3d-nand 文章 進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)
iPhone 6推升智能手機(jī)NAND搭載容量
- TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調(diào)查報(bào)告顯示,蘋果(Apple) 9月份推出大螢?zāi)怀叽绲?iPhone 6 / 6 Plus在全球熱銷,帶動 2014全年 iPhone 銷售量提升至1.88支,年成長率高達(dá)22%,成功扭轉(zhuǎn)過去一年來iPhone趨緩的銷售動能,重新站穩(wěn)高階智慧型手機(jī)領(lǐng)導(dǎo)廠商的地位;值得注意的是,蘋果這次的改變除了將螢?zāi)怀叽鐝囊恢眻?jiān)守的4寸,向上突破至4.7與5.5寸,在儲存容量與價(jià)格上也開始展現(xiàn)更積極的策略。 DRAMeXchange
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新蘋效應(yīng) NAND下月涌急單
- 儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯(lián) (8299)董事長潘健成表示,智慧手機(jī)市場本季需求不振,主要是受到市場上迷漫觀望氣氛影響,直到蘋果公布iPhone 6系列產(chǎn)品規(guī)格之后,其它手機(jī)品牌廠出現(xiàn)搶零組件熱潮。 他說,10月的急單火紅,第4季零組件拉貨力道優(yōu)于本季。 潘健成表示,先前消費(fèi)者期待iPhone 6上市,導(dǎo)致iPhone 5系列產(chǎn)品,自今年3月起就銷售不佳;其它品牌的Android系統(tǒng)也在第2季出現(xiàn)清庫存的情況,上游供應(yīng)商不敢備貨、通路商也不愿意拉貨囤積庫存
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中芯國際進(jìn)軍閃存,自主研發(fā)38nm NAND來了

- 雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺積電、UMC臺聯(lián)電等代工巨頭,不過中芯國際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯,28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了,還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單,現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存,而且是中芯國際自主研發(fā)的技術(shù)。 NAND閃存的重要性不必說,目前SSD固態(tài)硬盤以及消費(fèi)電子上所用的存儲器多數(shù)都是基于NAND閃存,目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
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匯聚中國移動行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)廠商 第二屆閃迪年度客戶研討會圓滿舉行
- 全球領(lǐng)先的閃存存儲解決方案供應(yīng)商閃迪公司今日宣布,來自移動設(shè)備、平板電腦和消費(fèi)類電子產(chǎn)品行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的300多位領(lǐng)導(dǎo)廠商本周齊聚中國深圳,參加閃迪舉辦的第二屆年度“Future Proof Storage”研討會。本次活動于8月26日舉行,囊括了中國及世界各地極具影響力的領(lǐng)先移動科技公司(包括幾乎所有領(lǐng)先芯片組供應(yīng)商的代表),共同探討塑造移動互聯(lián)市場的新技術(shù)、新應(yīng)用、新趨勢和閃存技術(shù)演進(jìn)。Future Proof Storage 研討會邀請了移動行業(yè)中的十幾位領(lǐng)導(dǎo)者擔(dān)任演講嘉賓
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矽穿孔技術(shù)襄助 3D IC提高成本效益
- 應(yīng)用直通矽晶穿孔(TSV)技術(shù)的三維積體電路(3DIC)為半導(dǎo)體業(yè)界提供全新境界的效率、功耗、效能及體積優(yōu)勢。然而,若要讓3DIC成為主流,還必須執(zhí)行許多基礎(chǔ)的工作。電子設(shè)計(jì)自動化(EDA)業(yè)者提供周延的解決方案支援3DIC革命,包括類比與數(shù)位設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)、封裝與印刷電路板(PCB)設(shè)計(jì)工具。半導(dǎo)體廠可以運(yùn)用這個解決方案,滿足高效率設(shè)計(jì)應(yīng)用TSV技術(shù)的3DIC的所有需求。 隨著更高密度、更大頻寬與更低功耗的需求日益增加,許多IC團(tuán)隊(duì)都在期待應(yīng)用TSV技術(shù)的3DIC。3DIC以更小的體積容納豐富的
- 關(guān)鍵字: 矽穿孔 3D
終端需求多元化帶動NAND Flash市場穩(wěn)健增長
- TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,由于智能手機(jī)、平板電腦等移動裝置需求穩(wěn)健增長,固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加,而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash,2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元,年增長9%。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?014年NANDFlash需求位增長率為36%,在更多元化的產(chǎn)品開始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下,2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 穿戴性裝置
三星、東芝競擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash報(bào)價(jià)恐跌三成
- 全球NANDFlash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求,預(yù)估NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。 市調(diào)機(jī)構(gòu)IHSiSuppli最新報(bào)告預(yù)測,NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將跌至0.49美元每GB,遠(yuǎn)低于去年的0.71美元,預(yù)估2018年將進(jìn)一步跌至0.14美元,其間年復(fù)合成長率為負(fù)的28%。 NANDFlash產(chǎn)出過多是導(dǎo)致價(jià)格崩跌的主因,若以1GB等量單位計(jì)算,IHSiSuppl估計(jì),2018年NANDFlash產(chǎn)出將自2013年的
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND
傾角傳感器在人體姿態(tài)圖儀中應(yīng)用
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: SCA61T-FAHH1G 3D-MEMS 溫度補(bǔ)償 VTITechnologies公司
手機(jī)“全息影像”是怎么實(shí)現(xiàn)的?
- 最近一款“全球首款全息手機(jī)”上市,那么究竟什么是全息功能、在手機(jī)上又是如何實(shí)現(xiàn)的? 首先,讓我們先來了解一下傳統(tǒng)意義上的“全息”概念。通常來說,“全息顯示”泛指全息投影技術(shù),由英國匈牙利裔物理學(xué)家丹尼斯·蓋伯在1947年發(fā)明,并在1971年獲得諾貝爾物理學(xué)獎。一開始,全息投影僅應(yīng)用在電子顯微技術(shù)中,直至1960年激光技術(shù)被發(fā)明出來之后才取得了實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。 在這里,我們不討論全息投影復(fù)雜的技術(shù)原理,
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安徽芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)劃 3年內(nèi)產(chǎn)值突破300億
- 記者昨日從省經(jīng)信委舉行的新聞發(fā)布會上獲悉,我拾芯片”產(chǎn)業(yè)有了新規(guī)劃,預(yù)計(jì)到2020年,20%的顯示面板、家電、汽車電子產(chǎn)品將有“本土芯”。 變頻空調(diào)運(yùn)行、液晶顯示、汽車行駛……這些產(chǎn)品的運(yùn)行都離不開它們的“心”—集成電路。為了進(jìn)一步扶持集成電路產(chǎn)業(yè),《安徽省人民政府辦公廳關(guān)于加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的意見》近日發(fā)布,從多方面明確了我省集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展目標(biāo):到2017年產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值突破300億元,2
- 關(guān)鍵字: 芯片 3D
應(yīng)用材料公司推出面向3D芯片結(jié)構(gòu)的先進(jìn)離子注入系統(tǒng)

- 應(yīng)用材料公司今天宣布全新推出Applied Varian VIISta® 900 3D系統(tǒng)。作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的中電流離子注入設(shè)備,該系統(tǒng)專為2x納米以下節(jié)點(diǎn)的FinFET和3D NAND制程而開發(fā),具有超凡的控制能力,可以幫助高性能、高密度的復(fù)雜3D器件實(shí)現(xiàn)器件性能優(yōu)化,降低可變性,提高良率,是應(yīng)用材料公司在精密材料工程領(lǐng)域的又一重大突破。 VIISta 900 3D系統(tǒng)能有效提高離子束角度精度和束線形狀準(zhǔn)確度,并且還能夠出色的控制離子劑量和均勻性,從而幫助客戶實(shí)現(xiàn)制程的可重復(fù)性,優(yōu)化器件性
- 關(guān)鍵字: VIISta 900 3D 2x納米 FinFET
3d-nand介紹
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