65納米文章進(jìn)入65納米技術(shù)社區(qū)

任重而道遠(yuǎn)：中芯國(guó)際將力爭(zhēng)在今年實(shí)現(xiàn)45納米小批量試產(chǎn)

　　據(jù)中芯國(guó)際集成電路制造有限公司資深研發(fā)副總季明華撰文披露，2010年，中芯國(guó)際將加強(qiáng)65納米的嵌入式工藝平臺(tái)和32納米關(guān)鍵模塊的研發(fā);同時(shí)力爭(zhēng)實(shí) 現(xiàn)45納米和40納米技術(shù)的小批量試產(chǎn)。　　在第四屆(2009年度)中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)評(píng)選中，中芯國(guó)際有兩項(xiàng)技術(shù)獲獎(jiǎng)，其一是 “65納米邏輯集成電路制造工藝技術(shù)”，其二是“0.11微米CMOS圖像傳感器工藝技術(shù)”。　　據(jù)介紹，目前，中芯國(guó)際已經(jīng)完成了65納米CMOS技術(shù)的認(rèn)證，并于2009年第三季度
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泰景信息科技推出第三代模擬移動(dòng)電視接收芯片

　　日前，移動(dòng)電視接收芯片提供商泰景信息科技宣布，該公司研發(fā)出的第三代模擬移動(dòng)電視接收CMOS單芯片TLG1121 是泰景第一款基于65納米工藝的產(chǎn)品，較其上一代產(chǎn)品功耗更低、體積更小。憑借該款產(chǎn)品，泰景信息科技將繼續(xù)把創(chuàng)新和領(lǐng)先技術(shù)源源不斷地注入移動(dòng)電視市場(chǎng)。　　泰景信息科技總裁兼首席執(zhí)行官盛偉表示：“在鞏固畫面和移動(dòng)性能的同時(shí)，泰景信息科技的第三代模擬移動(dòng)電視技術(shù)實(shí)現(xiàn)了體積及功耗方面的技術(shù)突破。TLG1121將賦予下一代移動(dòng)電視設(shè)備更長(zhǎng)的播放時(shí)間和更多的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，能夠滿足消費(fèi)者在靜止和
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英特爾大連廠十月投產(chǎn) 65納米工藝生產(chǎn)芯片組

　　英特爾近日宣布，其大連芯片廠將在2010年10月份如期投產(chǎn)。大連芯片廠將采用65納米工藝生產(chǎn)300毫米芯片組。　　2007年3月，英特爾宣布投資25億美元在大連建立一個(gè)生產(chǎn)300毫米的晶圓廠。　　當(dāng)時(shí)，英特爾總裁兼CEO保羅·歐德寧表示，“英特爾大連廠是英特爾15年來第一次在全新的地點(diǎn)興建晶圓廠。在根植中國(guó)的22年中，英特爾在封裝測(cè)試和研發(fā)等領(lǐng)域在中國(guó)的投資已經(jīng)累計(jì)超過13億美元。此次新投資將使我們?cè)谥袊?guó)的投資總額達(dá)到了40億美元，從而使英特爾稱為中國(guó)投資額最大的跨國(guó)
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晶圓雙雄再掀12寸廠投資潮　業(yè)界擔(dān)憂恐造成產(chǎn)能過剩

　　繼臺(tái)積電提高2010年資本支出達(dá)48億美元，晶圓專工大廠聯(lián)電3日亦宣布，提高2010年資本支出達(dá)12億~15億美元，其中約有94%將用于擴(kuò)充12寸先進(jìn)制程產(chǎn)能。聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示，聯(lián)電65納米成長(zhǎng)會(huì)非常迅速，45/40納米世代占營(yíng)收比重將增加，同時(shí)良率已很穩(wěn)健。值得注意的是，臺(tái)積電、聯(lián)電紛上看2010年晶圓代工產(chǎn)業(yè)將成長(zhǎng)3成，樂觀預(yù)期公司可望同步跟著成長(zhǎng)，并加碼資本支出，透露在兩大龍頭廠帶領(lǐng)下，將再度掀起12寸廠投資熱潮。　　孫世偉表示，對(duì)于2010年展望非常樂觀，預(yù)估半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可望成長(zhǎng)13~1
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晶圓代工廠：擴(kuò)大資本支出積極擴(kuò)充產(chǎn)能

