首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 3d-nand

用于SD卡的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)

  •   O 引言  Flash是一種非易失存儲(chǔ)器,它在掉電條件下仍然能夠長(zhǎng)期保持?jǐn)?shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點(diǎn),近幾年在U盤(pán)、SD卡、SSD硬盤(pán)等各種移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。本文給出了
  • 關(guān)鍵字: 芯片  設(shè)計(jì)  控制  flash  SD  NAND  用于  

未來(lái)幾年NAND閃存將面臨過(guò)剩隱憂

  •   據(jù)iSuppli公司,由于智能手機(jī)以及平板電腦的使用量增加,2010年全球NAND閃存營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到最高紀(jì)錄。   預(yù)計(jì)2010年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到187億美元,比去年的135億美元?jiǎng)旁?8%,部分利益于智能手機(jī)和蘋(píng)果iPad等消費(fèi)電子產(chǎn)品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長(zhǎng),2011年NAND閃存市場(chǎng)將繼續(xù)增長(zhǎng),盡管不及今年強(qiáng)勁。iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示,預(yù)計(jì)明年NAND閃存市場(chǎng)上升25%至225億美元。   
  • 關(guān)鍵字: NAND  智能手機(jī)  

2011年全球DRAM經(jīng)營(yíng)慘淡

  •   2010年對(duì)于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言,可說(shuō)是值得紀(jì)念的一年,拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示,2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年成長(zhǎng)率將高達(dá)30%,創(chuàng)下10年以來(lái)新高紀(jì)錄。然而,受到PC產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)趨緩影響,2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅將成長(zhǎng)5%,移動(dòng)通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的重要?jiǎng)幽堋nA(yù)估2011年移動(dòng)通訊用產(chǎn)品占總體半導(dǎo)體比重將從2010年的26%提升至30%,Mobile DRAM和NAND Flash的重要性,也將隨著智能手機(jī)等移動(dòng)通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。   
  • 關(guān)鍵字: SAMSUNG  DRAM  NAND  

NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì)

  • NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì),摘要:主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)方案,詳細(xì)闡述了壞塊映射表的建立、維護(hù)及其相關(guān)算法,同時(shí)分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應(yīng)用。測(cè)試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
  • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  管理  Flash  NAND  

NAND Flash管理算法的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)

  • 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)方法,文中集中研究了其中的軟件部分,探討了管理flash物理塊的算法,提出了塊級(jí)和頁(yè)級(jí)兩級(jí)地址映射機(jī)制以及映射信息在flash的存儲(chǔ)定義,同時(shí)還提出了對(duì)flash的分區(qū)方法。
  • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  實(shí)現(xiàn)  算法  管理  Flash  NAND  

DRAM市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下跌

  •   隨著DRAM和NANDFlash市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)崩跌,不僅上游DRAM廠營(yíng)收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況,下游存儲(chǔ)器模塊廠亦受到牽累,10月?tīng)I(yíng)收亦持續(xù)下滑,其中,威剛10月?tīng)I(yíng)收較9月減少達(dá)17.1%。威剛表示,預(yù)期11月?tīng)I(yíng)收將因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)景氣進(jìn)入淡季,而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況,公司因應(yīng)策略是致力降低庫(kù)存水位,將庫(kù)存維持在約3~4周水平。   
  • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

DRAM市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下跌

  •   隨著DRAM和NANDFlash市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)崩跌,不僅上游DRAM廠營(yíng)收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況,下游存儲(chǔ)器模塊廠亦受到牽累,10月?tīng)I(yíng)收亦持續(xù)下滑,其中,威剛10月?tīng)I(yíng)收較9月減少達(dá)17.1%。威剛表示,預(yù)期11月?tīng)I(yíng)收將因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)景氣進(jìn)入淡季,而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況,公司因應(yīng)策略是致力降低庫(kù)存水位,將庫(kù)存維持在約3~4周水平。   
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  NAND  

3C大廠合力推動(dòng)UFS實(shí)現(xiàn)NAND應(yīng)用接口標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一

  •   集邦科技旗下研究機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 指出,JEDEC Task group 中的一些主要成員如:三星 (Samsung)、諾基亞(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州儀器(TI)、意法半導(dǎo)體(ST)等國(guó)際大廠,近期正在積極推動(dòng)新的 NAND Flash 應(yīng)用接口標(biāo)準(zhǔn) UFS (universal Flash storage)的規(guī)格制定事宜。  
  • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  UFS  

三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

  •   三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠,決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo),三星預(yù)計(jì)于2011年初完工的半導(dǎo)體華城廠16產(chǎn)線,將于2011年下半開(kāi)始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。   
  • 關(guān)鍵字: 三星半導(dǎo)體  NAND  

