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C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究

  • C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究,引言
    TI公司C6000系列DSP具有強(qiáng)大的處理能力,在嵌入式系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。由于程序在DSP內(nèi)部存儲(chǔ)器的運(yùn)行速度遠(yuǎn)大于片外存儲(chǔ)器的運(yùn)行速度,通常需要將程序從外部加載到DSP內(nèi)部運(yùn)行。由于C6000系列DSP均沒有
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三星、東芝NAND Flash市占差距縮減至0.3%

  •   據(jù)韓國媒體報(bào)導(dǎo),2011年第1季NAND Flash市場上,日廠東芝(Toshiba)猛力追擊,以市占率0.3%差距,威脅三星電子(Samsung Electronics) 8年來業(yè)界第1的地位。然而在快速成長的行動(dòng)DRAM市場上,三星仍坐擁壓倒性的市占率。
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支持Flash的單板計(jì)算機(jī)嵌入式系統(tǒng)

  • 支持Flash的單板計(jì)算機(jī)嵌入式系統(tǒng),1 引言  在實(shí)際開發(fā)中,為了提高開發(fā)效率,大多是采用以一個(gè)與目標(biāo)板硬件相似的BSP為模板,并在此基礎(chǔ)上修改移植。在這個(gè)過程中.除了CPU以外,另一個(gè)重要的器件就是裝有啟動(dòng)程序的Flash器件?! ? 系統(tǒng)介紹  采
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基于FPGA的NAND Flash ECC校驗(yàn)

  • 摘要 基于Flash存儲(chǔ)器的Hamming編碼原理,在Altera QuartusⅡ7.0開發(fā)環(huán)境下,實(shí)現(xiàn)ECC校驗(yàn)功能。測試結(jié)果表明,該程序可實(shí)現(xiàn)每256 Byte數(shù)據(jù)生成3 Byte的ECC校驗(yàn)數(shù)據(jù),能夠檢測出1 bit錯(cuò)誤和2 bit錯(cuò)誤,對于1 bit錯(cuò)誤
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一種基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口設(shè)計(jì)

  • 摘要:從一種軍用板卡的實(shí)際需求出發(fā),對SPI接口在設(shè)計(jì)中有諸如FPGA資源和管腳等限制的情況下,快速加栽配置數(shù)據(jù)的方法進(jìn)行了分析。并基于ATMEL公司的AT25F1024 FLASH器件,描述了高速SPI接口的設(shè)計(jì)原理和方法,具有
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Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì),引言
    嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展,由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制,因此對于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理的、針對嵌入式應(yīng)用
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終端需求疲軟 NAND Flash合約價(jià)大跌

  •   第2季NAND Flash終端需求太差,新出爐合約報(bào)價(jià)大跌超過10%,內(nèi)存模塊廠表示,合計(jì)整個(gè)5月現(xiàn)貨報(bào)價(jià)跌幅達(dá)20%,合約價(jià)合計(jì)跌幅也超過15%,反映終端需求確實(shí)需要新刺激,目前市場是底部已臨,靜待反彈階段;展望第3季,市場認(rèn)同威剛董事長陳立白的基調(diào),預(yù)期第3季仍會(huì)比第2季好一些,但市場不至于會(huì)有缺貨或價(jià)格飆漲的情況發(fā)生。
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flash接口電路的實(shí)現(xiàn)

  • flash接口電路的實(shí)現(xiàn),0引言

      我們在進(jìn)行嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中,根據(jù)需求,要設(shè)計(jì)出特定的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng),而嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)包含硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)和軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)兩個(gè)部分,并且這兩部分設(shè)計(jì)是互相關(guān)聯(lián)、密不可分的,嵌入式應(yīng)用系
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基于NAND FLASH的高速大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 摘要:為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲(chǔ)速度低的問題,采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲(chǔ)介質(zhì),大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心,通過使用并行處理技術(shù)和流水線技術(shù)實(shí)現(xiàn)了多片低速FLASH時(shí)高速數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),提高了整
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NAND FLASH在儲(chǔ)存測試系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 0 引言  計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展,存儲(chǔ)系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲(chǔ)空間,到現(xiàn)在的T8;乃至不久的將來要達(dá)到的PB存儲(chǔ)空間,其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴(kuò)展。隨之而來產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
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基于USB總線的MC68HC908JB8 Flash在線編程

  • ICP是一種在實(shí)際的目標(biāo)電路板上燒寫和擦除芯片的方法,無需從目標(biāo)板上將芯片卸下來再編程實(shí)現(xiàn)用戶程序的修改。這種方法適用于產(chǎn)品開發(fā)和代碼升級(jí)。目前市面上很多芯片(如Philips公司的P89C51、P89V51和LPC932A1,STC
  • 關(guān)鍵字: 在線  編程  Flash  MC68HC908JB8  USB  總線  基于  

三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

  •   據(jù)了解,由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增,三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。   
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TMS320F2812片內(nèi)Flash在線燒寫技術(shù)

  • TMS320F2812(以下簡稱F2812)是美國德州儀器公司(TI)新一代32位定點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器(DSP),主要應(yīng)用于逆變器控制、電機(jī)控制等領(lǐng)域,并擁有工作頻率高達(dá)150 MHz的32位DSP內(nèi)核處理器,可以高效可靠地實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)控制和狀
  • 關(guān)鍵字: 技術(shù)  在線  Flash  片內(nèi)  TMS320F2812  

NAND Flash嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

  • NAND Flash嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析, 本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲(chǔ)芯片,設(shè)計(jì)了一種在NFTL上實(shí)現(xiàn)壞塊管理并且實(shí)現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
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支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器設(shè)計(jì)

  • 摘要:先對ONFI標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了介紹,然后再設(shè)計(jì)了一種支持ONFI2.1標(biāo)準(zhǔn)源同步高速模式的NAND Flash控制器,包括狀態(tài)機(jī)的設(shè)計(jì),接口的設(shè)計(jì)等。對設(shè)計(jì)中遇到的源同步模式下,信號(hào)的對齊問題進(jìn)行了說明,并提出了一種解決方
  • 關(guān)鍵字: Flash  控制器  設(shè)計(jì)  NAND  模式  ONFI  同步  支持  
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