　　市場(chǎng)對(duì)65納米、40納米先進(jìn)制程技術(shù)的需求不斷看漲，全球前三大晶圓代工廠臺(tái)積電、聯(lián)電、特許紛紛在2010年擴(kuò)大資本支出，并在第一季度同步擴(kuò)充產(chǎn)能。　　三大代工積極擴(kuò)充產(chǎn)能　　臺(tái)積電2009年向設(shè)備商訂購(gòu)的機(jī)器總額已超過30億美元，預(yù)計(jì)臺(tái)積電2010年資本支出最高將達(dá)40億美元，創(chuàng)5年來最高。事實(shí)上，臺(tái)積電2009年曾三度調(diào)高資本支出，從年初的13億美元一路調(diào)高到27億美元，調(diào)幅超過一倍。臺(tái)積電還將擴(kuò)大新竹12英寸廠第五期、南科12英寸廠第三期產(chǎn)能，擴(kuò)充后月產(chǎn)
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晶圓代工廠：擴(kuò)大先進(jìn)制程資本支出

　　隨著市場(chǎng)對(duì)65納米、40納米先進(jìn)制程技術(shù)的需求不斷看漲，全球前三大晶圓代工廠臺(tái)積電、聯(lián)電、特許紛紛在2010年擴(kuò)大資本支出，并在第一季度同步擴(kuò)充產(chǎn)能。　　三大代工積極擴(kuò)充產(chǎn)能　　臺(tái)積電2009年向設(shè)備商訂購(gòu)的機(jī)器總額已超過30億美元，預(yù)計(jì)臺(tái)積電2010年資本支出最高將達(dá)40億美元，創(chuàng)5年來最高。事實(shí)上，臺(tái)積電2009年曾三度調(diào)高資本支出，從年初的13億美元一路調(diào)高到27億美元，調(diào)幅超過一倍。臺(tái)積電還將擴(kuò)大新竹12英寸廠第五期、南科12英寸廠第三期產(chǎn)能，擴(kuò)充后月產(chǎn)能將達(dá)20萬(wàn)片。　　聯(lián)電預(yù)計(jì)
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SEMI：中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)出在未來十年內(nèi)將翻倍

　　按SEMI近期的研究報(bào)告指出，中國(guó)力圖收窄IC在消耗及產(chǎn)出之間的鴻溝，預(yù)計(jì)在未來的十年內(nèi)中國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備與材料市場(chǎng)將增加一倍。　　由假設(shè)的鴻溝數(shù)字出發(fā)，由于中央與地方政府都相應(yīng)出臺(tái)了鼓勵(lì)政策，促進(jìn)在未來十年中設(shè)備及材料的采購(gòu)會(huì)大幅增加。　　除此之外，隨著中國(guó)的芯片制造與封裝測(cè)試設(shè)備的大量進(jìn)口也大大促進(jìn)了中國(guó)研發(fā)和工藝技術(shù)人材的需求迅速增加。　　自1997年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)超過美國(guó)與日本之后，中國(guó)的政策制訂者開始極力強(qiáng)調(diào)要縮小供需之間的鴻溝。在2008年中國(guó)消費(fèi)了全球芯片的1/4，但是國(guó)內(nèi)產(chǎn)出
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臺(tái)積電協(xié)助巨積降低下一世代產(chǎn)品25%的漏電功耗

