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北大碳基集成電路成果被《2017中國(guó)自然指數(shù)》專題報(bào)道
- 2017年5月25日,英國(guó)《自然》期刊增刊《2017中國(guó)自然指數(shù)》(第5545卷,7655期)出版。最新的自然指數(shù)(nature index)表明,在過(guò)去15年中,材料科學(xué)(尤其是納米材料等)領(lǐng)域已成為各國(guó)政策制定者的關(guān)注重點(diǎn),大力投資材料科學(xué)也成為中國(guó)整體科技戰(zhàn)略的重要組成部分。近年來(lái),中國(guó)始終是在材料科學(xué)領(lǐng)域發(fā)表論文最多的國(guó)家,其背后是政府的大規(guī)模資金投入和大力引進(jìn)人才。然而,材料科學(xué)家認(rèn)為,需要將更多的資源投入到基礎(chǔ)研究的轉(zhuǎn)化中;應(yīng)用科學(xué)家表示,如果沒(méi)有足夠的扶持,中國(guó)在材料研究商業(yè)化方面的努力
- 關(guān)鍵字: 集成電路 CMOS
后CMOS時(shí)代 Intel稱有12種設(shè)想可降低產(chǎn)品功耗
- 自從14nm節(jié)點(diǎn)開(kāi)始,Intel在傳統(tǒng)CMOS半導(dǎo)體工藝升級(jí)上的步伐就慢下來(lái)了,Tick-Tock戰(zhàn)略名存實(shí)亡,還被TSMC、三星兩家趕超、奚落,甚至連市值都被TSMC超越了,以致于Intel為了挽回面子都想法推動(dòng)新的半導(dǎo)體工藝命名規(guī)則了。傳統(tǒng)CMOS工藝很可能在2024年終結(jié),對(duì)此Intel也不是沒(méi)有準(zhǔn)備,最近他們公布了后CMOS時(shí)代的一些技術(shù)思路,Intel的目標(biāo)是在保持現(xiàn)有晶圓工廠的情況下制造功耗更低的產(chǎn)品,電壓可以低至0.5V,這在目前的晶體管下是不可能的。 根據(jù)EE
- 關(guān)鍵字: Intel CMOS
索尼再現(xiàn)黑科技:將DRAM集成到CMOS傳感器
- 索尼這幾年的手機(jī)之路走得并不平坦,不過(guò)沒(méi)有隨波逐流,漸漸變得默默無(wú)聞。作為黑科技的代名詞,索尼在半導(dǎo)體上的造詣可不是一般的強(qiáng)大??赡芎芏嗳藭?huì)覺(jué)得索尼沒(méi)聽(tīng)說(shuō)在半導(dǎo)體上有哪些重大貢獻(xiàn),但是如果索尼的半導(dǎo)體工廠停工,因?yàn)槿虻氖謾C(jī)CMOS大部分來(lái)自索尼。 索尼XZ Prumium 索尼鏡頭 索尼展示技術(shù) 在今年的MWC上,索尼除了帶來(lái)全新的智能手機(jī)之外,他們還帶來(lái)了全新的三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)索尼官方介紹,三層堆疊式CMOS傳感器是在像素層和信號(hào)處理電路之間加入一層
- 關(guān)鍵字: 索尼 CMOS
索尼革命性拍照黑科技:把內(nèi)存塞進(jìn)CMOS
- 盡管近段時(shí)間索尼忙于月底的MWC 2017,但這似乎并不影響索尼偶爾刷刷黑科技的習(xí)慣。近日,索尼推出了一款劃時(shí)代的傳感器產(chǎn)品——全球首款三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)了解,索尼這種三層堆疊式傳感器基于目前CMOS傳感器進(jìn)行改進(jìn),在像素層和信號(hào)處理電路層之間又增加了一層DRAM。新一代CMOS傳感器原理新一代CMOS傳感器原理 技術(shù)介紹稱,大容量低功耗DRAM的加入可以讓傳感器獲得高速讀取的能力,從而拍攝快速移動(dòng)物體時(shí)能夠更加從容,有效減少拍攝時(shí)所產(chǎn)生的焦平面失真現(xiàn)象,使得抓拍、慢動(dòng)作都會(huì)更加
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CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析
- 1 CMOS集成電路的性能及特點(diǎn) 1.1 功耗低CMOS集成電路采用場(chǎng)效應(yīng)管,且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu),工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場(chǎng)效應(yīng)管總是處于一個(gè)管導(dǎo)通,另一個(gè)管截止的狀態(tài),電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上,由于存在漏電流,CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個(gè)門電路的功耗典型值僅為20mW,動(dòng)態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時(shí))也僅為幾mW?! ?.2 工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電簡(jiǎn)單,供電電源體積小,基本上不需穩(wěn)壓。國(guó)產(chǎn)CC4000系列的集成電路,可在3~18V電壓下正常工作。 1.3
- 關(guān)鍵字: CMOS 集成電路
CMOS影像傳感器供不應(yīng)求 市場(chǎng)價(jià)格止跌
- 據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo),攝影用的CMOS影像傳感器市場(chǎng),由于市場(chǎng)需求增大,原本跌價(jià)的趨勢(shì)已逐漸趨緩,智能手機(jī)用品的2016年7~9月報(bào)價(jià)甚至與10~12月報(bào)價(jià)維持相同水準(zhǔn),預(yù)料2017年初市場(chǎng)需求不減,報(bào)價(jià)甚至有上漲的可能。 以1,300萬(wàn)畫素的產(chǎn)品來(lái)看,2016年第1季~第2季單價(jià)下滑10%,第3季下滑僅約5%,第4季就停在與第3季相當(dāng)?shù)拿總€(gè)2~3美元水準(zhǔn)。 造成CMOS影像傳感器價(jià)格下滑趨勢(shì)減緩的理由,主要在高階智能手機(jī)轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設(shè)計(jì),讓高階手機(jī)市場(chǎng)的CMOS影像傳
- 關(guān)鍵字: CMOS 像傳感器
CMOS影像傳感器供不應(yīng)求 市場(chǎng)價(jià)格止跌
- 據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo),攝影用的CMOS影像傳感器市場(chǎng),由于市場(chǎng)需求增大,原本跌價(jià)的趨勢(shì)已逐漸趨緩,智能手機(jī)用品的2016年7~9月報(bào)價(jià)甚至與10~12月報(bào)價(jià)維持相同水準(zhǔn),預(yù)料2017年初市場(chǎng)需求不減,報(bào)價(jià)甚至有上漲的可能。 以1,300萬(wàn)畫素的產(chǎn)品來(lái)看,2016年第1季~第2季單價(jià)下滑10%,第3季下滑僅約5%,第4季就停在與第3季相當(dāng)?shù)拿總€(gè)2~3美元水準(zhǔn)。 造成CMOS影像傳感器價(jià)格下滑趨勢(shì)減緩的理由,主要在高階智能手機(jī)轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設(shè)計(jì),讓高階手機(jī)市場(chǎng)的CMOS影像傳
- 關(guān)鍵字: CMOS 傳感器
cmos 介紹
CMOS
Complementary Metal Oxide Semiconductor
指互補(bǔ)金屬氧化物(PMOS管和NMOS管)共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路制造工藝,它的特點(diǎn)是低功耗。由于CMOS中一對(duì)MOS組成的門電路在瞬間看,要么PMOS導(dǎo)通,要么NMOS導(dǎo)通,要么都截至,比線性的三極管(BJT)效率要高得多,因此功耗很低。
在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域,CMOS常指保存計(jì)算機(jī)基本啟動(dòng)信息(如日 [ 查看詳細(xì) ]
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