閃存文章進入閃存技術(shù)社區(qū)

華為舉辦首屆閃存技術(shù)論壇，發(fā)布閃存創(chuàng)新理念

華為在北京舉辦了主題為“探討閃存未來發(fā)展之道，推動產(chǎn)業(yè)共贏”首屆華為閃存技術(shù)論壇，在業(yè)界首次提出面向應(yīng)用感知的存儲創(chuàng)新理念和未來SSD發(fā)展新形態(tài)。華為智能計算提出希望與廣大客戶、合作伙伴、Flash廠家、標(biāo)準組織、高校、媒體等存儲產(chǎn)業(yè)的上下游共聚，共同探討并引領(lǐng)閃存技術(shù)發(fā)展趨勢，持續(xù)提升應(yīng)用性能，滿足用戶需求。　　目前，存儲產(chǎn)業(yè)正發(fā)生著翻天覆地的變化，隨著閃存新技術(shù)的發(fā)展與廣泛應(yīng)用，閃存行業(yè)正面臨著新的機遇與挑戰(zhàn)! 本次會議重點展現(xiàn)了自研SSD閃存技術(shù)和應(yīng)用研究，并借本次技術(shù)論壇活動，為行業(yè)提供一個技術(shù)生
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要買的抓緊了內(nèi)存閃存年底可能要減產(chǎn)漲價

中關(guān)村在線消息：這近兩年以來的內(nèi)存和閃存價格都在下跌，做為我們消費者自然是再高興不過了，但像美光這樣的廠商都有點扛不住了。據(jù)美光發(fā)布的最新季度財報，這家公司的營收下滑了40%，凈利潤更是暴跌78%，而其主要原因正是內(nèi)存閃存市場價格的下跌。對此，美光計劃在2020財年（也就是大約今年四季度）開始縮減資本支出，以減少內(nèi)存閃存的產(chǎn)能，希望借此改變市場供需關(guān)系。這就意味著，從今年四季度開始，內(nèi)存閃存的價格可能會有所上漲，反映到消費市場自然就是我們買起來會貴了。所以如果有購買內(nèi)存閃存計劃的網(wǎng)友們，可以考慮提前準備。
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想買SSD的現(xiàn)在該出手了 NAND報價預(yù)計將在Q2至Q3間止跌

NAND閃存的價格一跌再跌，2019年第一季度TLC閃存的晶圓合約價下跌了19~28%，eMMC/UFS類閃存合約價下跌了15~20%，消費級固態(tài)硬盤價格跌了17~31%，企業(yè)級固態(tài)硬盤跌了26~32%。即使現(xiàn)在SSD的價格已經(jīng)白菜價，但是也有人在想等它再跌些再買，那么或許現(xiàn)在該出手了。因為據(jù)行業(yè)人士預(yù)測，預(yù)計NAND報價將在Q2至Q3間止跌。
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閃存價格暴跌四分之一東芝閃存部門Q1虧損2億美元

截至今年Q2季度，NAND閃存始于2018年Q1季度的降價已經(jīng)持續(xù)了6個季度，此舉導(dǎo)致NAND閃存均價大幅下滑，消費者買大容量手機、SSD硬盤倒是便宜了很多，只不過上游的NAND供應(yīng)商業(yè)績就難看多了。
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Intel：NAND閃存不再新建廠傲騰轉(zhuǎn)向中國生產(chǎn)

NAND閃存持續(xù)供過于求，價格不斷走低，消費者們很高興，廠商們很不爽，Intel就在近日的投資者大會上披露，可預(yù)期的未來內(nèi)也不會再建設(shè)新的閃存工廠。
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K Hynix出樣96層堆棧QLC閃存 16TB硬盤不是夢

NAND閃存價格從2018年初到現(xiàn)在已經(jīng)連跌6個季度了，廠商一方面在削減產(chǎn)能以控制供需情況，另一方面也在加強低成本的NAND閃存開發(fā)，今年就會開始從TLC閃存向QLC閃存轉(zhuǎn)變。SK Hynix去年底宣布了96層堆棧的QLC閃存，號稱是首個4D NAND閃存，今天該公司宣布正式出樣96層QLC閃存，核心容量1Tbit。
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產(chǎn)業(yè)高點已過，2019年閃存價格恐跌40%

　　CINNOResearch對閃存供應(yīng)商及其上下游供應(yīng)鏈調(diào)查顯示，在64層的3D-NAND良率更為成熟，需求端受到中美貿(mào)易戰(zhàn)壓縮的情況下，NANDFlash行業(yè)供過于求的情況持續(xù)加劇，各家廠商以更為積極的降價來刺激出貨成長，也因此第三季度閃存平均銷售單價普遍較第二季度下滑15-20%，而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關(guān)系，第三季成長幅度來到20-25%，整體第三季閃存產(chǎn)值達到172億美元，季成長約為5%，值得注意的是，也是近三年來在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
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提高3D NAND性能、可靠性和良率的考慮因素

