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技術(shù)分享 | 使用熱阻矩陣進(jìn)行LDO熱分析的指南

發(fā)布人:納芯微電子 時(shí)間:2024-09-03 來源:工程師 發(fā)布文章

低壓降線性穩(wěn)壓器(LDO)因其工作原理,雖然能以低成本提供高電源質(zhì)量,但也會(huì)不可避免地產(chǎn)生損耗和發(fā)熱問題。面對(duì)大壓降、大電流,LDO將長(zhǎng)時(shí)間處于較高的工作溫度范圍,可能影響其使用壽命和可靠性。因此,通過事先分析和評(píng)估LDO在特定工作環(huán)境下的溫度,并采取一定的措施,可以有效地避免芯片在長(zhǎng)時(shí)間的高溫下發(fā)生熱關(guān)斷和老化。

芯片的結(jié)溫主要取決于其功耗、散熱條件和環(huán)境溫度。因此,通過選擇不同的封裝版本來降低芯片的結(jié)與環(huán)境的熱阻,是一種降低結(jié)溫的有效解決方案。


目錄

1. 芯片熱阻介紹

2. 使用熱阻矩陣進(jìn)行熱分析

2.1. 對(duì)θJA的誤解

2.2. 理解ΨJC & θJC

3. 在EVM板上進(jìn)行LDO結(jié)溫和熱阻測(cè)試


1. 芯片熱阻介紹

由于芯片結(jié)構(gòu)復(fù)雜,通常通過仿真得到熱阻的理論計(jì)算值。而在芯片實(shí)際工程應(yīng)用中,工程師們將理論熱阻與實(shí)際應(yīng)用問題相結(jié)合,加以歸類,得出一些具有明顯物理意義的熱阻。下圖展示了芯片焊接在PCB上時(shí)的熱阻網(wǎng)絡(luò)。

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圖1 芯片熱阻網(wǎng)絡(luò)

圖中,熱量從結(jié)向上通過封裝體傳遞到封裝外殼的頂部,它們之間的熱阻之和被稱為θJC(top);熱量從結(jié)向下,通過粘合劑、引線框架基島傳遞到底部散熱焊盤,其熱阻之和被稱為θJB;此外,通過圖中所有材料和結(jié)構(gòu),從結(jié)到外部環(huán)境的所有方向的熱量,所有路徑的整體熱阻被稱為θJA。

雖然這些熱阻可以通過建模仿真獲得,但由于存在制造誤差及其他原因,可能不甚準(zhǔn)確。因此,在工程實(shí)踐中,通常通過芯片發(fā)熱和溫差,來計(jì)算熱阻。熱阻的定義如下:

1706519649(1).jpg(1-1)

這意味著不論是減少芯片的發(fā)熱、改用散熱性能更好的大型封裝、增加散熱器和風(fēng)扇,還是改進(jìn)PCB的散熱設(shè)計(jì),都可以減少芯片溫升。


2. 使用熱阻矩陣進(jìn)行熱分析
2.1. 對(duì)θJA的誤解

我們可以在芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)(datasheet)中找到一個(gè)熱阻信息矩陣,其中就包含了上述θJA和θJC(top)等參數(shù)。下表摘自NSR31系列LDO的數(shù)據(jù)手冊(cè)。NSR31完整版數(shù)據(jù)手冊(cè)官網(wǎng)鏈接:https://www.novosns.com/10v-low-consumption-ldo-685

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表1 NSR31系列的熱阻信息

需要注意的是,許多工程師會(huì)使用θJA、環(huán)境溫度和芯片功耗,來計(jì)算結(jié)溫,但這可能會(huì)產(chǎn)生較大的計(jì)算誤差。
從上節(jié)圖1的θJA定義可以看出,其值不僅由芯片本身決定,還很大程度上取決于具體使用的PCB。不同的應(yīng)用PCB的散熱面積、層數(shù)、銅厚、板厚、材料、器件布局等方面各不相同,因此,θJA的值在不同的應(yīng)用PCB上會(huì)有很大差異。大多數(shù)工程師都很關(guān)注自己PCB上芯片的狀態(tài)。因此,在熱設(shè)計(jì)中不建議使用θJA,θJA的主要優(yōu)勢(shì)在于比較不同封裝類型的熱性能方面。

通常而言,幾乎所有芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)中的θJA,都是使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)板測(cè)量或仿真而得的示例值。這些行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)平臺(tái)被稱為JEDEC High-K或JEDEC Low-K板。此外,這些JEDEC 板僅由安裝在3"x3"板上的一個(gè)IC器件組成,與實(shí)際工程應(yīng)用中的PCB有顯著差異。


2.2. 理解ΨJC & θJC

為了解決應(yīng)用端的實(shí)際問題,表中還提供了熱特性參數(shù)Ψ。這是聯(lián)合電子器件工程委員會(huì)(JEDEC)在20世紀(jì)90年代定義的熱指標(biāo)。就評(píng)估現(xiàn)代封裝器件結(jié)溫而言,它是一個(gè)更為便利的指標(biāo)。Ψ代表的是結(jié)與參考點(diǎn)之間的溫差與芯片消耗的總功率的比值,它只是一個(gè)構(gòu)造出的參數(shù)。雖然其公式和單位(°C/W)與Rθ非常相似,但Ψ實(shí)際上并不是一個(gè)“熱阻”參數(shù),其定義如下:

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其中,ΨJC是結(jié)到殼的熱特性參數(shù),TJC是結(jié)到殼的溫差,PD 是芯片的總耗散功率。因此,求TJ時(shí),首先要測(cè)量外殼溫度TC,計(jì)算芯片的總耗散功率PD,再使用以下公式計(jì)算:

1706521163(1).jpg(2-2)

其中,ΨJC可以通過數(shù)據(jù)手冊(cè)中的熱阻信息矩陣獲取。當(dāng)芯片外部散熱條件固定時(shí),ΨJC與θJC成正比。與不同應(yīng)用端差異很大的θJA相比,雖然ΨJC也受到PCB散熱能力的影響,但我們可以近似地認(rèn)為,在大多數(shù)應(yīng)用中,該影響并不顯著。具體原因如下。

公式(2-2)可以進(jìn)一步寫為:

1706521257(1).jpg(2-3)


式中:PC是從結(jié)向上通過封裝體傳遞到封裝外殼頂部的熱功率。由此可得:

1706521429(1).jpg(2-4)

即ΨJC與θJA成正比,其值為從結(jié)到殼頂部的熱功率與芯片總耗散功率的比值。

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圖2 芯片熱阻網(wǎng)絡(luò)簡(jiǎn)圖

如圖2所示,根據(jù)熱阻網(wǎng)絡(luò)的“并聯(lián)電阻分流公式”關(guān)系,功率比相當(dāng)于熱阻比的倒數(shù):

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式中:θCA為殼到環(huán)境的熱阻。當(dāng)沒有在芯片表面安裝散熱器時(shí),θCA遠(yuǎn)大于θJC。由此可得,ΨJC小于θJA,因此,在工程上的實(shí)際PCB中,使用ΨJC估算結(jié)溫的誤差,遠(yuǎn)小于使用θJA來估算的誤差。


3. 在EVM板上進(jìn)行LDO結(jié)溫和熱阻測(cè)試
由于集成電路外部被塑封料(mold compound)包裹,結(jié)沒有暴露在外,因此我們無法通過熱電偶或紅外溫度計(jì),直接測(cè)量芯片內(nèi)部結(jié)點(diǎn)的溫度。對(duì)于許多大型封裝集成電路,例如CPU或GPU,通常會(huì)集成一個(gè)熱傳感器,用于測(cè)量TJ。但對(duì)于小型封裝集成電路,由于受到尺寸和成本的限制,大都沒有這種TJ傳感器的功能。因此,我們必須通過測(cè)試和熱分析來估算TJ。
NSR31/33/35系列LDO有8種封裝,具體信息如表2所示。采用不同封裝的各類熱阻已在芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)的熱阻矩陣中標(biāo)明。其信息概述如下。

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表2 NSR3x 系列的熱阻信息

(1) 熱數(shù)據(jù)基于:JEDEC標(biāo)準(zhǔn)高K型材、JESD 51-7、四層板。

表2中所有參數(shù)均根據(jù)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)獲得。通過表θJA比較可知,SOT-23-5L封裝的散熱性能最差,TO263-5封裝的散熱性能最好。當(dāng)需要獲取LDO在特定應(yīng)用電路板上的結(jié)溫時(shí),可以使用公式(2-2):

式中:1706521866(1).jpg(3-1)

式中:VIN代表LDO輸入電壓,VOUT代表LDO輸出電壓,IOUT代表LDO輸出電流。

接下來以NSR31050-QSTAR為例,在EVM板上測(cè)量和計(jì)算其結(jié)溫和實(shí)際熱阻θ'JA,以供參考。具體來說,EVM板采用四層設(shè)計(jì)(88mm x 53mm),銅厚為1盎司,總散熱面積約為4600平方毫米,如圖3所示。

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圖3 NSR31050-QSTAR EVM板

在室溫通風(fēng)恒定的情況下,通過給LDO施加一定的電壓和負(fù)載,可以將其功耗從0W增加到接近熱關(guān)斷。在不同功耗設(shè)置下,讓芯片工作5分鐘溫度穩(wěn)定后,使用手持式紅外測(cè)溫儀測(cè)量芯片頂殼的溫度。利用環(huán)境溫度、殼溫、功耗和ΨJC的公式,來對(duì)EVM板上芯片的結(jié)溫和熱阻 θ'JA進(jìn)行估算。結(jié)果如表3所示。

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表3 NSR3x系列的熱信息

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圖4 部分殼溫的紅外測(cè)量結(jié)果

從表3可以看出,在此EVM板上,測(cè)得的結(jié)到環(huán)境的熱阻θ'JA約為 77.5°C/W,遠(yuǎn)低于JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的207.9°C/W。

綜上所述,在實(shí)際應(yīng)用中,芯片存在多種熱傳導(dǎo)途徑,熱量亦通過多個(gè)通道傳遞。我們很難像估算總功耗一樣,準(zhǔn)確得到由特定途徑傳導(dǎo)的功耗。因此,熱特性參數(shù)ΨJC更適合用于估算結(jié)溫,利用熱特性參數(shù)ΨJC,同時(shí)結(jié)合公式(3-1)來估算結(jié)溫更為準(zhǔn)確和嚴(yán)謹(jǐn)。


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關(guān)鍵詞: 納芯微 LDO 熱分析 芯片

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