3d-nand 文章進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)

半導(dǎo)體事業(yè)關(guān)鍵時(shí)刻救了三星的面子與里子

　　三星電子(Samsung Electronics)日前發(fā)布2014年第4季暫定財(cái)報(bào)，營(yíng)收止跌回升為52兆韓元(約478.8億美元)，其中半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部貢獻(xiàn)達(dá)一半以上，可說(shuō)是最大功臣。　　據(jù)韓媒ChosunBiz報(bào)導(dǎo)，三星電子在1月8日發(fā)布2014年第4季暫定財(cái)報(bào)，業(yè)績(jī)終于跌回升，營(yíng)收為52兆韓元，營(yíng)業(yè)利益達(dá)5.2兆韓元。　　韓國(guó)KDB大宇證券推估，三星電子DS部門(mén)第4季貢獻(xiàn)營(yíng)業(yè)利益約2.9兆韓元，比IT暨移動(dòng)通訊(IM)事業(yè)部高出1兆韓元左右。第3季DS部門(mén)營(yíng)業(yè)利益(2
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Gartner：蓬勃的DRAM市場(chǎng)為內(nèi)存制造商帶來(lái)增長(zhǎng)

　　Gartner發(fā)布初步統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2014年全球半導(dǎo)體總營(yíng)收為3398億美元，與2013年的3150億美元相比增長(zhǎng)7.9%。前25大半導(dǎo)體廠商合并營(yíng)收增長(zhǎng)率為11.7%，優(yōu)于該產(chǎn)業(yè)整體表現(xiàn)。前25大廠商占整體市場(chǎng)營(yíng)收的72.1%，比2013年的69.7%更高。　　Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“就群體來(lái)看，DRAM廠商的表現(xiàn)勝過(guò)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)其他廠商。這股趨勢(shì)始于2013年DRAM市場(chǎng)因供給減少及價(jià)格回穩(wěn)雙重因素而蓬勃發(fā)展并持續(xù)至今，2014年?duì)I收也因而增長(zhǎng)31.
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PCB LAYOUT（4）：3D PCB

　　關(guān)于altium的3d模型，雖說(shuō)沒(méi)有什么大用，但也有點(diǎn)小用，先上兩副3D PCB圖，看起來(lái)挺直觀的吧。　　　　　　看起來(lái)還是比較直觀的，還可以生成.step文件，給我們的結(jié)構(gòu)工程師，這樣很容易看出是否與結(jié)構(gòu)干涉。那做這個(gè)3D模型難不難呢?其實(shí)非常簡(jiǎn)單。　　只要在自己原有的PCB庫(kù)中，添加一下3D模型就可以了，這樣原來(lái)PCB板上就會(huì)帶有3D模型，在2D視圖狀態(tài)下，按一下快捷鍵“3”就會(huì)切換到3D視圖狀態(tài)。　　關(guān)于如何添加3D封裝，百度上
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三星2015年內(nèi)量產(chǎn)48層V NAND　已著手研發(fā)64層產(chǎn)品

　　三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無(wú)法生產(chǎn)V NAND的競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者將技術(shù)差距拉大到2年以上，并在次世代存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)上維持獨(dú)大地位，計(jì)劃在2015年內(nèi)量產(chǎn)堆疊48層Cell的3D垂直結(jié)構(gòu)NAND Flash。　　據(jù)首爾經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，三星近來(lái)已完成48層結(jié)構(gòu)的V NAND研發(fā)，并著手研發(fā)后續(xù)產(chǎn)品64層結(jié)構(gòu)V NAND。48層V NAND將于2015年內(nèi)開(kāi)始量產(chǎn)。原本韓國(guó)業(yè)界推測(cè)三星會(huì)在2015年下半完成48層V NAND，并在2016年才投入量產(chǎn)，然三星大幅提前了生產(chǎn)日程。
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高交會(huì)上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向

　　全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會(huì)計(jì)年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長(zhǎng)25%以上，營(yíng)收較上季度成長(zhǎng)23.7%。　　東芝電子(中國(guó))有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會(huì)電子展上也透露，2014年?yáng)|芝在中國(guó)的閃存生意非常好，在高交會(huì)電子展上展示的存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動(dòng)向，也在引領(lǐng)未來(lái)閃存的發(fā)展趨勢(shì)。
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第七屆全國(guó)3D大賽暨3D大會(huì) 開(kāi)啟3D全產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)⒀?/a>

