延遲。盡管NimbleAI是一個啟動
- 關鍵字: NimbleAI 定制RISC-V 神經(jīng)形態(tài)視覺 3D集成芯片
復旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品
- 4月27日,上海復旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會,推出FM25/FM29系列SLC NAND,F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進NAND flash工藝,滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求,應用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關領域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進EEPROM工藝,具備低功耗、
- 關鍵字: 復旦微電 NAND Flash EEPROM 存儲器
第九代 v-nand介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對第九代 v-nand的理解,并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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