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Vishay推出新款30 V MOSFET半橋功率級模塊，輸出電流提高11 %

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款30 V n溝道MOSFET半橋功率級模塊 ——?SiZF300DT?,將高邊TrenchFET?和低邊SkyFET? MOSFET與集成式肖特基二極管組合在一個小型PowerPAIR? 3.3 mm x 3.3 mm封裝中。Vishay Siliconix??SiZF300DT?提高了功率密度和效率,同時有助于減少元器件數(shù)量,簡化設計,適用于計算和通信應用功率轉換。日前發(fā)布器件中
  • 關鍵字： MOSEFET  PGND  
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