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高電源抑制的帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)方案
- 本文通過(guò)結(jié)合LDO與Brokaw基準(zhǔn)核心,設(shè)計(jì)出了高PSR的帶隙基準(zhǔn),此帶隙基準(zhǔn)輸出的1.186 V電壓的低頻PSR為-145 dB,最高PSR為-36 dB,溫漂可以達(dá)到7.5 ppm,適用于電子鎮(zhèn)流器芯片。本設(shè)計(jì)還優(yōu)化了啟動(dòng)部分,使新的帶隙基準(zhǔn)可以在短時(shí)間內(nèi)順利啟動(dòng)。 1 電路結(jié)構(gòu) 1.1 基準(zhǔn)核心 目前的基準(zhǔn)核心可以有多種實(shí)現(xiàn)方案:混合電阻,Buck voltage transfer cell,但是修調(diào)復(fù)雜,不宜工業(yè)化。本設(shè)計(jì)采用Brokaw基準(zhǔn)核心,其較易實(shí)現(xiàn)高壓基準(zhǔn)輸出,并
- 關(guān)鍵字: 帶隙基準(zhǔn)源 LDO
高效率電源管理芯片
- 摘要:DC-DC控制IC在各電子產(chǎn)品中應(yīng)用廣泛,為了統(tǒng)一物料,工程師往往會(huì)用自己熟悉且能輸出較大電流的DC-DC芯片,不管負(fù)載大小均用一個(gè)型號(hào)一統(tǒng)江湖。由此可能在小負(fù)載電流時(shí),效率不盡如人意,該怎么解決? 1、從效率方面考慮LDO和DC-DC轉(zhuǎn)換器的選擇 LDO:輸入電壓和輸出電壓差別不大,而且電流較小時(shí),可以選擇LDO芯片; 由LDO的功率損耗由公式可以看出,當(dāng)輸入輸出的壓差較大,或者輸出電流較大時(shí),那么損失的功耗就很高,發(fā)熱比較嚴(yán)重,在很多設(shè)計(jì)上不能使用,但是如果是低壓差,小電流
- 關(guān)鍵字: LDO DC-DC
高速ADC 的電源設(shè)計(jì)
- 系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員正面臨越來(lái)越多的挑戰(zhàn),他們需要在不降低系統(tǒng)組件(例如:高速 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器)性能的情況下讓其設(shè)計(jì)最大程度地節(jié)能。設(shè)計(jì)人員們可能會(huì)轉(zhuǎn)而采 用許多電池供電的應(yīng)用(例如:某種手持終端、軟件無(wú)線設(shè)備或便攜式超聲波掃 描儀),也可能會(huì)縮小產(chǎn)品的外形尺寸,從而需要尋求減少發(fā)熱的諸多方法?! O大降低系統(tǒng)功耗的一種方法是對(duì)高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的電源進(jìn)行優(yōu)化。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)的一些最新進(jìn)展,讓許多新型ADC可以直接由開(kāi)關(guān)電源來(lái)驅(qū) 動(dòng),從而達(dá)到最大化功效的目的?! ∠到y(tǒng)
- 關(guān)鍵字: ADC LDO
索尼正式加入汽車熱潮:設(shè)立車用CMOS芯片部門
- 汽車行業(yè)(汽車電子、車聯(lián)網(wǎng))已經(jīng)成為科技和互聯(lián)網(wǎng)巨頭紛紛布局的下一個(gè)熱門領(lǐng)域,其中蘋果也跟進(jìn)谷歌(微博),開(kāi)始研發(fā)電動(dòng)車。而在日前,日本索尼公司也對(duì)架構(gòu)進(jìn)行了重組,設(shè)立了獨(dú)立的汽車業(yè)務(wù)部門,擬開(kāi)發(fā)車用CMOS圖像傳感器的市場(chǎng)。 據(jù)“今日日本”網(wǎng)站12月28日?qǐng)?bào)道,索尼日前對(duì)外公布了公司架構(gòu)的重組事宜以及人事變化,架構(gòu)調(diào)整將會(huì)從2016年1月1日生效。 索尼宣布,在“設(shè)備解決方案業(yè)務(wù)集團(tuán)”下,新設(shè)立三個(gè)部門,“汽車業(yè)務(wù)”
- 關(guān)鍵字: 索尼 CMOS
索尼新增車載事業(yè)部,CMOS傳感器做臥底?
