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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第九代 v-nand

市場供貨吃緊，NAND閃存合約價(jià)持續(xù)上揚(yáng)

  • 　　研究機(jī)構(gòu)集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價(jià)上漲約8%~10%，主要原因是多數(shù)供貨商已接獲部份電子系統(tǒng)廠客戶10月到11月的旺季長單，同時(shí)近期記憶卡客戶的旺季備貨需求，因此NAND Flash市場供貨吃緊，在賣方主導(dǎo)市場下，10月上旬NAND Flash合約價(jià)持續(xù)地上揚(yáng)。 　　   　　16Gb MLC NAND Flash合約價(jià)走勢圖 　　集邦科技指出，在10月到11月，多數(shù)NANDFlash供貨商份仍將優(yōu)先供貨給電子系
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NAND Flash缺翻天　三星推品牌記憶卡與民爭食？

  • 　　2009年NAND Flash缺貨缺翻天，三星電子(Samsung Electronics)在享有最大獲利之余，不但對飽受缺貨之苦的存儲器模塊廠袖手旁觀，還要推出「SAMSUNG」自有品牌記憶卡產(chǎn)品來搶食客戶飯碗，到底葫蘆里是賣什么藥?業(yè)界相當(dāng)好奇!而原本應(yīng)該站在反對立場的大客戶創(chuàng)見，這次卻成為三星自有品牌記憶卡的代理商，究竟整起故事的來龍去脈為何?連同業(yè)都有霧里看花之感，只能說三星2009年真的是新人事、新作風(fēng)，每一步都讓業(yè)界跌破眼鏡! 　　與三星做生意的客戶都知道，2009年不論在DRAM或是N
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NAND Flash強(qiáng)勢不墜 模塊廠9月營收將再寫新高

  • 　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲器的帶動，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價(jià)大漲至7.5美元，存儲器模塊廠9月營收在NAND Flash和DRAM芯片價(jià)格雙雙大漲的帶動下，預(yù)計(jì)可再次創(chuàng)下新高，同時(shí)第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月營收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見也受惠歐洲市場買氣回籠，9月預(yù)計(jì)可達(dá)新臺幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月營收預(yù)估可達(dá)35億~40億元，勁永9月營收也將維持高檔不墜。 　　NAND Flash現(xiàn)貨
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三星DRAM芯片停止對臺供貨

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經(jīng)營團(tuán)隊(duì)上任，營運(yùn)策略出現(xiàn)不少重大轉(zhuǎn)變，將影響存儲器產(chǎn)業(yè)生態(tài)，三星日前決定全面停止對臺銷售DRAM芯片，一律只銷售DRAM模塊。存儲器廠表示，三星策略明顯側(cè)重OEM市場，減少與現(xiàn)貨客戶合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費(fèi)性電子大廠為優(yōu)先，尤其近期PC廠對于DRAM模塊需求強(qiáng)勁，三星供應(yīng)臺灣DRAM模塊數(shù)量大減，市場日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價(jià)。 　　存儲器業(yè)者指出，三星2009年在全球供貨策略出現(xiàn)許多
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NAND Flash強(qiáng)勢不墜　模塊廠9月營收將再寫新高

  • 　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲器的帶動，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價(jià)大漲至7.5美元，存儲器模塊廠9月營收在NAND Flash和DRAM芯片價(jià)格雙雙大漲的帶動下，預(yù)計(jì)可再次創(chuàng)下新高，同時(shí)第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月營收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見也受惠歐洲市場買氣回籠，9月預(yù)計(jì)可達(dá)新臺幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月營收預(yù)估可達(dá)35億~40億元，勁永9月營收也將維持高檔不墜。 　　NAND Flash現(xiàn)貨
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數(shù)據(jù)中心和企業(yè)IT需求將推動SSD增長六倍

