閃存 文章 進(jìn)入閃存 技術(shù)社區(qū)
3D閃存產(chǎn)能大提升!SSD停止?jié)q價
- 今年第三季度,NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài),主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢,低于預(yù)期。 而需求方面,手機(jī)、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心依然表現(xiàn)強(qiáng)勢。 不過,來自集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)的最新報告稱,在明年,NAND閃存的市場將達(dá)到一種穩(wěn)態(tài)局面。其中,供給側(cè)的產(chǎn)能將提升42.9%,而需求側(cè),增長預(yù)計在37.7%。 目前在3D閃存方面,三星的轉(zhuǎn)產(chǎn)最為順利,已經(jīng)在Q3開始量產(chǎn)64層堆疊,而其它廠商的64層甚至72層則仍需要2018年落地。 據(jù)悉,在明年的所
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2017年全球存儲市場規(guī)模將達(dá)950億美元
- 日前,由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦的、以“中國存儲 全球格局”為主題的中國閃存市場峰會在深圳圓滿落幕。本次峰會齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、??荡鎯Φ绕髽I(yè)重量級嘉賓,一起探討存儲產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展和企業(yè)市場發(fā)展機(jī)會。峰會吸引全球近700家企業(yè)參會,其中包括東芝、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會,涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機(jī)、電腦、汽車、工業(yè)、大數(shù)據(jù)應(yīng)用等,參會觀眾超
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中國閃存市場ChinaFlashMarket正從價格基準(zhǔn)向品質(zhì)基準(zhǔn)擴(kuò)展
- 9月6日,由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦的以“中國存儲?全球格局”為主題的中國閃存市場峰會在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本、??荡鎯Φ绕髽I(yè)重量級嘉賓,一起探討存儲產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展和企業(yè)市場發(fā)展機(jī)會?! ⊥瑫r,吸引全球近700家企業(yè)參會,其中包括東芝、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會,涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機(jī)、電腦、汽車、工業(yè)、大數(shù)據(jù)應(yīng)用等,當(dāng)天
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CFM:原廠加碼投資擴(kuò)產(chǎn)64層3D NAND,然部分市場仍缺貨到年底
- 9月6日,由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦以“中國存儲?全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會除了齊聚國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講,其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)?! ‘?dāng)天吸引全球近700家企業(yè)參會,其中包括西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會,涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機(jī)、電腦、
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Upthere之后 西部數(shù)據(jù)又要收購一家閃存公司
- 在宣布收購云存儲服務(wù)提供商 Upthere 之后,西部數(shù)據(jù)(WD)緊接著在本周二宣布了又一個收購目標(biāo) —— 閃存公司 Tegile Systems —— 不過西數(shù)并未透露這筆交易的金額。成立于 2010 年的 Tegile,主要為企業(yè)提供數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的閃存和持久性內(nèi)存存儲解決方案。過去幾年,西數(shù)一直扮演者投資方的角色,并在今年 4 月份領(lǐng)投了 3300 萬美元的 E 輪融資。 Rohit Kshetrapal 指出,西數(shù)早已在多方面增強(qiáng)了該公司的業(yè)
