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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d-nand

3D Touch引爆市場 國產(chǎn)壓力觸控廠商加速布局

  • 　　一場觸控界的革新，因為蘋果的參與而讓市場沸騰起來。新iPhone9月10日(北京時間)發(fā)布后，搭載的3D Touch技術(shù)讓消費者們對手機操控有了新鮮感。這讓壓力觸控廠商們很是興奮，經(jīng)歷了長久蟄伏期之后，他們看到了潛在的市場爆點。不過興奮的同時，產(chǎn)業(yè)鏈廠商們也沒有太過樂觀，因為安卓市場才是引爆市場的關(guān)鍵，而這恐怕還需等待一段時間。 　　為部分App帶來革命性體驗 　　壓感觸控技術(shù)是指在現(xiàn)有手機平面操作的基礎(chǔ)上增加第三種維度——重力感應(yīng)，根據(jù)力度的不同，調(diào)用的菜單也有所區(qū)別。而
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FinFET/3D NAND前景亮　推升半導(dǎo)體設(shè)備需求

  • 　　鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現(xiàn)更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機臺和磊晶技術(shù)。 　　應(yīng)用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進(jìn)制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開發(fā)有兩大重點方向，一是電晶體與導(dǎo)線技術(shù)，另一個是圖形制作與檢測技術(shù)。 　　應(yīng)用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
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CMOS傳感3D-IC產(chǎn)能拉升 晶圓級封裝設(shè)備需求增

  • 　　微機電(MEMS)/奈米技術(shù)/半導(dǎo)體晶圓接合暨微影技術(shù)設(shè)備廠商EVGroup(EVG)今日宣布，該公司全自動12吋(300mm)使用聚合物黏著劑的晶圓接合系統(tǒng)目前市場需求殷切，在過去12個月以來，EVG晶圓接合系列產(chǎn)品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍，主要來自于晶圓代工廠以及總部設(shè)置于亞洲的半導(dǎo)體封測廠(OSAT)多臺的訂單;大部份訂單需求的成長系受惠于先進(jìn)封裝應(yīng)用挹注，制造端正加速生產(chǎn)CMOS影像感測器及結(jié)合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術(shù)的垂直
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美光2016 資本支出大增至53億美元，市場冷淡

  • 　　內(nèi)存大廠美光 14 日舉辦 2015 年夏季分析師會議(Analyst Conference)，會中宣布 2016 會計年度資本支出將增加為 53 億至 58 億美元，但盡管美光砸錢拚研發(fā)與產(chǎn)能，市場似乎對內(nèi)存前景不具信心，當(dāng)日股價仍小跌了 4%、77分美元，收在 16.93 美元。 　　美光財務(wù)長 Ernie Maddock 在會中公布 2016 會計年度的資本支出將達(dá) 53 億至 58 億美元。反觀即將在本月底結(jié)束的 2015 年會計年度，資本支出僅介于 36 億美元至 40 億美元，再往回推至
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FMS2015XPoint內(nèi)存之思：這個東西屬不屬于PCM？

  • 　　美國閃存峰會上的演講提出假設(shè)性觀點。 　　   　　3D XPoint內(nèi)存晶圓近照。 　　本屆閃存記憶體峰會上的一次主題演講對英特爾/美光聯(lián)合打造的3D XPoint內(nèi)存技術(shù)作出了相關(guān)猜測——包括這項技術(shù)的具體定義以及英特爾會在未來如何加以運用。我們就其中的部分內(nèi)容向知識淵博的從業(yè)專家進(jìn)行了咨詢，并以此為基礎(chǔ)提出自己的觀點——同樣圍繞這兩點，該技術(shù)究竟算是什么、未來又將如何發(fā)展。 　　本月13號星期四在301-C會話環(huán)節(jié)中作出的這
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不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營收表現(xiàn)

  • 　　TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營收、利潤等的各項營運指標(biāo)也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產(chǎn)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，受到整體經(jīng)濟環(huán)境沖擊，智慧型手機、平板電
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不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營收表現(xiàn)

  • 　　TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營收、利潤等的各項營運指標(biāo)也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產(chǎn)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，受到整體經(jīng)濟環(huán)境沖擊，智慧型手機、平板電
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NAND閃存走向發(fā)展死胡同？