- 索尼公布了將于2016年1月1日實(shí)施的人事及機(jī)構(gòu)改革方案。在機(jī)構(gòu)改革方案中,引人注目的是在器件解決方案事業(yè)本部中新設(shè)了3個(gè)組織。 新設(shè)的三個(gè)組織分別是車載事業(yè)部、模塊事業(yè)部、商品開(kāi)發(fā)部。雖然詳情未公布,不過(guò)可以看出此舉目的是強(qiáng)化圖像傳感器業(yè)務(wù)等。最近,索尼從東芝手中接收了用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器的300mm晶圓生產(chǎn)線和員工。 在智能手機(jī)及數(shù)碼相機(jī)等使用的CMOS圖像傳感器方面,索尼占有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。而在車載攝像頭使用的圖像傳感器方面,美國(guó)安森美半導(dǎo)體表示自己份額第一,“索尼并不是
- 關(guān)鍵字: 索尼 CMOS
索尼在器件部門新設(shè)車載事業(yè)部
- 索尼公布了將于2016年1月1日實(shí)施的人事及機(jī)構(gòu)改革方案。在機(jī)構(gòu)改革方案中,引人注目的是在器件解決方案事業(yè)本部中新設(shè)了3個(gè)組織?! ⌒略O(shè)的三個(gè)組織分別是車載事業(yè)部、模塊事業(yè)部、商品開(kāi)發(fā)部。雖然詳情未公布,不過(guò)可以看出此舉目的是強(qiáng)化圖像傳感器業(yè)務(wù)等。最近,索尼從東芝手中接收了用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器的300mm晶圓生產(chǎn)線和員工(參閱本站報(bào)道)?! ≡谥悄苁謾C(jī)及數(shù)碼相機(jī)等使用的CMOS圖像傳感器方面,索尼占有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。而在車載攝像頭使用的圖像傳感器方面,美國(guó)安森美半導(dǎo)體表示自己份額第一,“索尼并不是第一
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CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流
- 由于具有較低的偏置電流,人們經(jīng)常選用CMOS和JFET運(yùn)算放大器。然而你應(yīng)該意識(shí)到,這個(gè)事實(shí)還與很多其它的原因相關(guān)?! MOS晶體管的柵極 (CMOS運(yùn)算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設(shè)計(jì)附加的電路來(lái)對(duì)脆弱的柵極進(jìn)行ESD和EOS保護(hù)。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來(lái)源。這些保護(hù)電路一般都通過(guò)在電源軌之間接入鉗位二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)。圖1a中的OPA320就是一個(gè)例子。這些二極管會(huì)存在大約幾皮安的漏電流。當(dāng)輸入電壓大約達(dá)到電源軌中間值的時(shí)候,漏電流匹配的相當(dāng)好,僅僅會(huì)存在小于1皮安的殘余誤差電流
- 關(guān)鍵字: CMOS JFET
10位65MSPS模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片ADC10065的原理和應(yīng)用
- ADC10065是NS(National Semiconductor)公司推出的一款高速低功耗A/D轉(zhuǎn)換器,它的轉(zhuǎn)換速率可達(dá)65MSPS,標(biāo)稱功耗僅為68.4mW,且保證不失碼。文中介紹了該芯片的主要參數(shù)、工作原理和引腳功能,給出了ADC10065的簡(jiǎn)單應(yīng)用電路?! ?ADC10065的主要特點(diǎn) ADC10065是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司推出的一款低功耗、單電源供電的CMOS 模數(shù)轉(zhuǎn)換器。該芯片在3V單電源供電時(shí),能以65MSPS的采樣速率將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)為精確的10 位數(shù)字信號(hào),而功耗僅為68.4mW,其備
- 關(guān)鍵字: CMOS ADC10065
使用CMOS集成電路需注意的幾個(gè)問(wèn)題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類,TTL以速度見(jiàn)長(zhǎng),CMOS以功耗低而著稱,其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí),除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料,了解其引腳分布及極限參數(shù)外,還應(yīng)注意以下幾個(gè)問(wèn)題?! ?、電源問(wèn)題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V,但當(dāng)應(yīng)用電路中有門電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時(shí),最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬,故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
- 關(guān)鍵字: CMOS,集成電路
高電源抑制的帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)方案
- 本文通過(guò)結(jié)合LDO與Brokaw基準(zhǔn)核心,設(shè)計(jì)出了高PSR的帶隙基準(zhǔn),此帶隙基準(zhǔn)輸出的1.186 V電壓的低頻PSR為-145 dB,最高PSR為-36 dB,溫漂可以達(dá)到7.5 ppm,適用于電子鎮(zhèn)流器芯片。本設(shè)計(jì)還優(yōu)化了啟動(dòng)部分,使新的帶隙基準(zhǔn)可以在短時(shí)間內(nèi)順利啟動(dòng)?! ? 電路結(jié)構(gòu) 1.1 基準(zhǔn)核心 目前的基準(zhǔn)核心可以有多種實(shí)現(xiàn)方案:混合電阻,Buck voltage transfer cell,但是修調(diào)復(fù)雜,不宜工業(yè)化。本設(shè)計(jì)采用Brokaw基準(zhǔn)核心,其較易實(shí)現(xiàn)高壓基準(zhǔn)輸出,并且其溫漂、P