　　TSMC6日宣布，客戶美商巨積公司(LSI Corporation)使用TSMC65納米低功耗工藝的降低功耗(PowerTrim)技術(shù)，有效減少下一世代產(chǎn)品的總漏電耗能達(dá)百分之二十五以上。　　TSMC這項(xiàng)降低功耗的技術(shù)與服務(wù)獲得Tela Innovations公司獨(dú)家專利授權(quán)，是將設(shè)計(jì)技術(shù)與先進(jìn)半導(dǎo)體工藝巧妙整和的創(chuàng)新技術(shù)，能有效降低每個(gè)產(chǎn)品的漏電耗能。　　降低功耗軟件(PowerTrim Software)分析巨積公司的設(shè)計(jì)，并些微增加對(duì)時(shí)序較不敏感的路徑上的閘極長(zhǎng)度，以代替本來的元件。而閘
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臺(tái)積電與清華大學(xué)合作65/90納米制程晶圓共乘

　　臺(tái)積電繼宣布明年調(diào)薪15%，強(qiáng)化人才誘因， 23日又宣布與北京清華大學(xué)合作，共同邀請(qǐng)?jiān)诎雽?dǎo)體領(lǐng)域表現(xiàn)杰出的清大校友，在2010年舉辦一系列半導(dǎo)體創(chuàng)新人才演講及座談會(huì)，并提供清大先進(jìn)65納米與90納米制程晶圓共乘服務(wù)，協(xié)助系統(tǒng)單芯片等技術(shù)的創(chuàng)新開發(fā)。　　臺(tái)積電表示，將與清大共同邀請(qǐng)?jiān)诎雽?dǎo)體領(lǐng)域占有一席之地的重要領(lǐng)導(dǎo)人物，每季 2位返校分享全球及中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展趨勢(shì)、前瞻技術(shù)概況、當(dāng)前市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)樣貌及個(gè)人創(chuàng)業(yè)歷程，為學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界搭起雙向溝通橋梁，以承先啟后，同時(shí)對(duì)學(xué)校研究項(xiàng)目提出產(chǎn)業(yè)界建議。　　這項(xiàng)
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中國(guó)龍芯3處理器首次采用65nm技術(shù)

　　龍芯3在新思科技(EDA集團(tuán)美國(guó)新思科技公司)的幫助下，已經(jīng)將設(shè)計(jì)移植到65納米制程。龍芯科技有限公司是中國(guó)中科院投資組建，該公司的龍芯3多核心處理器是與新思科技合作設(shè)計(jì)，首次采用65納米技術(shù)。　　新思科技提供了重要的設(shè)計(jì)工具幫助，但是并沒有涉及到流片的相關(guān)信息，龍芯3可能會(huì)選擇四核心或八核心65納米工藝進(jìn)行流片實(shí)施。　　龍芯3的單核心運(yùn)行頻率計(jì)劃為 1G到1.2G左右，四核心龍芯3的功耗計(jì)劃控制在10W以下。　　龍芯采用 MIPS指令，已經(jīng)于2009年取得MIPS授權(quán)，可以將采用MIPS
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張汝京在紅藍(lán)兩色中搖晃：是非功過向上帝交賬

　　張汝京微佝僂著背走進(jìn)中芯花園的服務(wù)中心，大大的腦袋扛在肩膀上，和5年前我們第一次采訪他時(shí)相比，歲月的痕跡毫不留情地出現(xiàn)在他身上，按照他自己的話來說，“這幾年折舊很快”——這當(dāng)然不止是指中芯國(guó)際晶圓廠的設(shè)備折舊。　　過去17個(gè)季度中，中芯國(guó)際就有16個(gè)季度出現(xiàn)虧損，這很大程度上是因?yàn)槊磕旮哌_(dá)8億美元的折舊，折舊占到他們銷售額的50%左右，早年一度還超過60%。　　也正是因?yàn)檫@樣長(zhǎng)達(dá)4年的虧損，張汝京常常被股東質(zhì)疑。11月4日中芯國(guó)際敗訴停盤，11月
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臺(tái)積電勝訴中芯或被罰10億美元