  • 　　據(jù)iSuppli 公司，雖然2009 年面向筆記本電腦的固態(tài)硬盤(SSD)銷售因?yàn)閮?nèi)存價(jià)格飛漲而受挫，但企業(yè)市場對彌補(bǔ)上述領(lǐng)域的疲軟表現(xiàn)是綽綽有余，從而推動今年整體SSD 市場的營業(yè)收入將增長六倍。 　　第二季度NAND 閃存的成本大幅上升，引起SSD 價(jià)格跳漲，使其與硬盤驅(qū)動器(HDD)相比缺乏競爭力，并影響其在筆記本電腦中的普及。 NAND 閃存是SSD 中的關(guān)鍵部分，約占其價(jià)值的90%。然而，對于尋求擴(kuò)展功能和降低整體功耗的企業(yè)數(shù)據(jù)中心來說，SSD 仍然是一個(gè)具有吸引力的選擇。 　　由于企業(yè)
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IC資本支出依然謹(jǐn)慎 供應(yīng)收緊價(jià)格上漲

  • 　　分析師指出，資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場供應(yīng)收緊，價(jià)格可能隨之上漲，但可能會發(fā)生其他不可預(yù)料的結(jié)果。 　　IC Insights總裁Bill McClean稱，今年半導(dǎo)體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%，創(chuàng)歷史新低。芯片商在經(jīng)歷了嚴(yán)重衰退后，對資本投入依然比較謹(jǐn)慎。 　　“我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說道，“我們從來沒有遇到過這種情況。” 　　資本支出比例在2008年為16%，2004年至2007年均在20%至
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東芝Sandisk計(jì)劃明年啟用2xnm制程量產(chǎn)閃存芯片

  • 　　據(jù)業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計(jì)劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產(chǎn)NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產(chǎn)能，直至達(dá)到20萬片的產(chǎn)能水平。 　　東芝公司最近已經(jīng)開始32nm制程3bpc(每存儲單元3bit數(shù)據(jù))閃存芯片的量產(chǎn)，按原先的計(jì)劃，合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產(chǎn)量應(yīng)在今年底前達(dá)到總產(chǎn)量的50%左右，不過按目前的產(chǎn)能規(guī)劃來看，實(shí)際的量產(chǎn)實(shí)施時(shí)間看來已經(jīng)會有所拖延。 　　另一方面，對手In
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NAND Flash缺貨潮11月前無解　大廠產(chǎn)能全被包下

  • 　　蘋果意外在9月初向NAND Flash大廠下訂單，導(dǎo)致NAND Flash供給大幅吃緊，預(yù)計(jì)在2009年11月底之前，缺貨情況仍無解?，F(xiàn)在三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)產(chǎn)能都被蘋果包下來，另外存儲器模塊龍頭大廠金士頓(Kingston)則是包下英特爾70%的NAND Flash產(chǎn)能，雙方成為長期合作伙伴，顯示未來全球4大NAND Flash廠能釋出的產(chǎn)能相當(dāng)少，缺貨潮將延燒到11月。 　　存儲器業(yè)者表示，這次NAND Flash缺貨潮相
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DRAM廠和模塊廠誤判情勢　DDR2供貨吃緊

  • 　　2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際，各廠紛紛壓寶氣勢如虹的DDR3氣勢，DDR2飽受冷板凳之苦許久，然現(xiàn)在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)，DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故，市場意外出現(xiàn)缺貨聲浪，DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢，導(dǎo)致現(xiàn)在DDR2庫存過低，南亞科副總白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺貨問題將更明顯浮上臺面，且由合約價(jià)蔓延至現(xiàn)貨價(jià)，屆時(shí)1Gb DDR2現(xiàn)貨價(jià)格將看到2美元。 　　近期市場傳言，三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價(jià)格壓在1.7美
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手機(jī)內(nèi)建NAND Flash風(fēng)潮

