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EEPW首頁 >> 主題列表 >> can fd light

新型智能手表顯示FD-SOI正當(dāng)時？

  • 　　在今年，業(yè)界對FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術(shù)比較，轉(zhuǎn)移到由產(chǎn)品與應(yīng)用所決定的技術(shù)競爭。 　　因為沒有可見的終端產(chǎn)品能證明其號稱超低功耗的特色，全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，F(xiàn)D-SOI)制程一直得努力克服半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界許多工程師的質(zhì)疑，例如：該技術(shù)的好處在哪?在商業(yè)市場上有實(shí)際產(chǎn)品嗎?它真正的優(yōu)勢何在? 　　終于，現(xiàn)在有實(shí)際產(chǎn)品可以做為FD-SOI制程的實(shí)證──是一只中國智慧型手機(jī)品牌業(yè)者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
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格羅方德推出12nm FD-SOI工藝并拓展FDX路線圖

  • 　　格羅方德9月8日發(fā)布12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎(chǔ)之上，12FDXTM提供全節(jié)點(diǎn)縮放和超低功耗，并通過軟件控制實(shí)現(xiàn)按需定制性能，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計。 　　隨著數(shù)以百萬計的互聯(lián)設(shè)備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應(yīng)用也不斷要求著半導(dǎo)體的進(jìn)一步創(chuàng)新。用于實(shí)現(xiàn)這些應(yīng)用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統(tǒng)，集成包括無線連接、非易失性存
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格羅方德半導(dǎo)體推出12nm FD-SOI工藝，拓展FDX路線圖

  • 　　格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎(chǔ)之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計。 　　隨著數(shù)以百萬計的互聯(lián)設(shè)備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應(yīng)用也不斷要求著半導(dǎo)體的進(jìn)一步創(chuàng)新。用于實(shí)現(xiàn)這些應(yīng)用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統(tǒng)，集成包括無線連接、非易失性存儲器以及電源管理等在內(nèi)的越來越多的組件，
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格羅方德半導(dǎo)體推出生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴計劃以加快未來互聯(lián)系統(tǒng)創(chuàng)新

  • 　　格羅方德半導(dǎo)體今日宣布一項全新合作伙伴計劃FDXcelerator™，該生態(tài)系統(tǒng)旨在為客戶加速基于22FDX™的片上系統(tǒng)設(shè)計，并縮短產(chǎn)品上市時間。 　　隨著公司新一代12FDX™的發(fā)布，格羅方德現(xiàn)提供業(yè)內(nèi)首個FD-SOI 路線圖，并隨之建立了FDXcelerator™合作伙伴計劃，為希望實(shí)現(xiàn)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)設(shè)計的客戶提供了一條低成本的遷移路徑。 　　通過格羅方德半導(dǎo)體和FDXcelerator合作伙伴解決方案，客戶將能打造各類創(chuàng)新的22FDX 片上系統(tǒng)解決方
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問世

  • 　　Samsung Foundry準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。 　　三星晶圓代工業(yè)務(wù)(Samsung Foundry)準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項??。 　　Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該
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FD-SOI制程決勝點(diǎn)在14nm！

  • 　　產(chǎn)業(yè)資深顧問Handel Jones認(rèn)為，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該盡速轉(zhuǎn)移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術(shù)的眾多優(yōu)勢… 　　半 導(dǎo)體與電子產(chǎn)業(yè)正努力適應(yīng)制程節(jié)點(diǎn)微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚(yáng);如下圖所示，在制程微縮同時，每單位面積的邏輯閘或電晶體數(shù)量持續(xù)增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當(dāng)制程特征尺寸縮 減時，晶片系統(tǒng)性與參數(shù)性良率會降低，帶來較高的閘成本。 　　  
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Globalfoundries正進(jìn)行下一代FD-SOI制程開發(fā)

  • 　　Globalfoundries技術(shù)長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。 　　晶圓代工業(yè)者Globalfoundries技術(shù)長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。 　　Globalfoundries聲稱其針對不同應(yīng)用最佳化的22FDX平臺四種制程，能提
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FD-SOI會是顛覆性技術(shù)嗎？