　　一對(duì)老冤家——臺(tái)積電與中芯國(guó)際，再次在法庭上打了起來。臺(tái)積電先勝一輪。　　臺(tái)積電的委托律師杰弗里•查寧表示，美國(guó)加州法院周二裁定中芯違反了2005年和解協(xié)議條款，因盜竊、使用商業(yè)秘密將面臨處罰。并強(qiáng)調(diào)，處罰額度或超10億美元。　　這一數(shù)字超過了中芯年度總營(yíng)收，顯然難以承受，它不太可能妥協(xié)行事。昨天，中芯上?？偛抗俜綄?duì)CBN強(qiáng)調(diào)，中芯對(duì)美國(guó)加州法院的判決表示“遺憾”，但訴訟尚未最終結(jié)束，中芯仍會(huì)繼續(xù)捍衛(wèi)公司和股東的權(quán)益，并考慮繼續(xù)上訴等行
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英飛凌攜手臺(tái)積電開發(fā)65納米嵌入式閃存工藝

　　英飛凌科技股份公司與臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司今日共同宣布，雙方將在研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域擴(kuò)大合作，攜手開發(fā)面向下一代汽車、芯片卡和安全應(yīng)用的65納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制造工藝。根據(jù)該項(xiàng)協(xié)議，英飛凌與臺(tái)積電將攜手開發(fā)65納米工藝技術(shù)，用于生產(chǎn)符合汽車行業(yè)嚴(yán)格的質(zhì)量要求及芯片卡和安全行業(yè)苛刻的安全要求的嵌入式閃存微控制器(MCU)。　　與TSMC擴(kuò)大合作符合英飛凌制造外包及通過合作大力開發(fā)65納米以下工藝的戰(zhàn)略。對(duì)于汽車應(yīng)用而言，65納米嵌入式閃存工藝可確保最高的功能集成度，實(shí)現(xiàn)即將出臺(tái)的
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中芯國(guó)際與Cadence共推65納米低功耗解決方案

　　電子設(shè)計(jì)企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今天宣布推出一款全面的低功耗設(shè)計(jì)流程，面向基于中芯國(guó)際65納米工藝的設(shè)計(jì)工程師。該流程以Cadence低功耗解決方案為基礎(chǔ)，通過使用一個(gè)單一、全面的設(shè)計(jì)平臺(tái)，可以更加快速地實(shí)現(xiàn)尖端、低功耗半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。　　“目前，功耗已成為一個(gè)關(guān)鍵的設(shè)計(jì)制約因素，從技術(shù)和成本的角度來說，它同時(shí)序和面積一樣重要”，SMIC設(shè)計(jì)服務(wù)中心副總裁劉明剛表示，“SMIC-Cadence Reference Flow 4.0具有先進(jìn)的自動(dòng)化低功耗設(shè)
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賽普拉斯推出業(yè)界首款65納米144-Mbit SRAM

　　SRAM行業(yè)的領(lǐng)先者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產(chǎn)品成為其65納米SRAM產(chǎn)品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存儲(chǔ)器采用65納米工藝技術(shù)，由臺(tái)灣聯(lián)華電子(UMC)的芯片工廠代工生產(chǎn)。該產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最快的時(shí)鐘，速率可達(dá)550MHz，在36-bit I/O寬度的QDRII+器件中，整體數(shù)據(jù)率達(dá)到80 Gbps，并且其功耗只有采用90納米工藝的SRAM器件的一半。這些產(chǎn)品是諸如互聯(lián)網(wǎng)核心與邊
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65納米介紹

　　從1965年Intel公司的Moore提出著名的摩爾定律到今年4月,正好是40年。40年來,半導(dǎo)體器件的發(fā)展歷程一直遵循著這一定律。進(jìn)入2005年,IBM、德國(guó)英飛凌、韓國(guó)三星和新加坡特許半導(dǎo)體公司聯(lián)合的團(tuán)隊(duì)以及美國(guó)德州儀器公司等廠商,都推出了65納米工藝制作的半導(dǎo)體集成電路樣品。我國(guó)臺(tái)灣省的臺(tái)積電也將在2005年年底批量生產(chǎn)65納米器件。　　與上一代的90納米工藝相比,65納米工藝可以使 [ 查看詳細(xì) ]

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