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最簡單的上下拉的問題

  • 　　本文介紹了上下拉電阻的作用、使用方法等問題。 　　重要信號(hào)線的上下拉問題 　　一般說來，不光是重要的信號(hào)線，只要信號(hào)在一段時(shí)間內(nèi)可能出于無驅(qū)動(dòng)狀態(tài)，就需要處理。 　　比如說，一個(gè)CMOS門的輸入端阻抗很高，沒有處理，在懸空狀況下很容易撿拾到干擾，如果能量足夠甚至?xí)?dǎo)致?lián)舸┗蛘唛V鎖，導(dǎo)致器件失效。祈禱輸入的保護(hù)二極管安全工作吧。如果電平一直處于中間態(tài)，那輸出就可能是不確定的情況，也可能是上下MOS都導(dǎo)通，對(duì)器件壽命造成影響。 　　總線上當(dāng)所有的器件都處于高阻態(tài)時(shí)也容易有干擾出現(xiàn)。因?yàn)檫@時(shí)讀寫控制
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中國借力美國矽谷“超越摩爾定律”

  • 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)因?yàn)閯?chuàng)投社群對(duì)硬件開發(fā)領(lǐng)域興趣缺缺而沮喪了好長一段時(shí)間，“超越摩爾定律”有足夠的吸引力嗎?
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Sony欲強(qiáng)化CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù) 不排除并購可能

  • 　　Sony于8月推出全球首款內(nèi)建4K錄影功能的數(shù)位相機(jī)α7R II后，將續(xù)推高階α7R系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品不采用化學(xué)低通濾鏡(bandpass filter)，故圖像更為銳利。像素自3，640萬提高至4，240萬，同時(shí)加強(qiáng)自動(dòng)對(duì)焦(AF)與防手震功能。 　　日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)報(bào)導(dǎo)，該相機(jī)并有399個(gè)相位對(duì)焦點(diǎn)、5軸圖像穩(wěn)定系統(tǒng)與4K錄影等特色，感光值(ISO)最高可達(dá)ISO 102，400，結(jié)合了高解析、高感光及高速對(duì)焦的機(jī)種，實(shí)際售價(jià)約45.1萬日?qǐng)A(約3，800美
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一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路

  • 　　在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩(wěn)定尤為重要，因此需要在芯片內(nèi)部集成欠壓鎖定電路來提高電源的可靠性和安全性。對(duì)于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。 　　傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡單、實(shí)用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統(tǒng)在正常工作時(shí)，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)，影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 　　基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過HSPICE仿真。此電路可以在1.
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艾邁斯半導(dǎo)體推出可拓展的高壓CMOS晶體管

  • 　　全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體公司晶圓代工事業(yè)部今日宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的0.35µm高壓CMOS專業(yè)制程平臺(tái)?；谠摳邏褐瞥唐脚_(tái)的先進(jìn)“H35”制程工藝，使艾邁斯半導(dǎo)體能涵蓋一整套可有效節(jié)省空間并提升設(shè)備性能的電壓可拓展的晶體管。 　　新的電壓可拓展的高壓NMOS和PMOS晶體管器件針對(duì)20V至100V范圍內(nèi)的各種漏源電壓進(jìn)行了優(yōu)化，顯著降低了導(dǎo)通電阻，因此可節(jié)省器件空間。在電源管理應(yīng)用中，用優(yōu)化的30V NMOS晶體管代替固定的50V晶
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車載導(dǎo)航必備！電壓高達(dá)36V，精度可達(dá)1%的LDO

  • 　　電源部分是電子系統(tǒng)中非常重要的組成部分之一，電子系統(tǒng)要正常工作，首先要保證電源部分正常工作。而電子系統(tǒng)要可靠、穩(wěn)定的工作，對(duì)其電源部分的要求也是非常高的。針對(duì)不同的應(yīng)用，電能的供應(yīng)有不同的來源，如交流電網(wǎng)，發(fā)電機(jī)，電池供電，或者多種方式組合使用等。汽車電子系統(tǒng)的供電，是采用發(fā)電機(jī)為電池進(jìn)行充電，電池再向汽車電子系統(tǒng)供電。雖然發(fā)電機(jī)沒有直接為汽車電子系統(tǒng)供電，但發(fā)電機(jī)工作時(shí)產(chǎn)生的瞬態(tài)高壓、大電流及強(qiáng)脈沖干擾，仍然會(huì)對(duì)汽車電子系統(tǒng)，尤其是其中的電源供電部分造成嚴(yán)重的沖擊。因此，對(duì)汽車電子系統(tǒng)電源部分還要求
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使用CMOS集成電路需注意的幾個(gè)問題

