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Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

  • Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長的需求。三菱電機的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽。日本備受贊譽的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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三菱電機和Nexperia合作開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體

  • 三菱電機將與Nexperia（安世）合力開發(fā)SiC芯片，通過SiC功率模塊來積累相關(guān)技術(shù)經(jīng)驗。東京--(美國商業(yè)資訊)--三菱電機株式會社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體。三菱電機將利用其寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia將使用這些芯片開發(fā)SiC分離器件。電動汽車市場正在全球范圍內(nèi)擴大，并有助于推動Si
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電裝5億美元入股這家SiC公司

  • 11月6日，株式會社電裝（Denso）宣布對Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元，入股后，電裝將獲得該公司12.5%的股權(quán)。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長期穩(wěn)定采購。關(guān)于本次投資，市場方面早有相關(guān)消息傳出。今年9月底有報道稱，電裝、三菱電機等多家企業(yè)對投資Coherent的SiC業(yè)務(wù)感興趣，并且已經(jīng)就收購Coherent的SiC業(yè)務(wù)少數(shù)股權(quán)進行過討論。分拆SiC業(yè)務(wù)能夠給投資者提供更多投資機會，同時也是對SiC發(fā)展前景的看好，Coher
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保護汽車 CAN 總線系統(tǒng)免受 ESD 過壓事件的影響

  • 控制器局域網(wǎng) (CAN) 是許多汽車應(yīng)用中廣泛使用的通信協(xié)議。如同任何其他外露連接器接口，CAN 接口會發(fā)生高壓瞬變事件，如靜電放電 (ESD)。在 CAN 總線連接器上安裝 ESD 保護二極管，不僅能夠保護 CAN 收發(fā)器，還能夠保護所有下游和相鄰系統(tǒng)免受 ESD 耦合能量的影響。為了確保穩(wěn)健的系統(tǒng)級保護，了解 CAN 總線的基本工作條件以及如何為 CAN 總線選擇合適的 ESD 保護二極管非常重要。
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應(yīng)對汽車檢測認證機構(gòu)測試需求,泰克提供SiC性能評估整體測試解決方案

  • _____近年來，在國家“雙碳”戰(zhàn)略指引下，汽車行業(yè)油電切換提速，截至2022年新能源汽車滲透率已經(jīng)超過25%。汽車電動化浪潮中，半導(dǎo)體增量主要來自于功率半導(dǎo)體，根據(jù) Strategy Analytics，功率半導(dǎo)體在汽車半導(dǎo)體中的占比從傳統(tǒng)燃油車的21%提升至純電動車的55%，躍升為占比最大的半導(dǎo)體器件。同其他車用電子零部件一樣，車規(guī)級功率半導(dǎo)體也須通過AEC-Q100認證規(guī)范所涵蓋的7大類別41項測試要求。對于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體器件，業(yè)界已經(jīng)建立了一套成熟有效的測試評估流程。而對于近兩年被普遍應(yīng)用于開發(fā)
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通過碳化硅(SiC)增強電池儲能系統(tǒng)

  • 電池可以用來儲存太陽能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時段產(chǎn)生的能量，這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓撲結(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開關(guān)的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學(xué)儲能、化學(xué)儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學(xué)儲能系統(tǒng)，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點。此外，鋰離子電池技術(shù)成熟，因
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良率超 50%，全球第三大硅晶圓廠環(huán)球晶明年試產(chǎn) 8 英寸 SiC

  • IT之家 10 月 27 日消息，全球第三大硅晶圓生產(chǎn)商環(huán)球晶圓控股（GlobalWafers）董事長徐秀蘭表示，公司克服了量產(chǎn)碳化硅（SiC）晶圓的重重技術(shù)難關(guān)，已經(jīng)將 SiC 晶圓推進至 8 英寸，和國際大廠保持同步。徐秀蘭預(yù)估將會在 2024 年第 4 季度開始小批量出貨 8 英寸 SiC 產(chǎn)品，2025 年大幅增長，到 2026 年占比超過 6 英寸晶圓。環(huán)球晶圓表示目前較好地控制了 8 英寸晶圓良率，已經(jīng)超過 50%，而且有進一步改善的空間，明年上半年開始交付相關(guān)樣品。IT之家從報道中
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2024年全球超過一半的SiC晶圓可能來自中國

