finfet 文章進入finfet技術(shù)社區(qū)

英特爾最新的FinFET是其代工計劃的關鍵

在上周的VLSI研討會上，英特爾詳細介紹了制造工藝，該工藝將成為其高性能數(shù)據(jù)中心客戶代工服務的基礎。在相同的功耗下，英特爾 3 工藝比之前的工藝英特爾 4 性能提升了 18%。在該公司的路線圖上，英特爾 3 是最后一款使用鰭片場效應晶體管（FinFET）結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，該公司于 2011 年率先采用這種結(jié)構(gòu)。但它也包括英特爾首次使用一項技術(shù)，該技術(shù)在FinFET不再是尖端技術(shù)之后很長一段時間內(nèi)對其計劃至關重要。更重要的是，該技術(shù)對于該公司成為代工廠并為其他公司制造高性能芯片的計劃至關重要。它被稱為偶極子功
關鍵字：英特爾 FinFET 代工計劃

Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術(shù)的硅片成功流片

這款測試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結(jié)合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專用測試芯片通過加快產(chǎn)品上市進程、提供同類最佳性能、及確保穩(wěn)健的產(chǎn)品設計，堅定客戶對Dolphin Design產(chǎn)品的信心，再度證實了Dolphin Design在混合信號IP領域的行業(yè)領先地位。2024年2月22日，法國格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號、處理知識產(chǎn)權(quán)（IP）以及ASIC設計的行業(yè)領先供應商Dolphin De
關鍵字： Dolphin Design 12納米 12nm FinFet 成功流片

晶體管進入納米片時代

3D 芯片堆疊對于補充晶體管的發(fā)展路線圖至關重要。
關鍵字： FinFET

新思科技攜手是德科技、Ansys面向臺積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程

摘要：●? ?全新參考流程針對臺積公司 N4PRF 工藝打造，提供開放、高效的射頻設計解決方案?！? ?業(yè)界領先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統(tǒng)的性能和功耗效率?！? ?集成的設計流程提升了開發(fā)者的生產(chǎn)率，提高了仿真精度，并加快產(chǎn)品的上市時間。近日宣布，攜手是德科技（Keysight）、Ansys共同推出面向臺積公司業(yè)界領先N4PRF工藝（4納米射頻FinFET工藝）的全新參考流程。該參考流程基于新思科技的定制設計系列產(chǎn)品，為追求更高預測精度
關鍵字：新思科技是德科技 Ansys 臺積公司 4 納米射頻 FinFET 射頻芯片設計

是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺積電的先進4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程

●? ?新參考流程采用臺積電 N4PRF 制程，提供了開放、高效的射頻設計解決方案●? ?強大的電磁仿真工具可提升 WiFi-7 系統(tǒng)的性能和功率效率●? ?綜合流程可提高設計效率，實現(xiàn)更準確的仿真，從而更快將產(chǎn)品推向市場是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺積電的先進4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程，助力RFIC半導體設計加速發(fā)展是德科技、新思科技公司和 Ansys 公司近日宣布攜手推出面向臺積電 N4PRF 制程的新參考流程。N4P
關鍵字：是德科技新思科技 Ansys 臺積電 4nm射頻 FinFET

IMEC發(fā)布1nm以下制程藍圖：FinFET將于3nm到達盡頭

近日，比利時微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍圖，分享對應晶體管架構(gòu)研究和開發(fā)計劃。外媒報導，IMEC制程藍圖顯示，F(xiàn)inFET晶體管將于3納米到達盡頭，然后過渡到Gate All Around(GAA)技術(shù)，預計2024年進入量產(chǎn)，之后還有FSFET和CFET等技術(shù)?！鱏ource：IMEC隨著時間發(fā)展，轉(zhuǎn)移到更小的制程節(jié)點會越來越貴，原有的單芯片設計方案讓位給小芯片(Chiplet)設計。IMEC的制程發(fā)展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
關鍵字： IMEC 1nm 制程 FinFET

恩智浦攜手臺積電推出首創(chuàng)汽車級16納米FinFET嵌入式MRAM

● 恩智浦和臺積電聯(lián)合開發(fā)采用臺積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP● 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級，消除量產(chǎn)瓶頸● 恩智浦計劃于2025年初推出采用該技術(shù)的新一代S32區(qū)域處理器和通用汽車MCU首批樣品荷蘭埃因霍溫——2023年5月22日——恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票代碼：NXPI）近日宣布與臺積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米
關鍵字：恩智浦臺積電 FinFET 嵌入式MRAM

