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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 1700v

敢想敢做，PI推出業(yè)界首款1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC

  • 1932年，研究人員在George Herbert Jones實(shí)驗(yàn)室，將金屬鎵和氨在900℃至1000℃的高溫下進(jìn)行反應(yīng)，成功合成了GaN材料。近一個(gè)世紀(jì)的時(shí)間里，氮化鎵逐漸引領(lǐng)著功率變換領(lǐng)域的新一輪變革。特別是Power Integrations公司近日推出的業(yè)界首款1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC——InnoMux?-2系列產(chǎn)品，不僅刷新了氮化鎵技術(shù)的耐壓紀(jì)錄，更是以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景，成為了電源管理領(lǐng)域的遙遙領(lǐng)先者。 氮化鎵逐漸成為王者 最佳開(kāi)關(guān)電源技術(shù)覆蓋從十瓦至一兆瓦的廣泛
  • 關(guān)鍵字： PI  氮化鎵  1700v  電源IC  

1700V，200～300A IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路設(shè)計(jì)

  • 標(biāo)簽：IGBT 電源0 引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低
  • 關(guān)鍵字： 保護(hù)  電路設(shè)計(jì)  驅(qū)動(dòng)  IGBT  300A  1700V  
共2條 1/1 1

1700v介紹

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