閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

東芝變賣閃存業(yè)務(wù)“跳票” 股東們表示很失望

　　本周，東芝的股東和業(yè)界都在等待一個巨大消息：周二或者周三，東芝將和一個美日韓聯(lián)合體簽約，正式變賣閃存芯片業(yè)務(wù)，獲得急需的180億美元。　　然而在周三的股東大會上，東芝高管宣布了令人失望的消息。據(jù)法新社報道，東芝的“跳票”讓股東感到十分氣憤。　　東芝總裁綱川智周三表示，依然無法公布上一財年的財報，另外轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)的談判依然沒有結(jié)束。　　在轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)方面，東芝已經(jīng)花費了太多的時間，效率之低下令股東十分不滿。日本權(quán)威媒體日經(jīng)新聞本周曾報道，東芝已經(jīng)敲定了閃存業(yè)務(wù)的接手方
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PC內(nèi)存一年價格翻一倍多，二季度還要再漲10-20%

　　2017年JS靠著挖礦顯卡價格大漲賺錢了，只不過這一波顯卡漲價雖然很瘋狂，但是漲幅并不是最高的，內(nèi)存價格上漲的才是驚人，8GB DDR4內(nèi)存條現(xiàn)在普遍在400元以上，去年這時候價格才199元呢，當(dāng)時還覺得貴呢，現(xiàn)在價格翻倍都不止了。目前內(nèi)存漲價的趨勢還沒有得到抑制，Q1季度PC內(nèi)存已經(jīng)大漲36%了，可Q2季度還會繼續(xù)上漲10-20%，因為三星、SK Hynix及美光等廠商現(xiàn)在的產(chǎn)能并沒有增加，市場供需還是不平衡。　　這一年多了沒升級什么PC硬件了，雖然寫新聞的過程中也知道內(nèi)存、
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再延期東芝傾向于將閃存芯片業(yè)務(wù)賣給美日韓聯(lián)合體

　　6月20日消息，據(jù)國外媒體報道，東芝預(yù)計將在月底決定閃存芯片業(yè)務(wù)的最終買家，而此前出價最高的由富士康和蘋果等企業(yè)組成的競購團(tuán)，有可能在競購中白忙活一場，因為外媒的消息顯示，東芝更傾向于將閃存芯片業(yè)務(wù)賣給貝恩資本牽頭的由美國、日本和韓國企業(yè)組成的聯(lián)合體。　　　　由于美國核電業(yè)務(wù)減記帶來了巨大的虧損，東芝目前面臨資不抵債的困境，急需資金，東芝因此決定剝離閃存芯片業(yè)務(wù)并將其出售以換取資金。　　目前共有富士康、美國芯片制造商博通、貝恩資本牽頭的三大財團(tuán)參與東芝閃存芯片業(yè)務(wù)的競購
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NAND閃存的三種架構(gòu)：MLC、SLC、MBC

NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu)，即：單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu)，由英飛凌與Saifun合作開發(fā)，但該項架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個Cell中存儲1個bit的信息，以達(dá)到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點，Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構(gòu)，其也有很大的缺點，就是面積容量相對比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
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基于FPGA的存儲解決方案——閃存

閃存存儲器是嵌入系統(tǒng)中經(jīng)常使用的非易失性存儲器。在基于FPGA的嵌入系統(tǒng)中，由于FPGA沒有包括閃存，所以閃存始終是外置設(shè)備。由于閃存存儲器能夠在斷電后保持?jǐn)?shù)據(jù)內(nèi)容，它經(jīng)常用于存儲微處理器啟動代碼及其它需要在無電情況下繼續(xù)保持的數(shù)據(jù)。閃存存儲器既適用于并行接口又適用于串行接口。并行閃存設(shè)備與串行閃存設(shè)備的基本存儲技術(shù)是相同的。
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3D NAND這么火，比2D NAND到底優(yōu)秀在哪？

如果用一個詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場的話，那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事，包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價，閃存顆粒的制程問題引發(fā)的廠商競爭，以及“日經(jīng)貼”般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。
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吹牛必備常識之——“華為P10閃存門”中的UFS和eMMC究竟是啥?

