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第九代 v-nand 文章 進入第九代 v-nand技術社區(qū)

2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&北京中科昊芯科技有限公司

  • 北京中科吳芯是一家基于RISC-V指令集架構(gòu)，對標國外芯片的數(shù)字信號處理器專業(yè)供應商。作為中國科學院科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)，成立于2019年，經(jīng)歷4年多的時間已經(jīng)擁有10個系列，30多款芯片產(chǎn)品。產(chǎn)品具有廣闊的市場前景，可廣泛應用于工業(yè)控制及電機驅(qū)動、數(shù)字電源、光伏、儲能、新能源汽車、消費電子、白色家電等領域。中科昊芯副總經(jīng)理兼創(chuàng)始人表示：“慕尼黑電子展對于中科昊芯來說是比較重要的展會，這次也是帶來了兩款重磅產(chǎn)品——HXS320F280039C和HXS320F28379D?！盧ISC-V指令集架構(gòu)作為一種開源指
  • 關鍵字： 中科昊芯  數(shù)字信號處理器  RISC-V  DSP  

2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導體股份有限公司

  • 在本次展會上，東芯半導體也來到了EEPW的直播間。東芯半導體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導體擁有獨立自主的知識產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設計和銷售，是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設計公司。2022年EEPW曾有幸采訪過東芯半導體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導體這次在展會上帶來了全線的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
  • 關鍵字： 東芯半導體  NAND  NOR  DRAM  存儲  

Codasip 700系列正式問世,賦能定制計算!

  • 如今，利用新的方法來創(chuàng)造差異化的產(chǎn)品是當今技術創(chuàng)新者們所追求的目標。當半導體擴展規(guī)律已經(jīng)顯示出極限時，我們該如何滿足對更高計算性能的需求？辦法只有一個：為特定需求定制計算。具體來說滿足定制計算需要具備架構(gòu)優(yōu)化、應用剖析、硬件/軟件協(xié)同優(yōu)化，以及建立在強大設計基礎上的領域?qū)Ｓ眉铀俚纫亍＿@些要素加上盡可能簡潔的設計流程以提高效率，并縮短上市時間，同時可以讓客戶掌握自主權(quán)并保持靈活性。用于定制計算的下一代RISC-V處理器 - Codasip全新700系列Codasip的全新700系列是一個可配置且可定制的R
  • 關鍵字： Codasip  定制計算  RISC-V  

SK 海力士

  • 韓國芯片制造商 SK 海力士（SK Hynix）在經(jīng)歷了又一個利潤率和收入下降的季度后，表現(xiàn)得很勇敢，強調(diào)了需求的逐步恢復，以及在今年早些時候削減資本支出后，計劃在 2024 年增加資本支出。在第三季度財報電話會議上，首席財務官 Kim Woohyun 指出，對高性能存儲芯片的需求不斷增長，降低了銷售額的下降率。然而旗艦智能手機的發(fā)布和人工智能服務器部署的激增推動了芯片需求。"我們相信，內(nèi)存行業(yè)終于度過了嚴重的低迷期，正在進入全面復蘇階段"。Kim指出，該公司的目標是通過考慮投資效率和
  • 關鍵字： SK海力士  韓國  NAND  

預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領漲項目。季漲幅擴大包括幾個原因，供應方面：三星擴大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動，華為Mate
  • 關鍵字： Mobile DRAM  NAND Flash  TrendForce  

RISC-V 領軍企業(yè) SiFive 大裁員：20% 員工被裁，大部分是工程師

  • IT之家 10 月 25 日消息，RISC-V 生態(tài)系統(tǒng)中的關鍵公司之一 SiFive，正在經(jīng)歷一場重大的重組，這場重組主要是大規(guī)模裁員和業(yè)務重心轉(zhuǎn)移，這一舉動給 SiFive 的未來以及其對 RISC-V 的貢獻帶來了不確定性。IT之家注意到，RISC-V 已經(jīng)成為制造微型低成本核心的熱門選擇，但也有一些公司研發(fā)高性能的基于 RISC-V 的產(chǎn)品，SiFive 就是這樣一家公司，該公司提供現(xiàn)成的設計，也根據(jù)客戶的需求制作定制核心。但今天 SiFive 發(fā)布聲明稱，正在裁減約 20% 的員工（約
  • 關鍵字： RISC-V  SiFive  

Milk-V Oasis 主板曝光：配備 16 核 RISC-V 處理器和 20 TOPS NPU

  • IT之家?10 月 24 日消息，Milk-V Oasis 是一款即將上市的迷你 ITX 主板，搭載 Sophgo SG2380 RISC-V 處理器。該處理器集成了 16 核的 SiFive P670 CPU 以及 SiFive X280 神經(jīng)處理單元，AI 性能最高 20 TOPS（每秒萬億次運算）。這款 Oasis 主板來自深圳市群芯閃耀科技有限公司，表示將以實惠的價格提供“真正的桌面級 RISC-V PC”體驗，官方計劃 2024 年第 3 季度交付。Oasis 主板尺寸為 170 x
  • 關鍵字： RISC-V  CPU  

