閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

閃存事件雖尷尬華為卻在美國再次擊退韓國企業(yè)專利訴訟圍剿

　　在對待用戶方面，華為還有很多需要提升的地方——要俯下身子;但是，在硬碰硬的訴訟較量方面，華為又有很多值得其他企業(yè)效仿之處——不輕言放棄。　　前段時間爆出的P10“內(nèi)存門”或“閃存門”讓很多華為的忠實粉絲大跌眼鏡。　　從法律上看，華為可能并不存在“以次充好”或“偷工減料”的做法，但是，其在澄清說明相關(guān)做法時，又顯得脫離用戶。　　使得疑問變質(zhì)疑最終可能
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半導(dǎo)體：創(chuàng)造“陜西速度”和“西安效率”

　　面對全球信息化加速發(fā)展，以電子信息為代表的新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)呈爆發(fā)式增長態(tài)勢。2016年陜西實現(xiàn)了新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)高速增長，全年電子制造業(yè)總產(chǎn)值超過700億元，同比增長50%以上，其中半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)到500多億元，位于“一帶一路”核心地位的陜西是如何超前謀劃，使新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)助力陜西在經(jīng)濟(jì)發(fā)展上實現(xiàn)“彎道超車”?半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在其中又起了怎樣重要的推動作用?新華社記者帶你一探背后的奧秘。　　西安高新區(qū)：聚焦新興產(chǎn)業(yè)帶動轉(zhuǎn)型升級　　近年來
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東芝閃存業(yè)務(wù)備受追捧：到日本買技術(shù)？

伴隨全球化帶來的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正向上游延伸。產(chǎn)業(yè)發(fā)展也進(jìn)一步增強(qiáng)了兼收并購需求。
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手機(jī)閃存重要性解讀：不比SoC差

希望大家平時一定要注意這些消費陷阱，買到真正優(yōu)秀的好手機(jī)。
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賽普拉斯與上海華力微電子共同宣布基于SONOS技術(shù)的55納米低功耗閃存產(chǎn)品

　　全球領(lǐng)先的嵌入式非易失性存儲器解決方案提供商賽普拉斯半導(dǎo)體公司與中國最先進(jìn)的純晶圓代工廠之一，上海華力微電子有限公司(華力)今日共同宣布，基于華力 55納米低功耗工藝技術(shù)和賽普拉斯SONOS (氧化硅氮氧化硅)嵌入式閃存知識產(chǎn)權(quán)相結(jié)合，為閃存產(chǎn)品樹立了一個新的里程碑。華力的客戶已經(jīng)開始使用這項技術(shù)進(jìn)行低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品的試生產(chǎn)，針對藍(lán)牙低功耗和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。賽普拉斯高耐用性、可擴(kuò)展的SONOS嵌入式閃存工藝針對低功耗需求進(jìn)行了優(yōu)化，使其成為微控制器(MCU)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用的
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海力士發(fā)布72層256G 3D閃存芯片適合未來iPhone

存儲時代的到來
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選SSD就是選閃存顆粒！全面解析原片/白片/黑片

選SSD就是選閃存顆粒!所以，大家購買前可以先在網(wǎng)上看看評測拆解，了解顆粒是否來自于原廠或者是白片，再慎重選擇。
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海力士謀劃72層堆疊閃存：單顆輕松1TB

　　如今各種設(shè)備對于NAND閃存的容量要求越來越高，迫使廠商們不得不持續(xù)改進(jìn)技術(shù)，尤其是強(qiáng)化3D堆疊設(shè)計。SK海力士就計劃在今年量產(chǎn)72層堆疊閃存。　　2015年，SK海力士量產(chǎn)了第二代36層堆疊3D MLC NAND(3D-V2)，單晶粒容量128Gb(16GB)。　　2016年，SK海力士推出了第三代48層堆疊的3D-V3，閃存類型改成TLC，重點單晶粒容量256Gb(32GB)，而封裝芯片的容量最高可以達(dá)到4096Gb(512GB)。　　2017年，我們將看到SK海力士的第四代3D-V4
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工序失衡！2017 DRAM內(nèi)存缺貨/漲價繼續(xù)蔓延

　　從2016年下半年開始，內(nèi)存、閃存的缺貨漲價勢頭開始上揚(yáng)，2017年這一局面將繼續(xù)擴(kuò)散蔓延，而且一整年都未必會有改觀。　　據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報報道，內(nèi)存大廠金士頓近日表態(tài)，今年因為主要的DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃，全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。此外，群聯(lián)公司董事長潘建成也強(qiáng)調(diào)，NAND閃存因為進(jìn)入3D世代，制程良率無法提升，預(yù)計將缺貨一整年。　　日前，金士頓董事長陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時，針對DRAM內(nèi)存市場進(jìn)行了分析，他表示，目前主要DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃
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長江存儲和美光科技展開合作談判涉及到閃存以及內(nèi)存技術(shù)授權(quán)

　　中國半導(dǎo)體廠商近來加大了海外收購、合作的力度。早前行業(yè)內(nèi)曾經(jīng)傳言，中國紫光集團(tuán)可能會收購美國閃存、內(nèi)存制造巨頭美光科技公司，但是傳言并未有下文。日前，紫光旗下公司證實，正在和美光進(jìn)行有關(guān)技術(shù)授權(quán)、成立合資公司的談判。　　據(jù)報道，作出上述表態(tài)的是中國長江存儲公司的副董事長丁文武。長江存儲是紫光集團(tuán)旗下設(shè)立在武漢的企業(yè)，董事長正是紫光集團(tuán)掌門人趙偉國。　　日前在合肥的一次會議上，丁文物對于記者表示，目前長江存儲公司正在和美光科技公司進(jìn)行談判，涉及到閃存以及內(nèi)存技術(shù)的授權(quán)，但是還沒有達(dá)成協(xié)議。這位高
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三星最賺錢業(yè)務(wù)將被中國企業(yè)吃掉？

伴隨著中國增加閃存投資，其和三星的閃存市場份額差距正在縮小，而技術(shù)上中國在過去10年時間里培養(yǎng)了一批人才，積累了一定技術(shù)，在技術(shù)上迅速縮小與三星的差距。
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SLC、MLC、TLC閃存芯片的區(qū)別

SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Ce
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LSI閃存解決方案提升虛擬機(jī)密度和性能

LSI公司(NASDAQ: LSI)日前宣布推出集成VMware虛擬化軟件支持的LSI® Nytro™ XD應(yīng)用加速存儲解決方案。該款帶VMware支持的Nytro XD解決方案可將PCIe®閃存
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最快NOR閃存+突破性接口，Spansion帶用戶體驗“極

新春過后不久，Spansion又帶來了它的得意新作——Spansion® HyperBus™ 接口和基于該新接口的產(chǎn)品家族HyperFlash™ NOR閃存設(shè)備。據(jù)悉，搭載了
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Spansion完成對富士通微控制器和模擬業(yè)務(wù)部門收購

2013年 08月02日，中國北京 — 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)今天宣布已經(jīng)完成對富士通半導(dǎo)體有限
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]