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銀行債權(quán)人向東芝施壓:八月必須賣掉閃存業(yè)務(wù)
- 日本東芝公司已經(jīng)資不抵債,但是轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)的交易,卻陷入了泥潭,讓債權(quán)人、日本政府等頗為著急。據(jù)外媒最新消息,東芝的主要債權(quán)人已經(jīng)向該公司施壓:必須在八月份完成閃存業(yè)務(wù)的轉(zhuǎn)讓。 據(jù)日經(jīng)新聞等媒體報道,東芝目前已經(jīng)是資不抵債的負(fù)資產(chǎn)企業(yè),之前已經(jīng)從東京股票交易所主板摘牌,降級到了二板,如果明年財年結(jié)束時繼續(xù)資不抵債,東芝將徹底從股市上消失。 據(jù)報道,東芝多家債權(quán)人銀行(也是長期合作的銀行伙伴)已經(jīng)要求該公司在八月份完成轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)的交易,只有這樣才能夠確保在明年三月底財年結(jié)束之前,完成全部交
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東芝公布2016財年財報:全年凈虧損88億美元 低于分析師預(yù)期
- 據(jù)國外媒體報道,原本在6月底就應(yīng)該公布的東芝2016財年財報,因東芝陷入困境而未能如期發(fā)布,在推遲了一個多月之后,東芝終于公布了2016財年的財報。 在得到審計機(jī)構(gòu)的批準(zhǔn)之后,東芝在周四公布了2016財年的財報,財報顯示,在截至今年3月31日的2016財年,東芝的營收為4.8萬億日元(約合436億美元),較2015財年降低了5.5%。 由于美國核電業(yè)務(wù)減記,東芝2016財年虧損已是無法避免的事,而事實(shí)也的確如此。 在近日公布的財報中,東芝2016財年的凈虧損為9657億日元(約合88
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東芝轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)進(jìn)展不順 日政府看不下去全面介入
- 由于財務(wù)狀況惡化,日本東芝公司已經(jīng)被東京股票交易所從主板摘牌,距離退市已經(jīng)越來越近,但是時至今日,轉(zhuǎn)讓閃存芯片業(yè)務(wù)的進(jìn)展卻并不順利。據(jù)外媒最新消息,面對東芝高管所表現(xiàn)出的領(lǐng)導(dǎo)無方,日本政府已經(jīng)全面介入到這一轉(zhuǎn)讓交易中。 按照原定計劃,東芝準(zhǔn)備把閃存芯片業(yè)務(wù)以大約180億美元的價格,轉(zhuǎn)讓給一個美日韓聯(lián)合體,其中包括日本開發(fā)銀行、日本產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)、美國貝恩資本、韓國海力士半導(dǎo)體,不過東芝的芯片業(yè)務(wù)合資伙伴西部數(shù)據(jù),卻以海力士的涉足為由,提出了反對意見,并已經(jīng)述諸法律手段。 有消息稱,由于和西部
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機(jī)械硬盤持續(xù)大幅滑坡 閃存將取代HDD存儲市場?
- 如今,機(jī)械硬盤持續(xù)大幅滑坡,這讓西數(shù)、希捷兩大廠商不得不做戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型向SSD市場?! ”娝苤瑱C(jī)械硬盤(HDD)曾是電腦不可或缺的部件,行業(yè)競爭也非常激烈。最后,全球的機(jī)械硬盤被西部數(shù)據(jù)、希捷與東芝三家巨頭所壟斷,其他品牌都被并購或直接淘汰?! ≡谶@其中,東芝是最先轉(zhuǎn)型到固態(tài)硬盤領(lǐng)域的,今年年初,據(jù)外媒報道,東芝方面吐露將不再考慮生產(chǎn)15KHDD新品。 再來看看希捷的情況,今年年初關(guān)閉蘇州工廠后,又低調(diào)的關(guān)閉了位于韓國的HDD研發(fā)中心。而該研究中心從成立至今還不到4年,主攻2.5英寸機(jī)械硬盤。閃存市
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東芝存儲器株式會社開發(fā)出世界首款QLC 3D閃存
- 存儲器解決方案全球領(lǐng)導(dǎo)者東芝存儲器株式會社今日宣布開發(fā)出世界首款[1]采用堆疊式結(jié)構(gòu)的BiCS FLASH?三維(3D)閃存[2]。最新的BiCS FLASH?設(shè)備是首款采用4位元(四階存儲單元,QLC)技術(shù)的閃存設(shè)備,該技術(shù)使閃存設(shè)備的存儲容量較3位元(TLC)設(shè)備進(jìn)一步提高并推動了閃存技術(shù)創(chuàng)新?! 《辔辉獌?nèi)存通過管理每個獨(dú)立存儲單元中的電子數(shù)目來存儲數(shù)據(jù)。實(shí)現(xiàn)QLC技術(shù)帶來一系列技術(shù)挑戰(zhàn),在相同電子數(shù)目下位元數(shù)目每增加一個,需要兩倍于TLC技術(shù)的精度。東芝存儲器株式會社利用其先
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閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
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