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緩沖反激式轉(zhuǎn)換器

本期，我們將聚焦于緩沖反激式轉(zhuǎn)換器，探討如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET 關(guān)斷電壓為大家提供全新的解決思路！上一期，我們介紹了如何在正向轉(zhuǎn)換器導(dǎo)通時(shí)緩沖輸出整流器的電壓。現(xiàn)在，我們看一下如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET 關(guān)斷電壓。圖 1 顯示了反激式轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和初級(jí) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器的工作原理是將能量存儲(chǔ)在變壓器的初級(jí)電感中，并在 MOSFET 關(guān)斷時(shí)將能量釋放到次級(jí)電感。圖 1. 漏電感會(huì)在 FET 關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生過(guò)高電壓當(dāng) MOSFET 關(guān)斷時(shí)，通常需要一個(gè)緩沖器，因?yàn)樽儔浩鞯穆╇姼袝?huì)導(dǎo)
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用Python自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試

電力電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體材料正從硅過(guò)渡到寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應(yīng)用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高，SiC技術(shù)正被應(yīng)用于電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動(dòng)設(shè)備和其他消費(fèi)設(shè)備的快速充電器。本文主要說(shuō)明的是，但雙脈沖測(cè)試也可應(yīng)用于硅器件、MOSFET或IGBT中。為確保這些設(shè)備的可靠性，雙脈沖測(cè)試（DPT）已發(fā)展成為一種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，用于測(cè)量開(kāi)啟、關(guān)閉和反向恢復(fù)期的一系列重要參數(shù)。雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)包括示波
關(guān)鍵字： 202411 寬禁帶 FET 測(cè)試

拆解：三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000處理器3nm GAA工藝

三星最新推出的Galaxy Watch 7，繼續(xù)重新定義可穿戴技術(shù)的極限。這款最新型號(hào)承襲了其前身產(chǎn)品的成功之處，同時(shí)在性能、健康追蹤和用戶體驗(yàn)方面實(shí)現(xiàn)了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實(shí)驗(yàn)室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在對(duì)其進(jìn)行拆解和詳細(xì)的技術(shù)分析。敬請(qǐng)期待我們對(duì)Galaxy Watch 7內(nèi)部結(jié)構(gòu)的深入分析，我們將揭示這款設(shè)備在智能手表領(lǐng)域脫穎而出的原因。? Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000處理器。這款最新的Exyn
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碳化硅模塊在太陽(yáng)能逆變器中的應(yīng)用

碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC FET)接近于理想的開(kāi)關(guān)，具有低損耗、寬帶隙技術(shù)和易于集成設(shè)計(jì)等優(yōu)勢(shì)。Qorvo的SiC FET技術(shù)如今以高效模塊化產(chǎn)品的形式呈現(xiàn);本文探討了這種產(chǎn)品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用的理想之選。
關(guān)鍵字： 202407 太陽(yáng)能 PV SiC FET 寬帶隙碳化硅光伏

拜登政府恐對(duì)中國(guó)大陸封鎖最強(qiáng)GAA技術(shù)

美中貿(mào)易戰(zhàn)沖突未歇，傳出美國(guó)將再次出手打擊大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，針對(duì)最新的環(huán)繞閘極場(chǎng)效晶體管（GAA）技術(shù)祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術(shù)的能力，換言之，美國(guó)將防堵大陸取得先進(jìn)芯片，擴(kuò)大受管制的范圍。美國(guó)財(cái)經(jīng)媒體引述知情人士消息報(bào)導(dǎo)，拜登政府考慮新一波的半導(dǎo)體限制措施，以避免大陸能夠提升技術(shù)，進(jìn)而增強(qiáng)軍事能力，有可能限制大陸取得GAA技術(shù)，但確切狀況仍得等官方進(jìn)一步說(shuō)明，且不清楚官員何時(shí)會(huì)宣布新措施。若此事成真，大陸發(fā)展先進(jìn)半導(dǎo)體將大受打擊。目前三星從3納米開(kāi)始使用GAA技術(shù)，臺(tái)積電則從2納米
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GaN FET讓您實(shí)現(xiàn)高性能D類音頻放大器

D類音頻放大器參考設(shè)計(jì)(EPC9192)讓模塊化設(shè)計(jì)具有高功率和高效，從而可實(shí)現(xiàn)全定制、高性能的電路設(shè)計(jì)。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設(shè)計(jì)中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢(shì)，在4Ω負(fù)載時(shí)，每聲道輸出功率達(dá)700 W。EPC9192是可擴(kuò)展的模塊化設(shè)計(jì)，其主板配有兩個(gè)PWM調(diào)制器和兩個(gè)半橋功率級(jí)子板，實(shí)現(xiàn)具備輔助管理電源和保護(hù)功能的雙通道放大器。這種設(shè)計(jì)的靈活性高，使
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測(cè)試共源共柵氮化鎵 FET

