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華虹半導(dǎo)體第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái) 成功量產(chǎn)

  • 華虹半導(dǎo)體有限公司宣布其第三代90 納米嵌入式閃存(90nm eFlash)工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
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華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)成功量產(chǎn)

  •   全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導(dǎo)體有限公司 (“華虹半導(dǎo)體”或“公司”,連同其附屬公司,統(tǒng)稱“集團(tuán)”,股份代號(hào):1347.HK) 今天宣布其第二代90納米嵌入式閃存 (90nm G2 eFlash) 工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),技術(shù)實(shí)力和競(jìng)爭(zhēng)力再度加強(qiáng)。  華虹半導(dǎo)體在第一代90納米嵌入式閃存 (90nm G1 eFlash) 工藝技術(shù)積累的基礎(chǔ)上,于90nm G2 eFla
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華虹半導(dǎo)體90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)成功量產(chǎn)

  •   全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導(dǎo)體有限公司3月6日宣布公司90納米嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),基于該平臺(tái)制造的芯片以其尺寸小、功耗低、性能高的特點(diǎn),具有很強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。   華虹半導(dǎo)體自主研發(fā)的90納米低功耗(LP)嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺(tái),是國內(nèi)最先進(jìn)的200mm晶圓嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù),可與標(biāo)準(zhǔn)邏輯工藝完全兼容;在確保高性能和高可靠性的基礎(chǔ)上,提供了極小面積的低功耗Flash IP;具有極高集成度的基本單元庫,與0.11微米eF
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中國半導(dǎo)體已到從量變走向質(zhì)變的臨界點(diǎn)

  • 中國半導(dǎo)體量變了這么多年了,始終沒看到質(zhì)的進(jìn)步。或許業(yè)內(nèi)人士說,我們跟人家差的太遠(yuǎn)了,我們始終在追趕的路上,抬頭發(fā)現(xiàn)別人早已加速。但是我們并沒有放棄,依然在充滿荊棘的路上努力前行。量變引起質(zhì)變的臨界點(diǎn)來了嗎?
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力晶與瑞薩合作90納米驅(qū)動(dòng)芯片量產(chǎn)

  •   內(nèi)存廠商力晶受到標(biāo)準(zhǔn)型DRAM占營收比重不斷降低影響,11月營收20.26億元,創(chuàng)下2009年7月以來新低。盡管營收表現(xiàn)不佳,不過力晶正式宣布,宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅(qū)動(dòng)芯片高壓制程進(jìn)入量產(chǎn),持續(xù)朝轉(zhuǎn)型之路邁進(jìn)。   力晶日前宣布淡出PC DRAM產(chǎn)業(yè)之后,積極邁開業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型步伐,該公司發(fā)言人譚仲民指出,代工事業(yè)的制程技術(shù)獲得重大進(jìn)展,與瑞薩電子旗下之子公司Renesas SP Drivers Inc.合作的90納米驅(qū)動(dòng)芯片高壓制程,已開發(fā)成功并進(jìn)入量產(chǎn),此技術(shù)承接原瑞薩電子之制程技術(shù),將
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全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù)

  •   全球晶圓(Global Foundries)除了在28納米制程上,宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù),試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外,同時(shí)也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù),進(jìn)一步強(qiáng)化合作關(guān)系。   全球晶圓與ARM在2009年第3季宣布策略合作計(jì)畫,就是看好未來廣大的行動(dòng)運(yùn)算市場(chǎng)。而就在全球晶圓與ARM攜手后,臺(tái)積電也于2010年宣布與ARM,合作開發(fā)28納米及20納米制程嵌入式存儲(chǔ)器及標(biāo)準(zhǔn)元件庫在內(nèi)的實(shí)體智財(cái)產(chǎn)品。   因
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iSuppli高級(jí)分析師:中芯國際真正盈利可期

