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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d-nand

2011年NAND閃存銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)增長

  • 　　據(jù)iSuppli公司，作為多種消費電子產(chǎn)品的事實性存儲媒介，NAND閃存2011年將再度實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。 　　2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀錄，增長38%。預計今年銷售額將達到220億美元，比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大，預計2011年增長72%，達到193億GB。 　
  • 關鍵字： 三星電子  NAND  

英特爾亞太NAND Flash操盤手離職引發(fā)業(yè)者嘩然

  • 　　英特爾(Intel)跨足NAND Flash產(chǎn)業(yè)邁入第5年，但近期在策略上有諸多調整，引發(fā)存儲器業(yè)界高度關注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn)，卻不見英特爾投資身影，近期英特爾在亞太區(qū)NAND Flash操盤手、亦是嵌入式產(chǎn)品事業(yè)群暨微型移動裝置事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)陳武宏閃電離職，更引發(fā)存儲器業(yè)者一陣嘩然，目前該職務由英特爾亞太區(qū)技術營銷服務事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)黃逸松暫代，而相關模塊廠對此表示，雙方合作關系不會受影響。 　　
  • 關鍵字： 英特爾  NAND  

平板計算機起飛帶動NAND Flash需求

  • 　　集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，在Android可望逐漸成熟，市場接受度提高，預期2011年平板計算機出貨量由今年的1500萬臺大增至5000萬臺的規(guī)模，可說是平板計算機起飛年，將帶動內(nèi)建式NAND Flash應用，預估2011年平板計算機占整體NAND Flash的消耗量比重將從今年的5%提升至10%以上。 　　
  • 關鍵字： 平板計算機  NAND  

NAND芯片漲價15% 或引iPad漲價

  • 　　亞洲最大半導體交易市場Dramexchange分析師西恩·楊15號(周三)表示，東芝旗下一家芯片工廠突發(fā)短時電力故障，以致NAND芯片出現(xiàn)停產(chǎn)。該分析師還表示，到2011年1月中旬之前，包括iPad在內(nèi)等多款產(chǎn)品均在使用的這款NAND閃存芯片價格或將上漲15%。 　　
  • 關鍵字： NAND  iPad  

Gartner下調2011年度半導體設備市場預測

  • 　　根據(jù)Gartner發(fā)布的報告，該公司下調對于明(2011)年度半導體設備市場的預測;原先該公司預期將成長4.9%，現(xiàn)在預期將縮減1%。另外，Gartner原先預估今年成長113%，現(xiàn)在估計可達131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出，今年產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了有史以來最強勁的成長，不過2011年度的市場將比較疲軟，屆時設備采購主要的重點將在于產(chǎn)能的擴充而不是在技術設備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬，NAND將是記憶體領域中資本投資最多者。
  • 關鍵字： 半導體設備  NAND  

2011年半導體市場回歸正常軌道

  • 　　2010年全球半導體市場成長幅度超過30%，這是在歷經(jīng)過去幾年全球不景氣之后，經(jīng)濟復蘇所展現(xiàn)出的成果。而據(jù)Semico預測，2011年全球半導體銷售額年成長幅度大約小于10%。乍看之下，這比2010年成長率要低得多，它代表壞消息嗎?事實上，這個溫和的成長數(shù)據(jù)代表著半導體市場正在回歸正常軌道。 　　
  • 關鍵字： 東芝  半導體  NAND  

美光新加坡廠明年投產(chǎn)

  • 　　美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產(chǎn)，對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴產(chǎn)計畫，美光表示不擔心供過于求，在產(chǎn)能增加的同時，平板計算機等應用也大幅崛起，預計2011年NAND Flash市場供需可維持健康的狀態(tài)。 　　
  • 關鍵字： 美光  NAND  

臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局

  • 　　臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NAND Flash技術在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術，近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術架構下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器，計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入，首波會先洽談臺系存儲器廠，目標5~10年內(nèi)將此技術導入量產(chǎn)，讓臺灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。
  • 關鍵字： NAND  9納米  

東芝停電事故或將引領NAND閃存漲價

  • 　　亞洲最大的半導體交易市場Dramexchange分析師周三表示，由于東芝一家芯片工廠因短時電力故障而停產(chǎn)的影響，到2011年1月中旬之前，NAND閃存芯片的價格可能會上漲15%。 　　
  • 關鍵字： 東芝  NAND  

東芝日本廠跳電 受影響產(chǎn)能恐達20%

  • 　　華爾街日報(WSJ)報導，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產(chǎn)能，普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。 　　東芝表示，這次的跳電事件可能影響未來2個月的產(chǎn)能，減少20%的產(chǎn)出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產(chǎn)，總產(chǎn)出約占市場產(chǎn)能的3分之1，出貨量僅次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。 　　接下來幾個月，全球的快閃存儲器市場的供
  • 關鍵字： 東芝  NAND  

半導體存儲器廠商恢復大型設備投資

  • 　　2010年在半導體存儲器業(yè)界，各廠商紛紛恢復了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結狀態(tài)的大型設備投資。由此，市場上的份額競爭再次變得激烈起來。 2008～2009年導致各廠商收益惡化的價格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而，進入2010年下半年后，以DRAM為中心、價格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進入殘酷的實力消耗戰(zhàn)。技術方面，微細化競爭愈演愈烈，以突破現(xiàn)有存儲器極限為目標的新存儲器的開發(fā)也越來越活躍。 　　
  • 關鍵字： 存儲器  NAND  

應用材料預估半導體設備市場將保持5%的成長率

  • 　　針對2011年半導體資本支出的趨勢，設備大廠應用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產(chǎn)業(yè)，晶圓代工也仍然相當強勁，預估整體半導體設備市場將有持平至5%的成長幅度。 　　
  • 關鍵字： 應用材料  NAND  

預計明年NAND閃存銷售量漲價跌

  • 　　集邦科技發(fā)布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。 　　集邦科技稱，新款智能機、平板機的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節(jié)性銷售因素影響。到二季度時，閃存市場的供需就會更加平衡，價格下降幅度不會太大。 　　
  • 關鍵字： NAND  20nm  

全球IC市場喜憂參半

  • 　　根據(jù)VLSIResearch發(fā)布的報告，該公司預測2010年度全球IC市場將成長32%，2011年度將成長8%;2010年度設備市場將成長103%，2011年度將成長10.6%。該公司認為目前的全球IC市場呈現(xiàn)出一些正面與負面的跡象;　
  • 關鍵字： IC  NAND  
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