　　前言　　多年來，全球的非易失存儲功能都仰仗于 NAND 閃存技術(shù)。其用途已經(jīng)從單純的閃存驅(qū)動器擴展到筆記本電腦、智能手機和平板電腦，如今又擴展至云端存儲操作所需固態(tài)存儲記憶體。隨著時間的推移，結(jié)構(gòu)上的逐漸演進已滿足對存儲容量增加、尺寸縮小和可靠度提升上的不斷需求，而且此技術(shù)已經(jīng)驗證，可提供高性能，低功耗，并和以前的固態(tài)存儲技術(shù)相比，每存儲單位比特成本更低，其價值不言而喻?！　∽畛酰琋AND 閃存制造商使用多重圖案化技術(shù)來縮小尺寸，從而增加存儲密度，降低相對應(yīng)成本。遺憾的是，2D 或平面 NAND 閃存
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貿(mào)澤9月新添300余新品

致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷商貿(mào)澤電子 (MouserElectronics)，首要任務(wù)是提供來自全球700多家廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計出先進產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤2018年9月發(fā)布了超過302種新品，這些產(chǎn)品均可以當(dāng)天發(fā)貨。貿(mào)澤上月引入的部分產(chǎn)品包括：Micron串行NOR閃存 Micron串行NOR閃存具有先進的接口和低引腳數(shù)，簡單易用，是適用于代碼映射應(yīng)用的簡單解決方案。先進的安全技
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大容量時代：閃存市場競逐5G機遇

　　5G時代的漸行漸近。對消費群體而言，5G帶來的是高帶寬低延遲的使用效果;對于企業(yè)端尤其是閃存大廠來說，則是新的機遇。在近日舉行的“中國閃存市場峰會(CFMS20　　5G時代的漸行漸近?！　οM群體而言，5G帶來的是高帶寬低延遲的使用效果;對于企業(yè)端尤其是閃存大廠來說，則是新的機遇?！　≡诮张e行的“中國閃存市場峰會(CFMS2018)”上，中國閃存市場總經(jīng)理邰煒表示，2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將達1500億美元，其中NANDFlash(閃存存儲器)將超過570億美元，而中國消耗了全球產(chǎn)能的32%，
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NAND閃存大科普

　　在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣??！　」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降。　　隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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詳解Flash存儲器閃存工作原理及具體步驟

什么是閃存?了解閃存最好的方式就是從它的ldquo;出生rdquo;它的ldquo;組成rdquo;均研究的透徹底底的。閃存的存儲單元為三端器件，與場效應(yīng)管有相同
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閃存降價利好可持續(xù)至2019下半年,大容量高性能SSD普及進行時

　　幾年前突然“大火”的存儲行情，給業(yè)界帶來的極大的沖擊。在 PC 市場衰退后本就不多的 DIY 用戶，要么咬牙買高價內(nèi)存(DRAM)和固態(tài)硬盤(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機升級的計劃。當(dāng)然，市場也不是沒有好消息。據(jù)集邦咨詢(DRAMeXchange)所述，近期閃存降價的趨勢，有望持續(xù)到 2019 上半年?！　RAMeXchange 報告稱，2018 年 3~4 季度，NAND 閃存的平均銷售價格，預(yù)計將下降 10% 。集邦認為，市場需求較低的情況下所增長的產(chǎn)能，是推動這一趨勢的主要原因。
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中國三大存儲公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存：2019年開始

外界普遍認為，中國存儲芯片公司逐步擴大產(chǎn)能，全球內(nèi)存閃存芯片市場的價格有望出現(xiàn)下降。
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中國三大存儲公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存：2019年開始

　　對于關(guān)注國產(chǎn)內(nèi)存、閃存的用戶來說，從明年開始將會有實質(zhì)性的成果，因為長江存儲、晉華集成電路以及合肥Innotro存儲都將量產(chǎn)。據(jù)臺灣電子時報報道稱，2019年，中國大陸地區(qū)將有三家存儲芯片廠竣工并投入量產(chǎn)。目前，長江存儲正在準備的第一個訂單是，生產(chǎn)8GB容量的SD存儲卡，訂單規(guī)模為一萬套32層3D NAND閃存芯片?！　≡谛庐a(chǎn)品方面，長江存儲正在研發(fā)64層的3D NAND閃存，計劃在2018年年底前推出樣品?！　「L江存儲不同的是，晉華公司和Innotron主要負責(zé)DRAM內(nèi)存芯片的制造。據(jù)說前者已經(jīng)
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]