  •   中芯國際10日晚間發(fā)布的財(cái)報(bào)顯示,第二季度中芯國際營收3.81億美元,同比增加42.5%,凈利潤9600萬美元,成功扭虧為盈,上一季度該公司虧損1.81億美元。   咨詢公司iSuppli高級(jí)分析師顧文軍認(rèn)為中芯國際第二季度財(cái)報(bào)有三大亮點(diǎn),中芯國際真正意義上的盈利盡在眼前。   顧文軍對(duì)新浪科技表示,本季度中芯國際財(cái)報(bào)主要有三個(gè)亮點(diǎn):   第一:毛利率持續(xù)走高 盈利盡在眼前。在財(cái)報(bào)中,中芯國際由第一季度虧損1.81億美元到本季度的“凈利潤9600萬美元,成功扭虧為盈”,當(dāng)
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英特爾:大連芯片廠10月按時(shí)投產(chǎn)

  •   從現(xiàn)在開始可以倒計(jì)時(shí)了,距離英特爾大連芯片廠還有100天左右的時(shí)間。   日前,英特爾亮相2010中國(大連)國際專利技術(shù)與產(chǎn)品交易會(huì)。通過展示創(chuàng)立42年來在技術(shù)創(chuàng)新和專利領(lǐng)域的重要成果,分享創(chuàng)新和知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理的成功理念與經(jīng)驗(yàn),英特爾致力于推動(dòng)中國自主創(chuàng)新的步伐與健康產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境的建設(shè)。   在會(huì)議期間,CNET科技資訊網(wǎng)記者了解到,英特爾大連芯片廠正在有條不紊地為10月份正式投產(chǎn)做準(zhǔn)備。   據(jù)悉,現(xiàn)在英特爾大連芯片廠已有員工1500余人,其中包括近300人的外籍專家,這些專家將在工廠運(yùn)營初期
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飛思卡爾90納米ColdFire+混合信號(hào)微控制器解決方案加快設(shè)計(jì)創(chuàng)新

  •   飛思卡爾半導(dǎo)體日前發(fā)布了40款新的ColdFire+ (plus)器件,將其久經(jīng)考驗(yàn)的ColdFire產(chǎn)品線提升到一個(gè)新的高度,鞏固了該公司在32位微控制器 (MCU) 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。通過采用90納米 (nm) 薄膜存儲(chǔ)器 (TFS) 閃存技術(shù)以及 FlexMemory技術(shù),ColdFire+ MCU致力于成為市場(chǎng)上集成程度最高、最經(jīng)濟(jì)高效和小封裝的32位MCU。   ColdFire+ MCU依托飛思卡爾在32位微控制器方面的既有優(yōu)勢(shì),代表了ColdFire演進(jìn)的下一步。新的ColdFire
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臺(tái)積電09年Q4的銷售額和利潤均持續(xù)增長

  •   證交所重大訊息公告   臺(tái)積電-本公司2009年第四季每股盈余新臺(tái)幣1.26元   1.召開法人說明會(huì)日期:99/01/28   2.召開法人說明會(huì)地點(diǎn):遠(yuǎn)東國際大飯店叁樓遠(yuǎn)東宴會(huì)廳   (臺(tái)北市敦化南路二段201號(hào))   3.財(cái)務(wù)、業(yè)務(wù)相關(guān)資訊:   本公司今(28)日公布2009年第四季財(cái)務(wù)報(bào)告,合并營收為新臺(tái)幣920.9億元,稅后純益為新臺(tái)幣326.7億元,每股盈余為新臺(tái)幣1.26元(換算成美國存託憑證每單位為0.19美元)。   與2008年同期相較,2009年第四季營收增加42
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張忠謀:臺(tái)積電2年內(nèi)可望在大陸設(shè)12英寸晶圓廠

  •   美商高盛證券22日舉行“兩岸科技CEO論壇”,聚焦兩岸開放帶來的機(jī)會(huì),臺(tái)積電董事長張忠謀一早針對(duì)兩岸半導(dǎo)體政策與產(chǎn)業(yè)未來進(jìn)行演講,據(jù)與會(huì)廠商轉(zhuǎn)述,張忠謀認(rèn)為2年內(nèi)12吋晶圓廠可望開放登陸;張忠謀并上調(diào)半導(dǎo)體今年增長率至22%。   高盛證券8年后再度回臺(tái)舉辦論壇,第一位邀請(qǐng)上臺(tái)演講的,就是臺(tái)灣市值最大的全球化企業(yè)臺(tái)積電董事長張忠謀,會(huì)后針對(duì)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開放政策,張忠謀表示臺(tái)灣政策仍有諸多限制,明確開放才不會(huì)讓企業(yè)感到不確定,甚至偷偷摸摸地登陸。   臺(tái)美半導(dǎo)體政策差距3-
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SEMI:中國半導(dǎo)體產(chǎn)出在未來十年內(nèi)將翻倍