　　2014年12月8日，第七屆3D大賽暨3D大會(huì)在龍城常州圓滿落幕。來(lái)自全球3D及相關(guān)行業(yè)上中下游的數(shù)百名產(chǎn)學(xué)研精英、1000多家知名企業(yè)代表，全國(guó)800多所本科、職業(yè)類院校師生代表，100多家權(quán)威媒體人士，以及來(lái)自國(guó)內(nèi)外的30000多觀眾，用四天時(shí)間共同打造了一場(chǎng)3D全產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)⒀??！　〉谄邔萌珖?guó)3D大賽暨3D大會(huì)不僅是3D大賽總決賽，也是以“眾創(chuàng)、眾包、眾需?——?創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)、兩化融合、3D引領(lǐng)、應(yīng)用先行”為主題的3D上下游全產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)?huì)，大會(huì)以“關(guān)注3D!關(guān)注人才!關(guān)注應(yīng)用!關(guān)注創(chuàng)新

關(guān)鍵字： 3D 全產(chǎn)業(yè)鏈 201501

Spansion面向嵌入式市場(chǎng)推出新型工業(yè)級(jí)e.MMC NAND閃存產(chǎn)品

　　不久前，Spansion宣布面向嵌入式系統(tǒng)的全新工業(yè)級(jí)e.MMC產(chǎn)品系列。眾所周知，Spansion于2012年推出了立足嵌入式應(yīng)用的SLC NAND產(chǎn)品。至此，我們?yōu)镾LC NAND解決方案發(fā)展了一個(gè)強(qiáng)大的客戶群，而且我們還發(fā)現(xiàn)，這些客戶對(duì)嵌入式集中規(guī)模存儲(chǔ)解決方案的需求也越來(lái)越大。對(duì)于那些不僅僅是要購(gòu)買(mǎi)一款“現(xiàn)成”產(chǎn)品的嵌入式客戶而言，Spansion全新的e.MMC系列產(chǎn)品是一個(gè)完美的選擇。　　　　作為Spansion第一款管理型NAND產(chǎn)品系
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海力士前高層加入慧榮　SSD大戰(zhàn)鳴槍

　　固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱，持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn)，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導(dǎo)體大廠，使出渾身解數(shù)綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔(dān)任公司高層。　　慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器eMMC業(yè)務(wù)外，有機(jī)會(huì)延伸至SSD產(chǎn)品線上，2015年更是關(guān)鍵年，慧榮內(nèi)部極度重視SSD產(chǎn)品線，立下通吃NAND Flash大廠和存儲(chǔ)器模組兩大族群的目標(biāo)，看好公司營(yíng)運(yùn)
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NAND閃存將被RRAM顛覆？存儲(chǔ)器市場(chǎng)暗潮涌動(dòng)

　　NAND閃存已經(jīng)成為固態(tài)存儲(chǔ)的霸主，不過(guò)它也存在諸多問(wèn)題，尤其是壽命隨著工藝的先進(jìn)化而不斷縮短，TLC格式也引發(fā)了諸多質(zhì)疑，因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲(chǔ)技術(shù)勢(shì)在必行。　　從FRAM到相變式存儲(chǔ)器，新選手不斷涌現(xiàn)，但目前還未能挑戰(zhàn)NAND的地位。直到最近，名為電阻式RAM的新貴出現(xiàn)了，它最被看好，三星、閃迪等巨頭都在投入，不過(guò)，走在最前列的是一家美國(guó)創(chuàng)業(yè)公司Crossbar。　　RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢(shì)就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級(jí)別，Crossba
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DRAM樂(lè)觀 NAND有隱憂

　　記憶體市況今年將不同調(diào);動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)可望維持穩(wěn)定獲利，儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)市場(chǎng)則有隱憂。　　DRAM市場(chǎng)步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強(qiáng)鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。　　臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過(guò)1個(gè)股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺(tái)幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。　　NAND Flash市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)、變化相對(duì)激烈，且難以預(yù)料;去年下半
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東芝擴(kuò)充海外內(nèi)存芯片廠，會(huì)是中國(guó)嗎