華為P10“閃存門”其實就是一些消費者在購買P10手機(jī)后，經(jīng)過測試發(fā)現(xiàn)，華為P10系列手機(jī)閃存速度出現(xiàn)了明顯差異的情況。用戶測試結(jié)果顯示，有部分手機(jī)的閃存速度約為200MB/秒，而根據(jù)網(wǎng)上公布的評測參數(shù)來看，以華為官方配置的P10實際速度應(yīng)該可以達(dá)到800MB/秒左右。而最終測試的結(jié)論就是華為P10的閃存存在UFS和eMMC混用的問題。
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關(guān)于嵌入式閃存，你所不了解的那些事兒

　　多年來，汽車行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新一直推動著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)可知，汽車半導(dǎo)體市場的年收入已經(jīng)超過300億美元，而隨著ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升，這一數(shù)字還將不斷上升。目前，每輛豪華車內(nèi)部半導(dǎo)體元件的總價值約為1000美元，而中檔車內(nèi)部半導(dǎo)體元件的總價值約為350美元，汽車MCU是其中的重要組成部分。大多數(shù)汽車MCU具有片上嵌入式閃存，其中包含復(fù)雜而詳盡的指令代碼。盡管基于多晶硅浮柵的嵌入式閃存廣泛部署在汽車、工業(yè)和消費類應(yīng)用領(lǐng)域的一系列產(chǎn)品中，并且是非易失性存儲器技術(shù)的
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閃存事件雖尷尬華為卻在美國再次擊退韓國企業(yè)專利訴訟圍剿

　　在對待用戶方面，華為還有很多需要提升的地方——要俯下身子;但是，在硬碰硬的訴訟較量方面，華為又有很多值得其他企業(yè)效仿之處——不輕言放棄。　　前段時間爆出的P10“內(nèi)存門”或“閃存門”讓很多華為的忠實粉絲大跌眼鏡。　　從法律上看，華為可能并不存在“以次充好”或“偷工減料”的做法，但是，其在澄清說明相關(guān)做法時，又顯得脫離用戶。　　使得疑問變質(zhì)疑最終可能
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半導(dǎo)體：創(chuàng)造“陜西速度”和“西安效率”

　　面對全球信息化加速發(fā)展，以電子信息為代表的新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)呈爆發(fā)式增長態(tài)勢。2016年陜西實現(xiàn)了新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)高速增長，全年電子制造業(yè)總產(chǎn)值超過700億元，同比增長50%以上，其中半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)到500多億元，位于“一帶一路”核心地位的陜西是如何超前謀劃，使新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)助力陜西在經(jīng)濟(jì)發(fā)展上實現(xiàn)“彎道超車”?半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在其中又起了怎樣重要的推動作用?新華社記者帶你一探背后的奧秘。　　西安高新區(qū)：聚焦新興產(chǎn)業(yè)帶動轉(zhuǎn)型升級　　近年來
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東芝閃存業(yè)務(wù)備受追捧：到日本買技術(shù)？

伴隨全球化帶來的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正向上游延伸。產(chǎn)業(yè)發(fā)展也進(jìn)一步增強(qiáng)了兼收并購需求。
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手機(jī)閃存重要性解讀：不比SoC差

希望大家平時一定要注意這些消費陷阱，買到真正優(yōu)秀的好手機(jī)。
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賽普拉斯與上海華力微電子共同宣布基于SONOS技術(shù)的55納米低功耗閃存產(chǎn)品

　　全球領(lǐng)先的嵌入式非易失性存儲器解決方案提供商賽普拉斯半導(dǎo)體公司與中國最先進(jìn)的純晶圓代工廠之一，上海華力微電子有限公司(華力)今日共同宣布，基于華力 55納米低功耗工藝技術(shù)和賽普拉斯SONOS (氧化硅氮氧化硅)嵌入式閃存知識產(chǎn)權(quán)相結(jié)合，為閃存產(chǎn)品樹立了一個新的里程碑。華力的客戶已經(jīng)開始使用這項技術(shù)進(jìn)行低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品的試生產(chǎn)，針對藍(lán)牙低功耗和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。賽普拉斯高耐用性、可擴(kuò)展的SONOS嵌入式閃存工藝針對低功耗需求進(jìn)行了優(yōu)化，使其成為微控制器(MCU)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用的
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海力士發(fā)布72層256G 3D閃存芯片適合未來iPhone

存儲時代的到來
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選SSD就是選閃存顆粒！全面解析原片/白片/黑片

選SSD就是選閃存顆粒!所以，大家購買前可以先在網(wǎng)上看看評測拆解，了解顆粒是否來自于原廠或者是白片，再慎重選擇。
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]