  •   按SEMI近期的研究報(bào)告指出,中國力圖收窄IC在消耗及產(chǎn)出之間的鴻溝,預(yù)計(jì)在未來的十年內(nèi)中國的半導(dǎo)體設(shè)備與材料市場(chǎng)將增加一倍。   由假設(shè)的鴻溝數(shù)字出發(fā),由于中央與地方政府都相應(yīng)出臺(tái)了鼓勵(lì)政策,促進(jìn)在未來十年中設(shè)備及材料的采購會(huì)大幅增加。   除此之外,隨著中國的芯片制造與封裝測(cè)試設(shè)備的大量進(jìn)口也大大促進(jìn)了中國研發(fā)和工藝技術(shù)人材的需求迅速增加。   自1997年中國半導(dǎo)體市場(chǎng)超過美國與日本之后,中國的政策制訂者開始極力強(qiáng)調(diào)要縮小供需之間的鴻溝。在2008年中國消費(fèi)了全球芯片的1/4,但是國內(nèi)產(chǎn)出
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臺(tái)積電與清華大學(xué)合作65/90納米制程晶圓共乘

  •   臺(tái)積電繼宣布明年調(diào)薪15%,強(qiáng)化人才誘因, 23日又宣布與北京清華大學(xué)合作,共同邀請(qǐng)?jiān)诎雽?dǎo)體領(lǐng)域表現(xiàn)杰出的清大校友,在2010年舉辦一系列半導(dǎo)體創(chuàng)新人才演講及座談會(huì),并提供清大先進(jìn)65納米與90納米制程晶圓共乘服務(wù),協(xié)助系統(tǒng)單芯片等技術(shù)的創(chuàng)新開發(fā)。   臺(tái)積電表示,將與清大共同邀請(qǐng)?jiān)诎雽?dǎo)體領(lǐng)域占有一席之地的重要領(lǐng)導(dǎo)人物,每季 2位返校分享全球及中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展趨勢(shì)、前瞻技術(shù)概況、當(dāng)前市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)樣貌及個(gè)人創(chuàng)業(yè)歷程,為學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界搭起雙向溝通橋梁,以承先啟后,同時(shí)對(duì)學(xué)校研究項(xiàng)目提出產(chǎn)業(yè)界建議。   這項(xiàng)
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微捷碼加大對(duì)臺(tái)積電工藝的支持力度

  •   芯片設(shè)計(jì)解決方案供應(yīng)商微捷碼(Magma)設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司日前宣布,Quartz™ DRC和Quartz LVS規(guī)則集現(xiàn)可應(yīng)用于臺(tái)積電(TSMC)180納米工藝技術(shù)。通過這種支持力度的加大,設(shè)計(jì)師現(xiàn)在能夠從TSMC-Online(SM)網(wǎng)站下載到Quartz DRC和Quartz LVS的40納米、65納米、90納米、130納米和180納米規(guī)則集(rule decks)。   “多年來,我們一直采用微捷碼的Quartz DRC和Quartz LVS進(jìn)行先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)。我們
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中芯國際中期虧損擴(kuò)大至2.77億美元

  •   中芯國際公布截至09年6月30日止中期業(yè)績,錄得股東應(yīng)占虧損2.77億美元,每股虧損0.01美元,不派中期息。   該公司08年同期錄得虧損2.7億美元。   特許與中芯國際誰更幸運(yùn)   阿布扎比金主再次攪動(dòng)半導(dǎo)體業(yè),繼上次拯救了AMD的財(cái)務(wù)困境后,此次又花重金收購新加坡特許半導(dǎo)體,并將兩者合并組成新的GF。此舉在全球代工業(yè)中產(chǎn)生極大的震蕩,非常明顯此舉既救了特許,同時(shí)又沖著臺(tái)積電而來。   處于全球代工第三及第四名的中芯國際與特許,如今兩者的地位發(fā)生了新的變化,好像特許又找了個(gè)“
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90納米介紹

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