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Intel鎂光宣布開始量產(chǎn)銷售25nm制程NAND閃存芯片
- 繼今年二月份宣布成功試制出25nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品之后,Intel與鎂光的合資公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布開始正式對外銷售量產(chǎn)的25nm制程NAND閃存芯片,這種新制程的芯片產(chǎn)品容量將比34nm制程產(chǎn)品提升一倍。 這次采用25nm制程技術(shù)制作的NAND閃存芯片產(chǎn)品主要是8GB容量的芯片產(chǎn)品,這種8GB芯片的面積僅為167平方毫米,其容量可容納2000首歌曲,7000張照片或8小時時長的視頻片段。 目前還不清楚首款配置這
- 關鍵字: Intel 25nm NAND
三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關
- 2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中,仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭,根據(jù)集邦統(tǒng)計,三星的市占率高達39.2%,東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后,第1季位元成長率較上季增加15%,但平均單價(ASP)小跌5%,全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元,較上季39.1億元成長11.6%。 NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈,但2010年表現(xiàn)空間不多,在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
- 關鍵字: Samsung NAND DRAM
美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議,美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。 完成收購恒憶后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營收約5.50億美元,自由現(xiàn)金流量達4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
- 關鍵字: 美光 DRAM NAND NOR
三星電子全球率先批量生產(chǎn)20納米制程NAND閃存
- 據(jù)外電報道,三星電子表示,該公司從上周末開始批量生產(chǎn)20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。 20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產(chǎn)性,比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導體行業(yè)率先投入到了量產(chǎn)。 三星電子相關負責人表示,公司同時開發(fā)20納米制程32GB多層單元專用controller,確保了與30納米級NAND閃存相同的穩(wěn)定性。 三星電子的20納米制程NAND閃存將先用于手機存儲卡SD卡。 此外,今年2月公布開發(fā)20納米制程64GB NAND閃存
- 關鍵字: 三星電子 20納米 NAND
三星第一季營業(yè)利潤38億美元同比猛增7倍
- 據(jù)國外媒體報道,三星電子今天發(fā)布的財報顯示,受益于PC需求增加以及電視價格上漲,該公司第一季度營業(yè)利潤同比猛增7倍。 利潤增長 三星的初步財報顯示,該公司第一季度營業(yè)利潤約為4.3萬億韓元(約合38億美元),上下浮動區(qū)間為2000億韓元,去年同期調(diào)整后營業(yè)利潤僅為 5900億韓元。根據(jù)彭博社的調(diào)查,15名分析師此前對三星營業(yè)利潤的中位數(shù)預期為4.27萬億韓元。 外界預計,受到存儲芯片以及平板顯示器價格上漲的刺激,三星第一季度將創(chuàng)下今年最好業(yè)績。受此影響,三星股價周一創(chuàng)下歷史新高。分析
- 關鍵字: 三星電子 NAND 存儲芯片
嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應用
- 嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應用,當前各類嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設計中,存儲模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Nor-flash存儲器的容量較小、寫入速度較慢,但因其隨機讀取速度快,因此在嵌入式系統(tǒng)中,常應用在程
- 關鍵字: 應用 原理 Nand-Flash 系統(tǒng) 嵌入式
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