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集邦科技: 全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收2010第一季營(yíng)收續(xù)成長(zhǎng)6.9%

  • 　　根據(jù)集邦科技公布價(jià)格，DDR3合約季均價(jià)與現(xiàn)貨季均價(jià)繼2009年第四季分別大漲40%與30%后，在2010年第一季分別續(xù)漲16%與 14%;DDR2合約季均價(jià)與現(xiàn)貨季均價(jià)2009年第四季分別大漲61%與68%后，在2010年第一季淡季不淡，合約季均價(jià)續(xù)漲5%，現(xiàn)貨季均價(jià)持平，持續(xù)維持在高檔價(jià)格。 　　由于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)廠商于第一季拉高DDR3的搭載比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供貨吃緊。DDR2方面在現(xiàn)貨市場(chǎng)需求仍大部份在DDR2，而DRAM廠快速轉(zhuǎn)進(jìn)至DDR3，使買方亦努力拉
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27日:AMD推7款嵌入式處理器支持DDR3

  • 　　newsfactor.com：谷歌Android市場(chǎng)目前已有3.8萬(wàn)個(gè)應(yīng)用程序 　　Android市場(chǎng)向企業(yè)開(kāi)放僅僅幾個(gè)月之后，這個(gè)移動(dòng)應(yīng)用程序市場(chǎng)就提供了3.8萬(wàn)多個(gè)移動(dòng)應(yīng)用程序。推出其開(kāi)源軟件Android操作系統(tǒng)市場(chǎng)的谷歌正在與蘋(píng)果應(yīng)用程序商店?duì)帄Z人們的注意力。 　　有報(bào)道稱，谷歌Android市場(chǎng)已經(jīng)有5萬(wàn)個(gè)應(yīng)用程序。但是，谷歌發(fā)言人Anthony House說(shuō)，截止到4月15日，谷歌有3.8萬(wàn)多個(gè)應(yīng)用程序。他不愿意對(duì)5萬(wàn)個(gè)應(yīng)用程序的報(bào)道發(fā)表評(píng)論。 　　無(wú)論是3.8萬(wàn)還是5萬(wàn)個(gè)應(yīng)用程序，
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AMD 集顯SOC芯片將采用基于體硅制程的40nm制程技術(shù)制作

  • 　　AMD公司據(jù)稱已經(jīng)收到了首批Fusion集顯處理器產(chǎn)品Ontario的試產(chǎn)樣件。Ontario是Fusion集顯處理器系列產(chǎn)品中專門面向上網(wǎng)本， 平板電腦以及其它低功耗設(shè)備的處理器。這款處理器將采用內(nèi)部集成Bobcat架構(gòu)雙核x86處理器核心的設(shè)計(jì)，同時(shí)還將集成DX11級(jí)別集顯核心和 DDR3內(nèi)存控制器。不過(guò)從本質(zhì)上講，Ontario其實(shí)算是一款單芯片式的SOC產(chǎn)品。據(jù)Xbit labs網(wǎng)站的報(bào)道，Ontario芯片將會(huì)使用基于體硅的40nm制程工藝制作。 　　這款芯片的可能代工方將有Globalf
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全球最大容量 爾必達(dá)4Gb DDR3顆粒開(kāi)發(fā)完成

  • 　　日本DRAM大廠爾必達(dá)今天宣布，已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出4Gbit容量DDR3內(nèi)存顆粒。這是目前市場(chǎng)上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量?jī)?nèi)存條，雙面16顆即可構(gòu)成單條8GB內(nèi)存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆?？晒?jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標(biāo)準(zhǔn)。 　　爾必達(dá)計(jì)劃將該顆粒使用在單條32
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壞消息：DDR2/DDR3芯片價(jià)格仍保持漲勢(shì)

  • 　　1Gb DDR2/DDR3內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價(jià)格最近雙雙上漲到了接近3美元的價(jià)位，顯示目前內(nèi)存芯片市場(chǎng)仍處于供不應(yīng)求的緊張局面。據(jù)消息來(lái)源表示，造成這種局面 的原因主要是內(nèi)存芯片廠商目前都在實(shí)施轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3芯片的動(dòng)作;另外一方面，由于PC廠商事先預(yù)計(jì)到了這種狀況，因此這些廠商事先都采取了較大量訂貨的策 略，而這則進(jìn)一步加劇了這種危機(jī)。 　　據(jù)DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)，3月18日，打標(biāo)和eTT(即經(jīng)過(guò)芯片廠商完全測(cè)試，但沒(méi)有打上原廠激光標(biāo)記的芯片)1Gb DDR2芯片的價(jià)格分別上升了3.97%和4.3
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三星、力晶猛喊節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)　DRAM廠：高手過(guò)招戲碼