ST和GlobalFoundries在法國Crolles附近的新工廠聯(lián)合推進FD-SOI

意法半導體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導體位于法國Crolles的現(xiàn)有晶圓廠旁邊新建一座聯(lián)合運營的300毫米半導體晶圓廠。新工廠將支持多種半導體技術(shù)和工藝節(jié)點，包括FD-SOI。ST和GF預計，該晶圓廠將于2024年開始生產(chǎn)芯片，到2026年將達到滿負荷生產(chǎn)，每年生產(chǎn)多達62萬片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠，長期以來一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來看，F(xiàn)D-SOI是一種技術(shù)含量較低的方法，可以實現(xiàn)FinF
關鍵字： FD-SOI GAAFET FinFET

Intel 4制程技術(shù)細節(jié)曝光具備高效能運算先進FinFET

英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會，公布Intel 4制程的技術(shù)細節(jié)。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫（library cell）的密度則是2倍，同時達成兩項關鍵目標：它滿足開發(fā)中產(chǎn)品的需求，包括PC客戶端的Meteor Lake，并推進先進技術(shù)和制程模塊。英特爾公布Intel 4制程的技術(shù)細節(jié)。對于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達成這些效能數(shù)據(jù)？ Intel 4于鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸（Critic
關鍵字： Intel 4 制程技術(shù) FinFET Meteor Lake

5nm及更先進節(jié)點上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預測下一代半導體的性能

雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節(jié)點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。泛林集團在與比利時微電子研究中心 (imec) 的合作中，使用了SEMulator3D?虛擬制造技術(shù)來探索端到端的解決方案，運用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發(fā)了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法，以評估工藝變化對電路性能的影響。這項研究的目的是優(yōu)化先進節(jié)點FinFET設計的源漏尺寸和側(cè)墻厚
關鍵字：泛林 5nm FinFET

為技術(shù)找到核心多元化半導體持續(xù)創(chuàng)新

觀察2021年主導半導體產(chǎn)業(yè)的新技術(shù)趨勢，可以從新的半導體技術(shù)來著眼?；旧习雽w技術(shù)可以分為三大類，第一類是獨立電子、計算機和通訊技術(shù)，基礎技術(shù)是CMOS FinFET。在今天，最先進的是5奈米生產(chǎn)制程，其中有些是FinFET 架構(gòu)的變體。這是大規(guī)模導入極紫外光刻技術(shù)，逐步取代多重圖形光刻方法。圖一 : 半導體的創(chuàng)新必須能轉(zhuǎn)化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道，目前三星、臺積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開發(fā)下一代3/2奈米，在那里我們會看到一種新的突破，因為他們最有可能轉(zhuǎn)向奈米片全環(huán)繞
關鍵字： CMOS FinFET ST

中芯國際FinFET工藝已量產(chǎn) 產(chǎn)能1.5萬片

中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況，表示FinFET工藝已經(jīng)達產(chǎn)，每月1.5萬片，客戶不斷進來。在最近的財報電話會上，中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況，表示“我們的FinFET工藝已經(jīng)達產(chǎn)，每月1.5萬片，客戶多樣化，不同的產(chǎn)品平臺都導入了。(這部分)產(chǎn)能處于緊俏狀態(tài)，客戶不斷進來?！备鶕?jù)之前的報道，中芯國際的FinFET工藝有多種類型，其中第一代FinFET工藝是14nm及改進型的12nm，目前1.5萬片產(chǎn)能的主要就是14/12nm工藝，第二代則是n+1、n+2工藝，已
關鍵字：中芯國際 FinFET

揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結(jié)構(gòu)

GAA FET將取代FinFET，但過渡的過程將是困難且昂貴的。
關鍵字： 3nm FinFET GAA FET 晶體管

新思科技與GF合作為12LP+FinFET解決方案開發(fā)DesignWare IP產(chǎn)品組合

要點：用于GF 12LP+解決方案的DesignWare IP核產(chǎn)品組合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等兩家公司之間的長期合作已成功實現(xiàn)了DesignWare IP核從180納米到12納米的開發(fā)，可應用于廣泛領域新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）今日宣布與GLOBALFOUNDRIES?（GF?）開展合作，開發(fā)用于G
關鍵字：新思科技 12LP+FinFET DesignWare IP

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finfet介紹

FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管，閘長已可小于25奈米，未來預期可以進一步縮小至9奈米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于此一半導體技術(shù)上的突破，未來芯片設計人員可望能夠?qū)⒊売嬎銠C設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標準的晶體管—場效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細 ]