  • 　　集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個(gè)問題： 　　1、電源問題 　　(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時(shí)，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路
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一些常用的電平標(biāo)準(zhǔn)

  • 　　現(xiàn)在常用的電平標(biāo)準(zhǔn)有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡單介紹一下各自的供電電源、電平標(biāo)準(zhǔn)以及使用注意事項(xiàng)。 　　TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結(jié)構(gòu)。 　　Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 　　因?yàn)?.4V與5V之間還有很大空閑
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CMOS電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要求

  • 　　簡介：大部分的ESD電流來自電路外部，因此ESD保護(hù)電路一般設(shè)計(jì)在PAD旁，I/O電路內(nèi)部。典型的I/O電路由輸出驅(qū)動(dòng)和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過PAD導(dǎo)入芯片內(nèi)部，因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線，再由電壓線分布到芯片各個(gè)管腳，降低ESD的影響。 　　引言 　　靜電放電會(huì)給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧 厚度越來越薄，芯片的面
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學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計(jì)算出來的

  • 　　簡介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結(jié)!希望大家堅(jiān)持下去! 　　1、CS單管放大電路 　　共源級(jí)單管放大電路主要用于實(shí)現(xiàn)輸入小信號(hào)的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí)，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號(hào)放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實(shí)現(xiàn)信號(hào)的最大限度放大【理想條件下】
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CMOS和TTL集成門電路多余輸入端的處理方法

  • 　　簡介：CMOS和TTL集成門電路在實(shí)際使用時(shí)經(jīng)常遇到這樣一個(gè)問題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作?本文給出了解決這個(gè)問題的方法，供大家參考。 　　CMOS門電路 　　CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號(hào)易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下
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TTL與CMOS電路的區(qū)別

  • 　　簡介：本文介紹了TTL電平和CMOS電平之間的區(qū)別以及使用注意事項(xiàng)等內(nèi)容。 　　TTL：雙極型器件，一般電源電壓 5V，速度快(數(shù)ns)，功耗大(mA級(jí))，負(fù)載力大，不用端多數(shù)不用處理。 　　CMOS：單級(jí)器件，一般電源電壓 15V，速度慢(幾百ns)，功耗低，省電(uA級(jí))，負(fù)載力小，不用端必須處理。 　　CMOS 和 TTL 電平的主要區(qū)別在于輸入轉(zhuǎn)換電平。 　　CMOS：它的轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2，因?yàn)?CMOS 的輸入時(shí)互補(bǔ)的，保證了轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2。 　　TTL：
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CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理

  • 　　一、CMOS門電路 　　CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號(hào)易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法： 　　1、與門和與非門電路：由于與門電路的邏輯功能是輸入信號(hào)只要有低電平，輸出信號(hào)就為低電平，只有全部為高電平時(shí)，輸出端才為高電平。而與非門電路的邏輯功能是輸入信號(hào)只要有低電平
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我的一些數(shù)字電子知識(shí)總結(jié)（3）

  • 　　簡介：繼續(xù)把我在學(xué)習(xí)數(shù)字電路過程中的一些“細(xì)枝末節(jié)”小結(jié)一下，和大家共享。 　　1、在數(shù)字電路中，BJT一般工作在截止區(qū)或飽和區(qū)，放大區(qū)的經(jīng)歷只是一個(gè)轉(zhuǎn)瞬即逝的過程，這個(gè)過程越長，說明它的動(dòng)態(tài)性能越差;同理，CMOS管也是只工作在截止區(qū)或可變電阻區(qū)，恒流區(qū)的經(jīng)歷只是一個(gè)非常短暫的過程。因?yàn)槲覀冃枰氖谴_切的0、1值，不能過于“含糊”，否則數(shù)字系統(tǒng)內(nèi)門電路之間的抗干擾性能會(huì)大打折扣! 　　2、數(shù)字IC內(nèi)部很多門電路一般都是把許多CMOS管并聯(lián)起來，這樣
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學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計(jì)算出來的

  • 　　1、CS單管放大電路 　　共源級(jí)單管放大電路主要用于實(shí)現(xiàn)輸入小信號(hào)的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí)，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號(hào)放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實(shí)現(xiàn)信號(hào)的最大限度放大【理想條件下】，則確定的靜態(tài)工作點(diǎn)約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2，但是
  • 關(guān)鍵字： CMOS  電路  
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