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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> c++memcpy內(nèi)存塊快速cop

μC/OSII中軟件定時(shí)器的優(yōu)缺點(diǎn)與改進(jìn)

  • mu;C/OSII具有小巧、性能穩(wěn)定、開(kāi)源等眾多優(yōu)點(diǎn)，并且mu;C/OSII大部分用ANSI C語(yǔ)言編寫(xiě)，系統(tǒng)的移植非常容易。在mu;C/OSII I2.81及以后的版本中[2]，加入了對(duì)軟件定時(shí)器的支持，使得mu;C/OSII操作系統(tǒng)更加完
  • 關(guān)鍵字： 改進(jìn)  缺點(diǎn)  定時(shí)器  軟件  C/OSII  

在LabVIEW中實(shí)現(xiàn)基于C/S結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)采集

  • 　　方式一：在LabVIEW環(huán)境中利用Connect to Remote Panels工具可以直接操作Remote Panels 。
    　　方式二：利用網(wǎng)頁(yè)瀏覽器在網(wǎng)頁(yè)中直接操作Remote Panels。若在客戶端的網(wǎng)頁(yè)瀏覽器的地址欄中輸入服務(wù)器的網(wǎng)址，即
  • 關(guān)鍵字： 遠(yuǎn)程  數(shù)據(jù)采集  結(jié)構(gòu)  C/S  實(shí)現(xiàn)  基于  LabVIEW  

μC/OS的任務(wù)調(diào)度實(shí)現(xiàn)方法及PowerPC上的優(yōu)化

  • μC/OS的任務(wù)調(diào)度實(shí)現(xiàn)方法及PowerPC上的優(yōu)化,　　mu;C/OS是Jean J.Labrosse開(kāi)發(fā)的實(shí)時(shí)多任務(wù)內(nèi)核，最初是為Motorola 8位處理器68HC11寫(xiě)的。在后來(lái)的相關(guān)著作中，作者將代碼移植到了PC上，以便于更多的讀者學(xué)習(xí)。mu;C/OSII繼承了mu;C/OS的算法，有執(zhí)行效率高、
  • 關(guān)鍵字： PowerPC  優(yōu)化  方法  實(shí)現(xiàn)  任務(wù)  調(diào)度  C/OS  

SPARC高性能處理器集成開(kāi)發(fā)環(huán)境及其編譯器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • 針對(duì)SPARC高性能處理器，開(kāi)展嵌入式系統(tǒng)專(zhuān)用軟件開(kāi)發(fā)環(huán)境及其編譯器的研究。在集成開(kāi)發(fā)環(huán)境（SPE-C）中集成工程管理、編輯、編譯、調(diào)試等基本功能，并針對(duì)處理器特點(diǎn)優(yōu)化其編譯環(huán)境，添加CORDIC指令支持，從而完成高性能處理器軟件開(kāi)發(fā)環(huán)境的設(shè)計(jì)和集成工作。
  • 關(guān)鍵字： SPRAC  編譯器  SoC  SPE-C  cordic  集成開(kāi)發(fā)環(huán)境  

基于CPLD與μC/OS -Ⅱ的斷路器智能控制單元設(shè)計(jì)

  • 關(guān)鍵字： 單元  設(shè)計(jì)  智能控制  斷路器  CPLD  C/OS  基于  

C/S與B/S性能及優(yōu)缺點(diǎn)分析

  • 　為了區(qū)別于傳統(tǒng)的C/S模式，才特意將其稱為B/S模式。認(rèn)識(shí)到這些結(jié)構(gòu)的特征，對(duì)于系統(tǒng)的選型而言是很關(guān)鍵的?！　∠到y(tǒng)的性能　　在系統(tǒng)的性能方面，B/S占有優(yōu)勢(shì)的是其異地瀏覽和信息采集的靈活性。任何時(shí)間、任何地點(diǎn)
  • 關(guān)鍵字： 分析  缺點(diǎn)  性能  B/S  C/S  

μC/OS-II與ARM在中央空調(diào)機(jī)組控制器中的應(yīng)用

  • μC/OS-II與ARM在中央空調(diào)機(jī)組控制器中的應(yīng)用, 介紹了以LPC2210為核心處理器，以μC/OS-II為實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)的中央空調(diào)機(jī)組控制器。給出了控制系統(tǒng)的總體硬件結(jié)構(gòu)，論述了實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)μC/OS-II的移植以及基于此的軟件設(shè)計(jì)。
  • 關(guān)鍵字： 控制器  應(yīng)用  機(jī)組  中央空調(diào)  ARM  C/OS-II  功率模塊  