  • 　　全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動，象征著為這項技術(shù)背書。 　　“我認(rèn)為，F(xiàn)D-SOI正蓄勢待發(fā)。也許還得經(jīng)過幾年的時間，但它終將獲得新的動能，并發(fā)展成為一項關(guān)鍵技術(shù)，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng)
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中國真的對FD-SOI制程技術(shù)有興趣？

  • 　　身為一位記者，我發(fā)現(xiàn)撰寫有關(guān)于“熱門”公司、技術(shù)與人物的報導(dǎo)，要比我通常負(fù)責(zé)的技術(shù)主題容易得多;一旦我寫了那些“時髦”的標(biāo)題，我會確實(shí)感受到人氣飆漲。 　　因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫那些，以及那些新聞為何對他們重要;我馬上想到的是美國總統(tǒng)候選人川普(Donald Trump)、蘋果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫冷門題材、比較少人討論的話題，挑戰(zhàn)性就高得多;部分讀者會有先入為主的看法，認(rèn)為那 些題目不關(guān)他們
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FD-SOI與FinFET互補(bǔ)，是中國芯片業(yè)彎道超車機(jī)會

  • 本文介紹了Soitec半導(dǎo)體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點(diǎn)、最新進(jìn)展及其生態(tài)系統(tǒng)，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域和應(yīng)用前景。
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“中國芯”入資法國半導(dǎo)體公司

  • 中國芯片企業(yè)起步較晚，在發(fā)展中屢屢遭受國際巨頭的“專利圍剿”，通過支持重點(diǎn)企業(yè)的兼并重組及海外收購，培育具有核心競爭力的大型企業(yè)，無疑是明智的手段，也是最有效的手段。
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Soitec半導(dǎo)體公司和FD-SOI技術(shù)：選擇理想的企業(yè)和技術(shù)，助力中國創(chuàng)新藍(lán)圖

  • 　　全球領(lǐng)先的絕緣硅(SOI)晶圓制造商法國Soitec半導(dǎo)體公司今日在北京舉辦的新聞發(fā)布會中介紹了該公司在中國市場的發(fā)展歷史、全耗盡絕緣硅(FD-SOI)基板的成熟性和生產(chǎn)及準(zhǔn)備狀態(tài)、FD-SOI的最新進(jìn)展及其生態(tài)系統(tǒng)。與會發(fā)言人包括Soitec公司市場和業(yè)務(wù)拓展部高級副總裁Thomas Piliszczuk， 以及Soitec公司數(shù)字電子商務(wù)部高級副總裁Christophe Maleville。會上主要討論的問題包括該技術(shù)是否適合各代工廠及應(yīng)用設(shè)計師廣泛使用，更重要的是，該技術(shù)如何解決中國半導(dǎo)體行業(yè)及
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三星發(fā)飆：半導(dǎo)體28nm FD-SOI投片 功耗暴降一半

  • 　　蘋果(Apple)宣布以182萬美元從美信半導(dǎo)體(Maxim Integrated)買下位于加州圣荷西的一座8吋晶圓廠。專家分析認(rèn)為，此舉并不會影響與蘋果合作的晶圓代工廠生意。 　　據(jù)SemiWiki報導(dǎo)指出，SEMI World Fab Watch Database資料顯示，蘋果買下的晶圓廠于1987年建立，即使全面開工每月也只能生產(chǎn)1萬片晶圓，規(guī)模相對小且老舊，無法生產(chǎn)蘋果所需的應(yīng)用處理器(AP)。 　　蘋果最新AP采16/14納米FinFET制程，而10納米制程也正在開發(fā)中。8吋晶圓近日才微
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手機(jī)鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI

  • 　　DIGITIMES Research觀察，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會關(guān)鍵晶圓片底材供應(yīng)商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手
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Leti從FD-SOI學(xué)到的一課：打造生態(tài)系統(tǒng)

  • 　　今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國CEA-Leti和比利時IMEC舉辦的年度開放日活動剛好都在六月的同一時期舉行。但這種時程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認(rèn)為。Leti的一位官方代表指出，“在過去七年來我們一直是在六月的同一周舉行年度活動。對他們來說，我們的排程應(yīng)該不是什么秘密。” 　　   　　Leti位于法國格勒諾布爾市創(chuàng)新園區(qū)的核心地帶 　　不過，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
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