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基于超薄外延技術(shù)的雙擴(kuò)散新型D-RESURF LDMOS設(shè)計(jì)

  • 摘要：文中針對(duì)高壓節(jié)能應(yīng)用領(lǐng)域，開發(fā)了一種基于超薄外延技術(shù)的雙擴(kuò)散BCD兼容工藝，實(shí)現(xiàn)了一種新型D-RESURF結(jié)構(gòu)的700V LDMOS設(shè)計(jì)。結(jié)構(gòu)中N型外延的厚度減小為4．5mu;m，漂移區(qū)長(zhǎng)度縮減至70mu;m，使得芯片面積和制
  • 關(guān)鍵字： D-RESURF  LDMOS  設(shè)計(jì)  新型  擴(kuò)散  超薄  外延  技術(shù)  基于  
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