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ARM發(fā)布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP

  • ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP Velocity DDR存儲器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲器接口是第一個通過TSMC IP質(zhì)量安全測試的9
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三星避冷就熱兩季壓縮DDR2提閃存產(chǎn)量

  • 　　據(jù)國外媒體援引消息人士透露，韓國芯片巨頭三星電子計劃進一步縮減DDR2內(nèi)存產(chǎn)能，并將生產(chǎn)線用于盈利更好的NAND閃存。  　　據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，在本季度，三星電子已經(jīng)將其DDR2內(nèi)存的產(chǎn)能壓縮了大約5000萬個 “256Mbit單位”。到明年第一季度，該公司計劃進一步壓縮5000萬個單位。這位消息人士說，三星電子計劃用這些騰出的生產(chǎn)線生產(chǎn)目前市場供不應求的NAND閃存產(chǎn)品。  　　三星電子這個舉措符合存儲市場調(diào)研公司iSuppli對明年DRAM市場所作的估計。據(jù)這家機構(gòu)
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DDR2價格醞釀反彈2GbNAND閃存上揚

  • 根據(jù)內(nèi)存市場研究機構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于DRAM廠商面臨過低的DRAM價格不愿放貨，導致帶動UTT(未經(jīng)完整測試)產(chǎn)品的價格反彈。 適逢香港12月24日至12月27日的圣誕節(jié)假期，市場上買家也較為謹慎的掌控手中的庫存，部分系統(tǒng)整合商以及OEM廠也不愿意在年底前買貨增加庫存，使得上周現(xiàn)貨市場方面的交易并不火爆。主流芯片DDR 256Mb(32M
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美商凱創(chuàng)獲獎入侵偵測系統(tǒng)Dragon新版問世

  • 企業(yè)網(wǎng)路設(shè)備廠商 - 美商凱創(chuàng)(Enterasys Networks)表示，日內(nèi)發(fā)表其獲獎產(chǎn)品Dragon入侵偵測系統(tǒng)（Intrusion Detection System；IDS）的最新版本。Dragon 5在其基礎(chǔ)架構(gòu)中加入更好的延展性、可用性與彈性，以強化企業(yè)網(wǎng)路的安全
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