μC/OS-II在ARM平臺(tái)上移植的深入探討

  • μC/OS-II在ARM平臺(tái)上移植的深入探討,在以S3C2410處理器的嵌入式平臺(tái)上，把經(jīng)典的vivi啟動(dòng)代碼與μC/OS-II操作系統(tǒng)結(jié)合在一起，探討了μC/OS-II的移植實(shí)現(xiàn)，尤其詳述了在ARM處理器ISR中斷模式下如何實(shí)現(xiàn)斷點(diǎn)數(shù)據(jù)保護(hù)的方法。利用該方法，可以將一般ARM系統(tǒng)的啟動(dòng)代碼同μC/OS-II操作系統(tǒng)融合起來(lái)，對(duì)于μC/OS-II操作系統(tǒng)在ARM平臺(tái)的推廣和μC/OS-II操作系統(tǒng)的研究都很有意義。
  • 關(guān)鍵字： 深入  探討  移植  平臺(tái)  ARM  C/OS-II  編解碼器  

C-RAN讓無(wú)線接入網(wǎng)綠色演進(jìn)

  • 傳統(tǒng)架構(gòu)的無(wú)線接入網(wǎng)在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代面臨著降低成本、提高性能和節(jié)能減排的挑戰(zhàn)，因此，必須引入新的網(wǎng)...
  • 關(guān)鍵字： C-RAN  

基于μC/OS-II設(shè)計(jì)整車(chē)控制器系統(tǒng)技術(shù)

  • 基于μC/OS-II設(shè)計(jì)整車(chē)控制器系統(tǒng)技術(shù),混聯(lián)式混合動(dòng)力系統(tǒng)的子系統(tǒng)眾多，其中整車(chē)控制器作為實(shí)現(xiàn)駕駛員駕駛需求和能量安全的管理系統(tǒng)，需要協(xié)調(diào)發(fā)動(dòng)機(jī)、扭矩、電機(jī)和電池的功率在不同工況下的合理分配，實(shí)現(xiàn)制動(dòng)能量回饋，并控制外圍設(shè)備(如空調(diào)、燈光)，
  • 關(guān)鍵字： 系統(tǒng)  技術(shù)  控制器  整車(chē)  C/OS-II  設(shè)計(jì)  基于  

采用C-MOS與非門(mén)的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動(dòng)電路

  • 電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數(shù)10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導(dǎo)通時(shí)的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來(lái)光。電
  • 關(guān)鍵字： 驅(qū)動(dòng)  電路  脈沖  發(fā)光二極管  C-MOS  與非門(mén)  采用  

采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

  • 電路的功能近來(lái)出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢(shì)，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級(jí)TTL構(gòu)成的時(shí)鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代，因?yàn)門(mén)TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng)，容易停振或
  • 關(guān)鍵字： C-MOS  轉(zhuǎn)換器  石英晶體  振蕩電路    

2010年中國(guó)（北京）國(guó)際IP核推介會(huì)即將召開(kāi)

  • 在工業(yè)和信息化部電子信息司的指導(dǎo)下，在國(guó)家集成電路公共服務(wù)聯(lián)盟的大力支持下，由工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心（CSIP）主辦，蘇州國(guó)芯科技有限公司承辦的2010年中國(guó)（北京）國(guó)際IP核推介會(huì)即將在京舉辦。本次會(huì)議的主題為嵌入式C*Core微處理器技術(shù)及其SoC設(shè)計(jì)平臺(tái)、開(kāi)發(fā)工具和解決方案，會(huì)議時(shí)間為2010年6月11日，周五（9：30—16:00），地點(diǎn)在北京麗亭華苑酒店3層金輝廳。 隨著SoC設(shè)計(jì)技術(shù)在我國(guó)的快速普及，國(guó)內(nèi)IP核消費(fèi)呈快速上升趨勢(shì)，據(jù)CSIP 2009年分析報(bào)告顯
  • 關(guān)鍵字： 國(guó)際IP核推介會(huì)  CPU  C*Core  

NXP將推出50種采用SiGe:C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品

  • 　　恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日宣布推出一系列采用最新SiGe(硅鍺)工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)、針對(duì)高頻無(wú)線電應(yīng)用的新產(chǎn)品，旨在滿足行業(yè)對(duì)更強(qiáng)大、高性價(jià)比和高集成度硅基技術(shù)日益增長(zhǎng)的需求。恩智浦將在2010年底前推出超過(guò)50種采用SiGe:C技術(shù)的產(chǎn)品，其QUBiC4 SiGe:C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)良的動(dòng)態(tài)范圍，專(zhuān)為滿足現(xiàn)實(shí)生活中無(wú)線、寬帶通信、網(wǎng)絡(luò)和多媒體市場(chǎng)領(lǐng)域的高頻應(yīng)用需要而設(shè)計(jì)。2010年5月25日至27日在加利福尼亞州阿納海姆舉行的“2010年IEEE MT
  • 關(guān)鍵字： NXP  SiGe:C  射頻  微波  
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c++memcpy內(nèi)存塊快速cop介紹

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