Cascode GaN FET 動(dòng)態(tài)測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)　　Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場(chǎng)，因?yàn)樗梢蕴峁┏ｊP(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍。然而，電路設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)該器件在實(shí)際電路中使用起來(lái)并不那么容易，因?yàn)樗苋菀装l(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測(cè)量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計(jì)人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢器件的運(yùn)行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢(shì)。圖 1 顯示了關(guān)斷時(shí)的發(fā)散振蕩。圖 2 顯示了導(dǎo)通時(shí)的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
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EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET

全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場(chǎng)上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過(guò)五倍。憑借超低導(dǎo)通電阻
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適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南

激光探測(cè)及測(cè)距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無(wú)人機(jī)、倉(cāng)庫(kù)自動(dòng)化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔(dān)心 LiDAR 激光可能會(huì)對(duì)眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時(shí)發(fā)射功率不超過(guò) 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復(fù)頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰(zhàn)性，因?yàn)樾枰褂梦⒖刂破骰蚱渌笮蛿?shù)字集成電路 (IC) 來(lái)控制激光二極管，但又不能直接驅(qū)動(dòng)它，這樣就必須增加一個(gè)柵極
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三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失敗：3nm GAA工藝仍存缺陷

最新報(bào)道，三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問(wèn)題，原計(jì)劃搭載于Galaxy S25/S25+手機(jī)的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過(guò)程中被發(fā)現(xiàn)存在嚴(yán)重缺陷，導(dǎo)致良品率直接跌至0%。報(bào)道詳細(xì)指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質(zhì)量問(wèn)題，未能通過(guò)三星內(nèi)部的質(zhì)量檢測(cè)。這不僅影響了Galaxy S25系列手機(jī)的生產(chǎn)計(jì)劃，還導(dǎo)致原定于后續(xù)推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無(wú)法如期進(jìn)入量產(chǎn)階段。值得關(guān)注的是，Exynos 2500原計(jì)劃沿用上一代的10核CPU架構(gòu)，升級(jí)之處在于將采用全新的
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消息稱三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗，Exynos 2500 芯片被打上問(wèn)號(hào)

2 月 2 日消息，根據(jù)韓媒 DealSite+ 報(bào)道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問(wèn)題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機(jī)的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報(bào)道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過(guò)質(zhì)量測(cè)試，導(dǎo)致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無(wú)法量產(chǎn)。此前報(bào)道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構(gòu)，同時(shí)引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)性能

中國(guó) 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC
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臺(tái)積電2nm制程進(jìn)展順利晶圓廠最快4月進(jìn)機(jī)

臺(tái)積電在3nm制程工藝于2022年四季度開(kāi)始量產(chǎn)之后，研發(fā)和量產(chǎn)的重點(diǎn)隨之轉(zhuǎn)向下一代2nm制程工藝，計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這意味著工廠及相關(guān)的設(shè)備要做好準(zhǔn)備，以確保按計(jì)劃順利量產(chǎn)。臺(tái)積電進(jìn)入GAA時(shí)代的2nm制程進(jìn)展順利，最新援引供應(yīng)鏈合作伙伴的消息報(bào)道稱，位于新竹科學(xué)園區(qū)的寶山2nm首座晶圓廠P1已經(jīng)完成鋼構(gòu)工程，并正在進(jìn)行無(wú)塵室等內(nèi)部工程 —— 最快4月啟動(dòng)設(shè)備安裝工作，相關(guān)動(dòng)線已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠則計(jì)劃在2025年開(kāi)始制造采用此項(xiàng)技術(shù)的2nm芯片，中科二期則視需求狀況預(yù)定
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EPC GaN FET可在數(shù)納秒內(nèi)驅(qū)動(dòng)激光二極管，實(shí)現(xiàn)75~231A脈沖電流

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出三款激光驅(qū)動(dòng)器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)、快速轉(zhuǎn)換的GaN FET以實(shí)現(xiàn)具備卓越性能的激光雷達(dá)系統(tǒng)。EPC推出三款評(píng)估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅(qū)動(dòng)器和通過(guò)車規(guī)級(jí)AEC-Q101認(rèn)證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長(zhǎng)距離和
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臺(tái)積電2納米驚爆大弱點(diǎn)？三星搶訂單

臺(tái)積電為全球晶圓代工龍頭，后頭追兵三星與英特爾來(lái)勢(shì)洶洶，但臺(tái)積電在技術(shù)與訂單仍保持一定優(yōu)勢(shì)，尤其三星至今在3納米方面，依然無(wú)法取得頂尖客戶的信任，三星高層也坦言，一旦臺(tái)積電在2納米轉(zhuǎn)進(jìn)GAA技術(shù)，三星還是得向臺(tái)積電看齊學(xué)習(xí)。即使如此，三星也打算透過(guò)低價(jià)策略搶市，與臺(tái)積電做出差別。綜合外媒報(bào)導(dǎo)，三星雖在3納米就開(kāi)始使用GAA技術(shù)，量產(chǎn)時(shí)間也比臺(tái)積電早數(shù)個(gè)月，但在良率與技術(shù)上無(wú)法獲得客戶青睞，蘋(píng)果、輝達(dá)等科技巨頭的大單仍在臺(tái)積電手上，臺(tái)積電3納米沿用較舊的FinFET技術(shù)。三星不甘示弱，希望能在2納米領(lǐng)域上扭
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