艾邁斯(ams)半導體 文章 進入艾邁斯(ams)半導體技術(shù)社區(qū)
美商務部長:將強化措施保護鋁和半導體行業(yè)
- 北京時間26日早間消息,美國商務部長威爾伯-羅斯周二表示,特朗普政府可能采取更多行動,以保護美國的鋁、半導體和造船行業(yè)。 羅斯在接受《華爾街日報》采訪時稱,他計劃加快與歐盟、英國和日本的自由貿(mào)易談判,并將考慮恢復與韓國及中國的雙邊貿(mào)易協(xié)議。 他還表示,重新談判北美自由貿(mào)易協(xié)定是美國政府的工作重點,并希望在年底前完成對該協(xié)定的改寫工作。 羅斯還表示,美國政府可能介入,以支持陷入困境的西屋電氣,以防止其落入中國買家的手中。他表示:“擁有核能能力明顯是事關(guān)國家安全的問題。&rd
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紫光求賢若渴 欲進入世界半導體企業(yè)前三陣營
- 昨日,紫光集團發(fā)來的消息,正式回應“有華亞科工程師被中國紫光集團挖角,帶走公司機密文件,涉及商業(yè)間諜案”信息,聲明中表示:作為一家國際化的高科技公司,紫光一向非常重視與嚴格遵守相關(guān)法律,尊重對知識產(chǎn)權(quán)的保護,鼓勵技術(shù)創(chuàng)新。在遵守相關(guān)法律和商業(yè)慣例的原則下,紫光及其子公司長江存儲會在世界各地尋找我們需要的人才,并向他們提供較好的薪資及未來發(fā)展的機會。 在國家集成電路產(chǎn)業(yè)推進政策引導下,紫光集團以“自主創(chuàng)新加國際合作”為&ldquo
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北大課題組:高性能二維半導體新材料展現(xiàn)出優(yōu)異性能
- 半導體材料是電子信息產(chǎn)業(yè)的基石。目前,隨著晶體管特征尺寸的縮小,由于短溝道效應等物理規(guī)律和制造成本的限制,主流硅基材料與CMOS(互補金屬氧化物半導體)技術(shù)正發(fā)展到10納米工藝節(jié)點而很難提升,摩爾定律可能終結(jié)?! ∫虼耍_發(fā)新型高性能半導體溝道材料和新原理晶體管技術(shù),是科學界和產(chǎn)業(yè)界近20年來的主流研究方向之一。在眾多CMOS溝道材料體系中,相比于一維納米線和碳納米管,高遷移率二維半導體的器件加工與傳統(tǒng)微電子工藝兼容更好,同時其超薄平面結(jié)構(gòu)可有效抑制短溝道效應,被認為是構(gòu)筑后硅時代納電子器件和數(shù)字集成
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緣何說第三代半導體會爆發(fā)?
- (一)一二代半導體各有瓶頸,難以滿足新興市場需求 第一代半導體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表,主要應用在數(shù)據(jù)運算領(lǐng)域,硅基芯片在人類社會的每一個角落無不閃爍著它的光輝,隨著科技需求的日益增加,硅傳輸速度慢、功能單一的不足暴露了出來,同時集成電路產(chǎn)業(yè)遵循的“摩爾定律”演進趨緩,以新材料、新結(jié)構(gòu)以及新工藝為特征的“超越摩爾定律”成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展方向。第二代半導體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表,是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材
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東芝半導體出售跟蹤:不賣防衛(wèi)領(lǐng)域業(yè)務
- 北京時間3月31日上午消息,東芝對日本防衛(wèi)裝備廳表示,會保留探測雷達等防衛(wèi)領(lǐng)域的半導體業(yè)務,同時,在半導體存儲器業(yè)務被出售后,會防止技術(shù)人員外流。 為緩解美國核電業(yè)務計提巨額損失加劇的財務困境,東芝擬剝離核心的半導體存儲器業(yè)務,成立新公司并考慮出售其股份。有知情人士透露,約有10個潛在買家有意收購東芝半導體業(yè)務,其中,美國私募股權(quán)公司銀湖資本和美國芯片制造商博通擬共同出資2萬億日元(179億美元)要約收購。 此前,東芝宣布預計經(jīng)過損失處理, 2016財年(2016年4月至2017年3月
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臺灣半導體過去十年營收增6成利潤增1倍
- 臺灣經(jīng)濟部公布產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計,半導體產(chǎn)業(yè)整體營收10年來成長6成,利潤率更提升了一倍以上。 經(jīng)濟部表示,主因是臺集成電路產(chǎn)業(yè)具有有高端先進制程的國際競爭優(yōu)勢。 十年來半導體員工人數(shù)則也從17.3萬人增加為24.7萬人,其中近半數(shù)集中在科學園區(qū)。 統(tǒng)計指出,2005年半導體營收為1兆2458億元新臺幣,2015年為2兆721億元;成長率66.33%;利潤率從10.6%成長至21.3%。 經(jīng)濟部表示,臺灣半導體以晶圓、光罩、內(nèi)存等集成電路業(yè)為大宗,其2015年營收1兆5399億元,占半導體產(chǎn)業(yè)74.
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半導體所成功研制出銻化物帶間級聯(lián)激光器
- 銻化物帶間級聯(lián)激光器是基于量子效應和能帶工程的新型半導體激光器,由楊瑞青教授首次提出,是通過導帶和價帶之間躍遷實現(xiàn)電子和空穴的輻射復合,每個有源區(qū)通過類似量子級聯(lián)結(jié)構(gòu)串聯(lián)方式連接。它結(jié)合了傳統(tǒng)半導體帶間躍遷激光器和基于子帶間躍遷的量子級聯(lián)激光器的優(yōu)勢,如載流子注入均勻,量子效率高、波長易調(diào)節(jié)、閾值電流密度和功率消耗低等優(yōu)點。因此銻化物帶間級聯(lián)激光器在環(huán)境監(jiān)控、醫(yī)療診斷以及物聯(lián)網(wǎng)中信息收集等領(lǐng)域具有重要的應用前景,但其結(jié)構(gòu)復雜,外延層數(shù)多,這使得其材料生長難度很大。從報道來看,目前僅有美國俄克拉荷馬大學
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艾邁斯(ams)半導體介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條艾邁斯(ams)半導體!
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