  • NAND閃存技術(shù)進(jìn)入發(fā)展的死胡同，工程師開始集中開發(fā)3D NAND
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全球新式存儲器大戰(zhàn)　臺控制芯片廠不缺席

  • 　　美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲器(NVM)新技術(shù)3D XPoint，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片，業(yè)界傳出該技術(shù)不僅將導(dǎo)入固態(tài)硬碟(SSD)，臺系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計劃，成為首家控制芯片供應(yīng)商，2016年搶先導(dǎo)入SSD。不過，相關(guān)消息仍待慧榮正式對外宣布。 　　存儲器業(yè)者表示，包括美光和英特爾的IM Flash陣營對于3D XPoint技術(shù)并未揭露太多資訊，業(yè)界推測可能是一種稱為可變電阻式存儲器(ReRAM)的新
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海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲器9月量產(chǎn)出貨

  • 　　南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，預(yù)計9月開始對客戶出貨。 　　快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo)，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場水溫后，48層產(chǎn)品明年才會投產(chǎn)。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財報遜于預(yù)期，受PC用DRAM需求低迷影響，當(dāng)季營業(yè)利潤僅1.37兆韓圜，低于分析師預(yù)估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
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全SSD儲存時代正式來臨，充分發(fā)揮NAND架構(gòu)優(yōu)勢

  • 　　幾年前，SSD以其穩(wěn)定、快速，不怕震動的特性，前進(jìn)PC產(chǎn)業(yè)的儲存市場，獲得許多電腦玩家的青睞。只不過，當(dāng)時SSD與HDD每GB的價格，換算下來仍有一段不小的價差。而現(xiàn)在，隨著成本更低廉的TLC架構(gòu)問世，SSD在價格方面已經(jīng)逼近傳統(tǒng)HDD。挾著NAND Flash穩(wěn)定、高速、低耗能的優(yōu)勢特色，SSD不只在PC市場快速普及，下一步更將前進(jìn)資料中心、數(shù)位看板、POS機等商用市場。 　　SanDisk：SSD全面進(jìn)占資料中心 　　當(dāng)云端應(yīng)用已經(jīng)成為重要產(chǎn)業(yè)趨勢，相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)備趕上這樣的趨勢，也成為了一種必
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走進(jìn)三星半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線：打造綠色經(jīng)營系統(tǒng)

  • 　　陜西西安的三星(中國)半導(dǎo)體有限公司剛成立不久，公司園區(qū)內(nèi)部假山流水，綠樹成蔭，人工湖內(nèi)魚兒游來游去。這里生產(chǎn)世界最先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)品——10納米級NAND 閃存芯片(V-NAND)。 　　對三星半導(dǎo)體來說，引導(dǎo)社會未來發(fā)展的不僅僅是生產(chǎn)全球最先進(jìn)的產(chǎn)品，同時也包括在環(huán)保方面打造世界最高水平的綠色經(jīng)營系統(tǒng)(G-EHS)。 　　形成半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈 　　三星半導(dǎo)體工廠所在的地方，原本是空曠的野外，現(xiàn)正在變成發(fā)達(dá)的電子產(chǎn)業(yè)基地。 　　西安是三星電子海外芯片生產(chǎn)線投資規(guī)模最大的一個
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傳三星出手 搶iPhone6S NAND Flash訂單

  • 三星發(fā)展半導(dǎo)體事業(yè)，看上蘋果搖錢樹，拼盡全力狂搶訂單。
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三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

  • 　　2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達(dá)10%，為當(dāng)初預(yù)期的3倍以上，預(yù)料到了2016年，占比將進(jìn)一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。 　　據(jù)韓媒Money Today報導(dǎo)，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 　　據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
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平面架構(gòu)1x納米NAND揭密！

  • 　　過去的一年半以來，主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開始銷售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據(jù)我們調(diào)查開放市場上所銷售元件的供應(yīng)來源，美光(Micron)是從2014年2月開始供應(yīng)1x奈米元件的第一家記憶體廠商，隨后是在同年10月推出產(chǎn)品的SK海力士(Hynix)。在近六個月之后，TechInsights實驗室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產(chǎn)品。 　　針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點，在文獻(xiàn)中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星
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3d-nand介紹

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