- 關(guān)鍵字: LDO PSR
25億美元CIS大項(xiàng)目開(kāi)創(chuàng)南京新產(chǎn)業(yè)板塊
- 上周五,德科碼“CMOS圖像傳感器芯片(CIS)產(chǎn)業(yè)園”項(xiàng)目正式落戶南京開(kāi)發(fā)區(qū)。該項(xiàng)目總投資約25億美元,建成后將填補(bǔ)中國(guó)CIS產(chǎn)業(yè)的空白,主導(dǎo)中國(guó)的CIS市場(chǎng)?! D像傳感器是數(shù)字?jǐn)z像頭的重要組成部分。根據(jù)元件不同,可分為CCD(電荷耦合元件)和CMOS(金屬氧化物半導(dǎo)體元件)兩大類。相機(jī)和智能手機(jī)的拍照 功能離不開(kāi)圖像傳感器芯片,市場(chǎng)很大。但CIS所屬的集成電路產(chǎn)業(yè)是內(nèi)地的薄弱產(chǎn)業(yè),芯片目前已超過(guò)石油,成為我國(guó)第一大進(jìn)口商品?! 爸袊?guó)必須擁有自己的CIS設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和自主品牌?!毕愀鄣驴拼a科技有限
- 關(guān)鍵字: CMOS CCD
“芯”技術(shù),“芯”夢(mèng)想
- 2015年11月27日,全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導(dǎo)體有限公司之全資子公司上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(“華虹宏力”)2015年度技術(shù)論壇,繼9月23日首場(chǎng)在深圳獲得熱烈反響后,于今日在北京麗亭華苑酒店再度拉開(kāi)帷幕。來(lái)自北京、長(zhǎng)三角、西部地區(qū)的150多位IC設(shè)計(jì)精英、知名合作伙伴、行業(yè)分析師和媒體朋友齊聚一堂,就產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)和市場(chǎng)熱點(diǎn)進(jìn)行了深入交流,并分享了華虹宏力新的技術(shù)成果?! 」緢?zhí)行副總裁范恒先生和執(zhí)行副總裁孔蔚然博士等公司高層親臨論壇現(xiàn)場(chǎng),與參會(huì)嘉賓互動(dòng)交流。同時(shí)公司派出了陣容
- 關(guān)鍵字: 華虹 RF-CMOS
我國(guó)研發(fā)的世界最高分辨率CMOS圖像傳感器亮相高交會(huì)
- 長(zhǎng)久以來(lái),我國(guó)用于高端光學(xué)成像的核心元器件一直受制于人。然而,在本月16日在深圳召開(kāi)的第十七屆中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)(高交會(huì))上,由我國(guó)研發(fā)的世界上像素分辨率最高、靶面最大的CMOS傳感器GMAX3005正式亮相。其以1.5億像素的超高分辨率,打破了我國(guó)一直以來(lái)都不具備高分辨率和高靈敏度CMOS圖像傳感器研發(fā)能力的窘境。 圖像傳感器可以將光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào),是所有成像設(shè)備中的核心關(guān)鍵器件。其光電參數(shù)直接決定了成像設(shè)備的成像質(zhì)量。今天亮相的GMAX3005擁有著1.5億像素的超高分辨率,成像速
- 關(guān)鍵字: CMOS 圖像傳感器
關(guān)于運(yùn)放的參數(shù)和選擇
- 本文講述運(yùn)放的參數(shù)和選擇方面的知識(shí),希望對(duì)有需要的讀者有幫助。 偏置電壓和輸入偏置電流 在精密電路設(shè)計(jì)中,偏置電壓是一個(gè)關(guān)鍵因素。對(duì)于那些經(jīng)常被忽視的參數(shù),諸如隨溫度而變化的偏置電壓漂移和電壓噪聲等,也必須測(cè)定。精確的放大器要求偏置電壓的漂移小于200μV和輸入電壓噪聲低于6nV/√Hz。隨溫度變化的偏置電壓漂移要求小于1μV/℃ 。 低偏置電壓的指標(biāo)在高增益電路設(shè)計(jì)中很重要,因?yàn)槠秒妷航?jīng)過(guò)放大可能引起大電壓輸出,并會(huì)占據(jù)輸出擺幅的一大部分。溫度感應(yīng)和張力測(cè)
- 關(guān)鍵字: 運(yùn)放 CMOS
東芝正式宣布半導(dǎo)體業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)改革計(jì)劃
- 東芝于2015年10月28日正式發(fā)布了半導(dǎo)體業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)改革相關(guān)事宜。改革方針有以下幾點(diǎn)。 第一,退出CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)。將把生產(chǎn)該產(chǎn)品的大分工廠的300mm晶圓生產(chǎn)線及相關(guān)資產(chǎn)轉(zhuǎn)讓給索尼。完成轉(zhuǎn)讓后,該工廠將成為索尼全資子公司——索尼半導(dǎo)體(SCK)的生產(chǎn)基地之一,主要用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器。 另外,利用300mm晶圓生產(chǎn)線生產(chǎn)的CMOS圖像傳感器以外的半導(dǎo)體產(chǎn)品將委托SCK生產(chǎn)。隨著300mm晶圓生產(chǎn)線轉(zhuǎn)讓,與之相關(guān)的東芝及其相關(guān)公司的員工(大約1100人)
- 關(guān)鍵字: 東芝 CMOS
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)cmos-ldo的理解,并與今后在此搜索cmos-ldo的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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