固態(tài)硬盤(pán)備受關(guān)注

  •   DRAMeXchange 最新發(fā)表的研究報(bào)告指出,固態(tài)硬盤(pán)(SSD)一直以來(lái)為各家 NAND Flash 廠商所寄予厚望的產(chǎn)品,主要是固態(tài)硬盤(pán)對(duì)于 NAND Flash 的使用量來(lái)說(shuō)是一般內(nèi)建式應(yīng)用產(chǎn)品、U盤(pán)與記憶卡的數(shù)倍之多,因此對(duì)于固態(tài)硬盤(pán)對(duì)于NAND Flash消耗量來(lái)說(shuō)有很大的幫助。   
  • 關(guān)鍵字: 固態(tài)硬盤(pán)  NAND  

固態(tài)硬盤(pán)備受NAND Flash廠商親賴

  •   固態(tài)硬盤(pán)一直以來(lái)為各家NAND Flash廠商所寄予厚望的產(chǎn)品,主要是固態(tài)硬盤(pán)對(duì)于NAND Flash的使用量來(lái)說(shuō)是一般內(nèi)建式應(yīng)用產(chǎn)品、隨身碟與記憶卡的數(shù)倍之多,因此對(duì)于固態(tài)硬盤(pán)對(duì)于NAND Flash消耗量來(lái)說(shuō)有很大的幫助。而從消費(fèi)者的論點(diǎn)來(lái)看,固態(tài)硬盤(pán)的傳輸速度為傳統(tǒng)硬盤(pán)的兩倍以上,同時(shí)也兼具了省電與抗震動(dòng)的特點(diǎn),因此,DRAMeXchange認(rèn)為,在未來(lái)高畫(huà)質(zhì)影音與大容量檔案?jìng)鬏數(shù)男枨髮⒋蠓嵘拢瑢?duì)于固態(tài)硬盤(pán)的需求若能在價(jià)格有效下降至可接受的范圍將會(huì)開(kāi)始提升。   
  • 關(guān)鍵字: 固態(tài)硬盤(pán)  NAND  

美光 NAND 產(chǎn)品獲 HLDS 全球首款具有板載儲(chǔ)存的混合光驅(qū)采用

  •   美光科技 (Micron Technology Inc.) 宣布,美光獲獎(jiǎng)的25nm NAND 已獲日立LG數(shù)據(jù)儲(chǔ)存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡(jiǎn)稱 HLDS) 采用作為其新型混合光驅(qū) (ODD) 的閃存解決方案。此款采用美光 25nm NAND 技術(shù)的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量?jī)?chǔ)存和可修改功能,是針對(duì)個(gè)人計(jì)算機(jī)、DVD 播放器和藍(lán)光產(chǎn)品的綜合解決方案。   美光的 25nm NAND 處理技術(shù)提供單一設(shè)備中8GB 儲(chǔ)存容量,滿足新應(yīng)用
  • 關(guān)鍵字: 美光  NAND  

Spansion能否卷土重來(lái)

  •   高調(diào)宣布走出破產(chǎn)保護(hù)陰影的Spansion公司日前公布了其2010財(cái)年第二季度財(cái)報(bào),公司非GAAP調(diào)整后凈收入已經(jīng)從2009年同期的2240萬(wàn)美元上升至2740萬(wàn)美元;GAAP凈收入為3.418億美元,與2010 Q1財(cái)季相比,仍繼續(xù)保持著穩(wěn)定的財(cái)務(wù)態(tài)勢(shì)。Spansion是否能夠卷土重來(lái)?業(yè)界一直存在頗多爭(zhēng)議之聲。日前,該公司企業(yè)營(yíng)銷總監(jiān)John Nation就公司發(fā)展策略、核心業(yè)務(wù)、技術(shù)趨勢(shì)等話題接受了專訪。  
  • 關(guān)鍵字: Spansion  NAND  

三星、東芝制程競(jìng)賽不止

  •   NAND Flash大廠三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)制程競(jìng)賽拼得火熱,在產(chǎn)出持續(xù)大幅增加下,10月上旬NAND Flash合約價(jià)再度下探,尤其是高容量64Gb芯片下修幅度高達(dá)5~7%,低容量芯片價(jià)格則是幾乎持平,市場(chǎng)預(yù)期日前平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī) (Smart Phone)都內(nèi)建高容量的NAND Flash存儲(chǔ)器,在年底圣誕節(jié)最后一波促銷熱潮之下,有機(jī)會(huì)提升NAND Flash市場(chǎng)的需求,彌補(bǔ)2010年快閃記憶卡和隨身碟都賣相不佳的缺憾。  
  • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

三星啟動(dòng)64GB 3位元20納米NAND閃存批產(chǎn)

  •   就在啟動(dòng)32GB 20nm閃存生產(chǎn)線四個(gè)月后,三星確認(rèn)目前已經(jīng)啟動(dòng)64GB,3位元20納米NAND閃存的批量生產(chǎn)。   
  • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  20納米  
共1113條 50/75 |‹ « 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 » ›|

3d-nand介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3d-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d-nand的理解,并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473