NAND閃存市場，開始洗牌

  • 最近，鎧俠和西部數(shù)據(jù)的合并已經(jīng)傳來消息，或?qū)⒂诒驹逻_成合并協(xié)議。當初，業(yè)內(nèi)聽到這兩大存儲企業(yè)的合并是非常驚訝的，畢竟鎧俠在 NAND 領域世界排名第二、西部數(shù)據(jù)排在第四，這兩大巨頭的合并可以震動存儲市場。具體來看一下，目前兩家企業(yè)的合并方式。西部數(shù)據(jù)這邊將拆分 NAND Flash 閃存部門，與鎧俠合并。在合并后成立新的控股公司，在交換新公司所需數(shù)量的股份后，西部數(shù)據(jù)將保留 50.1% 的資產(chǎn)，其余 49.9% 將歸鎧俠所有。新的公司在美國注冊，但總部設置在日本，并且股票將在美國和東京證劵交易所上市，采用
  • 關鍵字： NAND  

傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存

  • 近日，據(jù)媒體報道，三星電子存儲業(yè)務主管李政培稱，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復蘇階段，大廠們正在追求存儲先進技術的研發(fā)。從當前進度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據(jù)悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
  • 關鍵字： 三星  第九代  V-NAND  閃存  

三星將擴建中國西安的NAND芯片工廠

  • 三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴張。據(jù)外媒，三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴張。報道中稱，三星已開始采購最新的半導體設備，新設備預計將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進可生產(chǎn)236層NAND的設備。此前消息稱，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設備，無需其他許可。據(jù)了解，目前三星西安工廠已成為世界上最大的NAND制造基地，約占了三星NAND總產(chǎn)量的40%。
  • 關鍵字： 三星  NAND  西安  

兆易創(chuàng)新推出GD32VW553系列Wi-Fi 6 MCU

  • 業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布，正式推出基于RISC-V內(nèi)核的GD32VW553系列雙模無線微控制器。GD32VW553系列MCU支持Wi-Fi 6及Bluetooth LE 5.2無線連接，以先進的射頻集成、強化的安全機制、大容量存儲資源以及豐富的通用接口，結(jié)合成熟的工藝平臺及優(yōu)化的成本控制，為需要高效無線傳輸?shù)氖袌鰬贸掷m(xù)提供解決方案。全新產(chǎn)品組合提供了8個型號、QFN40/QFN32兩種小型封裝選項，現(xiàn)已開放樣片和開發(fā)板卡申請，并將于12
  • 關鍵字： 兆易創(chuàng)新  RISC-V  GD32VW553  雙模  無線  微控制器  

三星西安工廠工藝升級獲批，將引進236層NAND芯片生產(chǎn)設備

  • 據(jù)悉，三星電子經(jīng)營高層日前做出決定，將升級位于中國西安的 NAND 閃存工廠，為完成工廠制程升級已下單采購最新半導體設備，或?qū)⒂诮衲昴甑组_始引進新設備。西安工廠是目前三星電子位于海外的唯一內(nèi)存芯片生產(chǎn)基地，2014 年開始投產(chǎn)，經(jīng) 2020 年擴建二期項目后，目前每月生產(chǎn) 20 萬張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產(chǎn)基地，占三星電子 NAND 芯片總產(chǎn)量的 40% 以上。三星電子計劃明年在西安工廠內(nèi)部署生產(chǎn) 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設備，并依次完成工藝轉(zhuǎn)換。2022 年 1
  • 關鍵字： 三星電子  NAND  

第四季NAND Flash合約價季漲幅預估8~13%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示，由于供應商嚴格控制產(chǎn)出，NAND Flash第四季合約價全面起漲，漲幅約8~13%。展望2024年，除非原廠仍能維持減產(chǎn)策略，且服務器領域?qū)nterprise SSD需求回溫，否則在缺乏需求作為支撐的前提下，NAND Flash要延續(xù)漲勢將有難度。Client SSD方面，由于原廠及模組廠均積極漲價，促使PC OEM欲在價格相對低點預備庫存，采購量會較實際需求量高。而供應商為擴大位元出貨量，已在第三季推出促銷，故Client SSD價格沒有
  • 關鍵字： NAND Flash  TrendForce  

SiFive宣布推出針對生成式AI/ML應用的差異化解決方案,引領RISC-V進入高性能創(chuàng)新時代

  • RISC-V 運算的先驅(qū)和領導廠商SiFive, Inc.近日宣布推出兩款新產(chǎn)品，旨在滿足高性能運算的最新需求。SiFive Performance? P870 和 SiFive Intelligence? X390 提供最新水準的低功耗、運算密度和矢量運算能力，三者結(jié)合起來將為日益增長的資料密集型運算提供必要的性能提升。這些新產(chǎn)品共同創(chuàng)建了標量和矢量運算的強大組合，可滿足現(xiàn)今數(shù)據(jù)流和運算密集型人工智能應用于消費性、車用和基礎設施市場的需求。在圣克拉拉舉行的現(xiàn)場新聞和分析師活動上，SiFive 同時也宣布
  • 關鍵字： SiFive  生成式AI  RISC-V  

中國移動發(fā)布業(yè)界首款基于 RISC-V 架構(gòu)的 Cat.1 通信模組 ML305M

  • IT之家 10 月 12 日消息，近日，業(yè)界首款基于 RISC-V 架構(gòu)的 Cat.1 模組 ML305M 在 2023 中國移動全球合作伙伴大會上首次亮相。據(jù)介紹，ML305M 基于中移芯昇科技 CM8610 開發(fā)。CM8610 是國內(nèi)首顆基于 64 位 RISC-V 內(nèi)核的 LTE Cat.1bis 通信芯片，采用 22nm 工藝，具有高集成度以及外圍極簡 BOM 設計，edrx 待機電流達到 0.74mA，最小接收靈敏度達到-101dBm，并支持 VoLTE。中移物聯(lián) OneMO 表示，M
  • 關鍵字： RISC-V  中國移動  LTE  
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第九代 v-nand介紹

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