IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報告指出，由于服務器終端庫存調整接近尾聲，加上 AI 推動了大容量存儲產品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機廠商庫存偏高，導致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%，平均銷售單價上漲了 15%，總營收達 167.96 億美元（IT之家備注：當前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實現環(huán)比增長 14.2%。各廠商營收情況如下：三星：第二季時積極回應客戶對
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內存 NAND Flash
RISC-V因具備開源、開放、簡潔、靈活等優(yōu)秀特性，吸引了全球大量的開發(fā)者和公司，其中不乏有芯片相關企業(yè)的影子，包括Arm、英特爾、阿里巴巴旗下半導體企業(yè)平頭哥、Tenstorrent、賽昉科技、SiFive、晶心科技、奕斯偉計算等已部署RISC-V。此外，截至2023年底，RISC-V國際基金會已經擁有了4423個成員，同比增長28%，遍布全球70多個國家。RISC-V露于臺前，多方駛入賽道開源新架構RISC-V勢頭越來越盛，又一歐洲芯片大廠入局。當地時間8月29日，意法半導體（ST）宣布，已加入RIS
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RISC-V
8月21-23日，2024年RISC-V中國峰會在杭州黃龍飯店舉行。作為已推出多款Imagination Catapult系列RISC-V CPU半導體知識產權（IP）的提供商，以及全球領先的GPU和AI加速器IP廠商，Imagination Technologies積極參與了此項中國大陸規(guī)格最高、規(guī)模和影響力最大的專業(yè)會議之一，并在大會現場展示了其RISC-V CPU+GPU集成優(yōu)化平臺。Imagination專家就如何利用系統(tǒng)性創(chuàng)新加速RISC-V CPU的采用和普及、借助GPU在智能化時代加速RIS
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RISC-V CPU Imagination
8月26日消息，在日前舉辦的2024年RISC-V中國峰會上，深圳市群芯閃耀科技有限公司發(fā)布全球首款香山筆記本——如意香山本。據介紹，如意香山本由中國科學院軟件研究所牽頭主導，群芯閃耀科技、英麒智能、北京開芯院多方共同參與研發(fā)，是全球首款搭載香山南湖處理器的筆記本。配置上，如意香山本采用14寸高清LCD屏，搭載最高2.5GHz的香山南湖處理器，配備8GB DDR5，集成AMD RX550獨顯，支持雙屏異顯。接口方面，筆記本提供2個高速USB3接口，2個2.5Gbps以太網口，同時配備了一個支持9種手勢操作
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risc-v 指令集 x86 Arm
IT之家 8 月 23 日消息，進迭時空推出 MUSE Paper 平板電腦，搭載進迭時空 RISC-V 終端 AI CPU 芯片 K1 和 OpenHarmony 操作系統(tǒng)。MUSE Paper 厚 7.2mm，重量約為 453g，采用 10.95 寸的 LCD 高清屏，最高擁有 16GB RAM +256GB eMMC 的存儲配置和 7300mAh 電池。MUSE Paper 配備前后雙攝，雙 Type
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RISC-V AI CPU
最近，有件圈內不少人都關注的大事，就是2024 RISC-V 中國峰會即將召開，并且將舉辦點落在了杭州——這座既承載著深厚文化底蘊又引領著數字科技潮流的城市。杭州與RISC-V的緣分在阿里巴巴成為RISC-V的首批基金會成員開始就寫好了。 RISC-V歷史并不悠久，短短十幾年光陰，幾句話就能說得完。2010年，加州伯克利的David Patterson教授與其學生團隊準備做一個CPU，但是Intel和ARM高昂的授權費用讓他們下決心自己做一套開源的指令集。于是經過了幾個
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risc-v 指令集 x86 Arm
IT之家 8 月 16 日消息，國內 RISC-V 生態(tài)企業(yè)賽昉科技昨日宣布推的新款 64 位 RISC-V 處理器內核產品昉?天樞-70（IT之家注：即 Dubhe-70），適合同時對高性能與極低功耗有要求的細分領域。昉?天樞-70 內核采用 9+ 級流水線、三發(fā)射、超標量、亂序執(zhí)行設計，支持 RV64GCBH 指令集，在 SPECint2006 基準測試中每 GHz 頻率得分為 7.2 分，性能對標 Arm Cortex-A72 / A510。賽昉此前已推出“主打極致性能”的昉?天樞-90（
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賽眆科技 RISC-V CPU
代表RISC-V計算領域黃金標準的SiFive, Inc.宣布推出全新SiFive Performance P870-D數據中心處理器，以滿足客戶對高度并行的基礎設施工作負載（包括視頻流、存儲和網絡設備）的需求。通過與SiFive Intelligence系列中的產品相結合，數據中心架構師還可以構建一個極高性能、節(jié)能的計算子系統(tǒng)並用于AI驅動的應用程序。P870-D以P870的成功經驗為基礎，支持開放的AMBA CHI協議，讓客戶在擴展集群數量時擁有更大的靈活性。這種可擴展性允許客戶在提高性能的同時最大限
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SiFive RISC-V 數據中心處理器
IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產線的投資計劃，該產線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產設備，但擱置了二期建設。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝，各家的 1c nm（或對應的 1γ nm）產品目前均尚未正式
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NAND 閃存 三星電子
Lam Research 推出低溫蝕刻新技術，為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
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NAND Flash
人工智能（AI）市場持續(xù)火熱，新興應用對存儲芯片DRAM和NAND需求飆升的同時，也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲會議FMS 2024（the Future of Memory and
Storage）舉行，諸多存儲領域議題與前沿技術悉數亮相。其中TrendForce集邦咨詢四位資深分析師針對HBM、NAND、服務器等議題展開了深度討論，廓清存儲行業(yè)未來發(fā)展方向。此外，大會現場，NVM Express組織在會中發(fā)布了 NVMe 2.1
規(guī)范，進一步統(tǒng)一存儲架構、簡化開發(fā)流程。另外包括Kioxia
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存儲 NAND TrendForce
IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團 Lam Research 當地時間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質蝕刻技術 Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實現 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產，而我們的最新技術是 3D NAND 生產領域的一項突破。它能以埃米級精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
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NAND 閃存 泛林集團
CISC（復雜指令集計算）和RISC（精簡指令集計算）是兩種不同的計算機指令集架構。CISC（Complex Instruction Set Computing）復雜指令集：CISC架構設計了大量的復雜指令，每條指令可以完成較為復雜的操作。較少的指令數：因為每條指令可以完成較多的操作，所以總體的指令數較少。內存使用效率高：由于指令的復雜性，單個指令可以在較少的時鐘周期內完成任務，從而減少內存帶寬的占用。硬件實現復雜：實現這些復雜指令需要更復雜的硬件邏輯。常見應用：早期的計算機和一些特定應用中使用較多，如x
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RISC-V CISC 架構
IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā)，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產準備，2026 年二季度正式啟動大規(guī)模生產。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現量產?！?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
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SK海力士 內存 NAND
IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國經濟日報》（Hankyung）與 Blocks & Files 報道，SK 海力士考慮推動 NAND 閃存與固態(tài)硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨立美國子公司?！?Solidigm D5-P5336，E1.L 規(guī)格，61.44TB由于內外部因素的共同影響，Sol
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SK海力士 內存 NAND
第九代 v-nand介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條第九代 v-nand!
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