3d-nand 文章 進入3d-nand技術(shù)社區(qū)
Mobile RAM防線恐失守
- 行動裝置風潮崛起使得PC DRAM需求式微,自2011年起包括Mobile RAM、服務器DRAM等,儼然已成為DRAM廠最佳避風港,然在各家存儲器大廠一窩蜂搶進下,Mobile RAM已率先發(fā)難,出現(xiàn)供過于求警訊,日廠爾必達(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產(chǎn)能將轉(zhuǎn)回作PC DRAM,加上近日PC DRAM價格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn),DRAM廠12寸廠產(chǎn)能陷入苦尋不到避風港困境。 存儲器業(yè)者表示,PC市場成長趨緩是 DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷,而平板計算機崛起讓每臺系統(tǒng)DRAM
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
海力士半導體放緩NAND Flash工藝轉(zhuǎn)換速度
- 南韓半導體大廠海力士半導體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群,近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量,以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。 海力士相關(guān)人員表示,26納米制程NAND Flash比重至2011年3月底約為40%,6月已超越50%,月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品,成為海力士主力產(chǎn)品。 NAND Flash為非揮發(fā)性內(nèi)存芯片,即使中斷供電也能儲存信息,是智能型手機、平板計算機等行動裝
- 關(guān)鍵字: 海力士 NAND
終端需求疲軟 NAND Flash合約價大跌
- 第2季NAND Flash終端需求太差,新出爐合約報價大跌超過10%,內(nèi)存模塊廠表示,合計整個5月現(xiàn)貨報價跌幅達20%,合約價合計跌幅也超過15%,反映終端需求確實需要新刺激,目前市場是底部已臨,靜待反彈階段;展望第3季,市場認同威剛董事長陳立白的基調(diào),預期第3季仍會比第2季好一些,但市場不至于會有缺貨或價格飆漲的情況發(fā)生。
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND Flash
NAND FLASH在儲存測試系統(tǒng)中的應用
- 0 引言 計算機技術(shù)的高速發(fā)展,存儲系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲空間,到現(xiàn)在的T8;乃至不久的將來要達到的PB存儲空間,其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴展。隨之而來產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
- 關(guān)鍵字: FLASH NAND 儲存 測試系統(tǒng)
三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量
- 據(jù)了解,由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增,三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND Flash
3d-nand介紹
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