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，東芝首席執(zhí)行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示，公司將在始于明年4月份的下一財(cái)年決定在何處新建一座內(nèi)存芯片工廠，并且在選擇建廠地址時(shí)會(huì)考慮海外地區(qū)。　　東芝在不到4個(gè)月前在四日市新開(kāi)了一座NAND閃存芯片加工廠，田中久雄在接受采訪時(shí)稱，需求超過(guò)了產(chǎn)能，公司必須擴(kuò)大產(chǎn)能。NAND閃存芯片主要被用于智能手機(jī)和其他電子產(chǎn)品。　　田中久雄稱：“三星已經(jīng)在中國(guó)西安市建廠，海力士也在中國(guó)建了一座生產(chǎn)廠。”當(dāng)被問(wèn)及中國(guó)是否會(huì)是海外建廠的最佳地區(qū)時(shí)，他補(bǔ)充說(shuō)
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基于iBeacon定位技術(shù)的智慧圖書(shū)館

　　摘要：本項(xiàng)目遵循物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)架構(gòu)，設(shè)計(jì)了智慧圖書(shū)館整體解決方案。它以iBeacon室內(nèi)定位、3D實(shí)境、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、SaaS等技術(shù)為基礎(chǔ)，實(shí)現(xiàn)了圖書(shū)館場(chǎng)景下的智能定位與導(dǎo)航服務(wù)、圖書(shū)館增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)位置服務(wù)、3D運(yùn)行監(jiān)管、角色個(gè)性化服務(wù)等功能。針對(duì)讀者，可以獲得圖書(shū)智能檢索、館內(nèi)定位與導(dǎo)航、消息推送、向工作人員求助等服務(wù);針對(duì)工作人員，使用Unity3D構(gòu)建圖書(shū)館場(chǎng)景，實(shí)時(shí)獲取圖書(shū)館內(nèi)讀者與館區(qū)信息，實(shí)現(xiàn)圖書(shū)館全境動(dòng)態(tài)監(jiān)管。　　引言　　近年來(lái)，隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)以及相關(guān)技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用普及，圖書(shū)館服務(wù)
關(guān)鍵字： iBeacon 物聯(lián)網(wǎng) 傳感網(wǎng) 3D 藍(lán)牙 RSSI 201501

中國(guó)“援軍”幫助東芝追趕三星

智能手機(jī)全球迅速普及、終端記憶體的大容量化、大數(shù)據(jù)時(shí)代到來(lái)等，都將大幅增加對(duì)NAND型記憶卡的需求。
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慧榮科技推出業(yè)界首款車(chē)載IVI級(jí)單封裝SSD解決方案

　　在設(shè)計(jì)及推廣用于固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其專為車(chē)載信息娛樂(lè)(IVI)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的汽車(chē)級(jí)PATA及SATA FerriSSD解決方案。　　FerriSSD解決方案旨在代替以往被廣泛應(yīng)用在車(chē)載IVI系統(tǒng)等嵌入式應(yīng)用中的SATA及PATA硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。由于集成了NAND閃存及慧榮科技業(yè)界領(lǐng)先的控制器并采用小尺寸BGA封裝，F(xiàn)erriSSD解決方案與傳統(tǒng)的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器相比不僅運(yùn)行速度更
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NAND閃存窮途末路下一代閃存技術(shù)百花齊放

　　由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤(pán)、MP3走向電腦、存儲(chǔ)陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機(jī)械硬盤(pán)有了較大幅度的提升，但縱觀整個(gè)計(jì)算架構(gòu)，閃存仍舊是計(jì)算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫(xiě)入壽命上都還不盡如人意，并且隨著工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來(lái)越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線已經(jīng)達(dá)到15nm的水平，存儲(chǔ)密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個(gè)巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。　　日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國(guó)際電子設(shè)備大會(huì))上就公布了其最新的可變電阻式存儲(chǔ)
關(guān)鍵字： NAND MLC TLC