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東芝芯片業(yè)務(wù)業(yè)績可能達不到預期

  •   全球第二大閃存制造商東芝公司(Toshiba Corp)周三警告說,由于PC市場不景氣,美國和歐洲等經(jīng)濟體持續(xù)動蕩以及日元強勢等原因,該公司芯片業(yè)務(wù)的利潤可能達不到預期。
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NAND Flash合約價續(xù)跌

  •   據(jù)韓國電子新聞報導,計算機用DRAM芯片價格快速下跌,NAND Flash合約價也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅,2個月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價2美元紀錄。下半年則因智能型手機(Smartphone)與平板計算機 (Tablet PC)新品陸續(xù)問世,可望帶動NAND Flash價格回升。
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存儲器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時代將再度來臨

  •   隨著存儲器容量越來越大,NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后,也開始遇到瓶頸,業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上,面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics),但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
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納米制程遇瓶頸 業(yè)者紛紛投入3D存儲器的開發(fā)

  •   隨著存儲器容量越來越大,NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后,也開始遇到瓶頸,業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上,面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics),但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。  
  • 關(guān)鍵字: 爾必達  NAND  

今年游戲主機NAND flash內(nèi)存密度提高40%

  •   內(nèi)存的成本高昂,今年 NAND 在家庭主機和手持設(shè)備上的密集度仍將提高 40% 以上,而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。   今年家用游戲主機的 NAND 平均密度預計達 923MB,較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設(shè)備的 NAND 平均密度則預計自去年的 87MB 增長 41.4%,達 123MB。   
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LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護技術(shù)

  •   LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù),用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存,能夠在電源發(fā)生故障的時候自動將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到閃存中,從而為存儲在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強大的保護。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩,并可節(jié)約相關(guān)的硬件維護成本,從而實現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護解決方案。
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2011年NAND閃存密度將增長40%以上

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報告,盡管NAND閃存成本較高妨礙其進入游戲硬件,但2011年家庭游戲機與手持游戲機中的NAND密度將增長40%以上。   
  • 關(guān)鍵字: 索尼  NAND  

三星電子韓國新NAND廠預計9月投產(chǎn)

  •   三星電子一家新的存儲半導體制造廠將于9月投入運營。消息人士說,新廠編號為“Line-16”,主要生產(chǎn)NAND芯片。   2010年5月時,三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動工,建立新的工廠。此前三星曾透露說,Line-16工廠月產(chǎn)20萬片12寸圓晶。
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東芝和SanDisk日本建第3個NAND半導體工廠

  •   日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導體工廠,以應(yīng)對智能手機和平板電腦的快速發(fā)展而帶來的對閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產(chǎn)300毫米晶片NAND半導體,工廠名稱為“Fab 5”。
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東芝與Sandisk共慶NAND閃存工廠Fab5正式投產(chǎn)

  •   東芝株式會社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。
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基于FPGA的NAND Flash ECC校驗

  • 摘要 基于Flash存儲器的Hamming編碼原理,在Altera QuartusⅡ7.0開發(fā)環(huán)境下,實現(xiàn)ECC校驗功能。測試結(jié)果表明,該程序可實現(xiàn)每256 Byte數(shù)據(jù)生成3 Byte的ECC校驗數(shù)據(jù),能夠檢測出1 bit錯誤和2 bit錯誤,對于1 bit錯誤
  • 關(guān)鍵字: Flash  FPGA  NAND  ECC    

蘋果三星風波引發(fā)四大半導體廠商主演四角戀大戲

  •   最近舉辦的Semicon West2011半導體業(yè)界大會上,三星與蘋果之間的知識產(chǎn)權(quán)爭端事件顯然會是一個有趣的話題。目前,三星正準備于8月份開始量產(chǎn)蘋果手機/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費36億美元對奧斯汀芯片廠進行了升級,使其產(chǎn)能能夠在NAND或邏輯芯片產(chǎn)品之間自由切換,不過三星顯然希望能夠在保住蘋果 芯片訂單的前提下繼續(xù)拓展自己的代工業(yè)務(wù)。
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東芝縮小與三星在NAND閃存差距

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,東芝在2011年第一季度NAND閃存市場大有要超過三星之兆,這兩家廠商的市場份額差距從2010年第四季度的1.1個百分點縮小到只有0.3個百分點。長期以來,三星一直是最大的NAND閃存廠商?! ?/li>
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第一季度NAND閃存領(lǐng)域競爭加劇

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,2011年第一季度NAND閃存領(lǐng)域爭奪頭號排名的競爭加劇,排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長期以來,三星一直是最大的NAND閃存廠商。 
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Q2平板出貨恐拖累NAND Flash價格走勢

  •   根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示,截自六月十六日6:00pm為止,由于大部分買方與賣方就六月上旬NAND Flash合約價格的談判尚未告一段落,因此六月份NAND Flash合約價將等到各家廠商價格談定后DRAMeXchange才會公布。
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