  • 　　手機(jī)搭載記憶體分為2種形式，第1是外接快閃記憶卡，第2是內(nèi)建NAND Flash記憶體。隨著消費(fèi)者對于利用手機(jī)下載多媒體影音、照片、游戲等需求日益提升，對于記憶體容量的需求更是越來越高。 　　過去只流行數(shù)位相片的時(shí)代，NAND Flash容量可能只要1GB或2GB即相當(dāng)夠用，但數(shù)位影片的風(fēng)氣盛行后，這樣的低容量產(chǎn)品已無法滿足消費(fèi)者的需求，因此除了外接快閃記憶卡之外，內(nèi)建NAND Flash記憶體的風(fēng)潮已開始發(fā)酵，從最早內(nèi)建4GB和8GB容量記憶體，現(xiàn)在內(nèi)建記憶體容量已提升至16GB和32GB。 　
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全球IC市場V形反彈已啟動 增長勢頭將延續(xù)至2011年

  • 　　市場研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長98%和67%，其他產(chǎn)品的業(yè)績數(shù)據(jù)也十分健康，這說明產(chǎn)業(yè)已調(diào)頭撞向V形反彈的上升階段。 　　從今年1月到7月，IC市場銷售額增長了43%，DRAM、MPU、模擬電路銷售額分別增長61%、57%和50%。 　　爆炸式的增長率當(dāng)然也與今年1月半導(dǎo)體市場業(yè)績達(dá)到此輪衰退的最低點(diǎn)有關(guān)。 　　“IC產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇并不會是緩慢的，而是V形增長，目前上升周期已經(jīng)開始。”IC Insights分析師
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三星NAND Flash供貨臺廠銳減50%

  • 　　近日三星電子(Samsung Electronics)緊急通知臺系存儲器模塊廠，9月對于臺廠NAND Flash供貨量將銳減50%，迫使部分存儲器模塊廠大老板緊急前往韓國調(diào)貨;無獨(dú)有偶地，美光(Micron)日前亦告知客戶無貨可供應(yīng)，加上原本供貨量有限的東芝(Toshiba)和海力士(Hynix)，目前NAND Flash產(chǎn)能呈現(xiàn)嚴(yán)重不足。存儲器業(yè)者透露，主要是蘋果(Apple)iPhone和iPod不斷追加訂單，加上手機(jī)大廠內(nèi)建NAND Flash容量倍增，使得NAND Flash產(chǎn)能幾乎被消費(fèi)性大
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存儲器產(chǎn)業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情

  • 　　DRAM價(jià)格趨于穩(wěn)定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺廠面對這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔(dān)心三星電子(Samsung Electronics)會從中作梗，破壞DRAM價(jià)格漲勢，然現(xiàn)在蘋果(Apple)強(qiáng)勁追加NAND Flash訂單，且隨著智能型手機(jī)價(jià)格平民化的趨勢，未來內(nèi)建高容量存儲器普及，都讓各界相當(dāng)看好2010年NAND Flash市場前景，三星在喜迎蘋果大單之余，也無暇與臺系DRAM廠廝殺，暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。 　　2009 年存儲器產(chǎn)業(yè)觸
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美光或收購Numonyx Intel脫離NAND市場？

  • 　　根據(jù)國外媒體爆料，NAND閃存芯片制造商以及英特爾的合作伙伴美光科技可能會收購英特爾投資的NOR閃存制造商N(yùn)umonyx。 　　這將使得英特爾能夠擺脫掉Numonyx，而美光則可以藉此進(jìn)入NOR閃存業(yè)務(wù)，并獲得Numonyx的phase-change memory技術(shù)。 　　Numonyx是英特爾的合資公司，英特爾擁有其45%的股份，意法半導(dǎo)體持股49%。金融服務(wù)公司Francisco Partners持有其余股份，并在Numonyx 2008年成立時(shí)投資了1.5億美元。閃存業(yè)務(wù)對英特爾和意法半導(dǎo)
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第九代 v-nand介紹

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