  • 2023年，中國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)歷史性突破。 在碳化硅（SiC）晶體生長領(lǐng)域，尤其得到國際IDM廠商的認可，中國廠商產(chǎn)能大幅提升。 此前，來自中國的SiC材料僅占全球市場的5%。 然而，到2024年，預(yù)計將搶占可觀的市場份額。該領(lǐng)域的主要中國公司，包括SICC、TankeBlue和三安，幾乎都將產(chǎn)能擴大了千倍。我國大約有四到五家從事SiC晶體生長的龍頭企業(yè)，為測算我國SiC晶體生長產(chǎn)能提供了依據(jù)。 目前，他們的月產(chǎn)能合計約為60,000單位。 隨著各公司積極增產(chǎn)，預(yù)計到2024年月產(chǎn)能將達到12萬單位
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SiC主驅(qū)逆變器讓電動汽車延長5%里程的秘訣

  • 不斷增長的消費需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識/環(huán)境法規(guī)約束，以及越來越豐富的可選方案，都在推動著人們選用電動汽車 (EV)，令電動汽車日益普及。高盛近期的一項研究顯示，到 2023 年，電動汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%；到 2030 年，預(yù)計將增長至 30%；到 2035 年，電動汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔(dān)心充一次電后行駛里程不夠長，則是影響電動汽車普及的主要障礙之一。克服這一問題的關(guān)鍵是在不顯著增加成本的情況下延長車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化
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25 年資深專家?guī)ш?，三星已布局推進碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

  • IT之家 10 月 19 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星電子內(nèi)部組建了新的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體團隊，已經(jīng)任命安森美半導(dǎo)體前董事洪錫?。⊿tephen Hong）擔(dān)任副總裁，負責(zé)監(jiān)管相關(guān)業(yè)務(wù)。洪錫俊是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家，在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經(jīng)驗，加入三星后，他負責(zé)領(lǐng)導(dǎo)這項工作。洪錫俊負責(zé)組建和帶領(lǐng)這支 SiC 商業(yè)化團隊，同時積極與韓國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和學(xué)術(shù)機構(gòu)合作進行市場和商業(yè)可行性研究。值得注意的是，三星在正式進軍 GaN（氮化鎵）業(yè)
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SiC MOSFET 器件特性知多少？

  • 對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關(guān)超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓
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SiC和GaN的應(yīng)用優(yōu)勢與技術(shù)挑戰(zhàn)

  • 1? ?SiC和GaN應(yīng)用及優(yōu)勢我們對汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和可再生能源等廣泛市場中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應(yīng)用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動汽車（EV）：SiC和GaN 可用于電動汽車，以提高效率、續(xù)航里程和整車性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電，以減少功率損耗并提高效率?！? ?數(shù)據(jù)中心：SiC 和GaN 可用于數(shù)據(jù)中心電源，以提高效率并降低運營成本。●? ?可再生能
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SiC和GaN的技術(shù)應(yīng)用挑戰(zhàn)

  • 1 SiC和GaN的優(yōu)勢相比傳統(tǒng)MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅(qū)動損耗和更高的開關(guān)速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應(yīng)用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車牽引逆變器、車載充電器和直流/ 直流轉(zhuǎn)換器、大功率太陽能發(fā)電站和大型三相電網(wǎng)變流器等應(yīng)用。SiC 進入市場的時間略長，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導(dǎo)通電阻。
  • 關(guān)鍵字： 202310  納芯微  SiC  GaN  

東芝在SiC和GaN的技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新

  • 1 SiC、GaN相比傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢雖然硅功率器件目前占據(jù)主導(dǎo)地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應(yīng)用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級應(yīng)用。最為重要的一點，SiC 的擊穿場是硅的10 倍。由于這種性質(zhì)，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開關(guān)器件。此外，SiC 的導(dǎo)熱系數(shù)大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
  • 關(guān)鍵字： 202310  東芝  SiC  GaN  

ST在SiC和GaN的發(fā)展簡況

  • ST（ 意法半導(dǎo)體） 關(guān)注電動汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應(yīng)用領(lǐng)域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實現(xiàn)能效和功率密度更高的產(chǎn)品設(shè)計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強型HEMT 開關(guān)管用于開發(fā)超快速充電和高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統(tǒng)變得尺寸更小，重量更輕，開關(guān)和導(dǎo)通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
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