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)社長(zhǎng)權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日來(lái)臺(tái)參加全球半導(dǎo)體聯(lián)盟(GSA)論壇，吸引DRAM業(yè)者紛前來(lái)聆聽(tīng)龍頭廠對(duì)景氣風(fēng)向球。權(quán)五鉉表示，2010年下半DRAM價(jià)格可以維持穩(wěn)定，未來(lái)DRAM業(yè)者不應(yīng)一昧地追求價(jià)格和成本，而是要節(jié)制瘋狂擴(kuò)充產(chǎn)能;力晶董事長(zhǎng)黃崇仁在現(xiàn)場(chǎng)亦舉手建言，呼吁大家不要再亂投資擴(kuò)產(chǎn)，要追求合理價(jià)格更勝于超額利潤(rùn);此番臺(tái)、韓存儲(chǔ)器廠高層過(guò)招，成為整個(gè)論壇最大高潮。 　　權(quán)五鉉16日在GSA論壇發(fā)表有關(guān)半導(dǎo)體市場(chǎng)及
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DDR3測(cè)試產(chǎn)能不足　DRAM封測(cè)廠加緊進(jìn)設(shè)備

  • 　　隨著各家DRAM廠加快腳步轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3，對(duì)后段廠而言，封裝產(chǎn)能利用率處于高檔，然測(cè)試、預(yù)燒等相關(guān)產(chǎn)能則呈不足現(xiàn)象，各家封測(cè)廠上演搶機(jī)臺(tái)戲碼，希望能夠盡量提前讓機(jī)臺(tái)進(jìn)駐廠區(qū)，隨著工作天數(shù)恢復(fù)正常，存儲(chǔ)器封測(cè)廠3月接單熱絡(luò)，預(yù)期單月?tīng)I(yíng)收應(yīng)可處于歷史高檔水平。 　　受惠于2010年存儲(chǔ)器市場(chǎng)復(fù)蘇，以及DDR2轉(zhuǎn)換至DDR3速度加快，力成訂單能見(jiàn)度延展至6~7月，華東也看到4月訂單。整體產(chǎn)能利用率依舊維持滿載，客戶端需求非常強(qiáng)勁，產(chǎn)出速度還跟不上訂單的腳步。尤其在測(cè)試部分，卡在測(cè)試機(jī)臺(tái)供應(yīng)不及，測(cè)試產(chǎn)能不足
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三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

  • 　　三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。 　　這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)存條，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代產(chǎn)品降低35%，能為數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器系統(tǒng)或者高端筆記本節(jié)省大量能源。 　　三星指出，目前服務(wù)器系統(tǒng)平均每路處理器搭配六條RDIMM內(nèi)存條，總?cè)萘孔畲?6GB，如果是60nm 1Gb DDR2芯片，內(nèi)存子系統(tǒng)功耗可達(dá)210W，換
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鎂光南亞合作開(kāi)發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片

  • 　　鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開(kāi)展示了其合作開(kāi)發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級(jí)別的同類產(chǎn)品已經(jīng)在鎂光設(shè)在Boise的研發(fā)中心開(kāi)始研制。     　　兩家廠商預(yù)計(jì)將于今年第二季度開(kāi)始42nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片的試樣生產(chǎn)，并將于今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這種產(chǎn)品。 　　兩家廠商宣稱其42nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的工作電壓僅1.35V左右，比前代產(chǎn)品的1.5V工作電壓低了不少，可節(jié)省30%電能。 　　這款42nm 2Gb
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DDR2芯片價(jià)格有望在下半年超過(guò)DDR3

  • 　　報(bào)道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點(diǎn)放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開(kāi)始減少，其價(jià)格有望在今年下半年超過(guò)DDR3。 　　Simon Chen認(rèn)為，DDR2在低端PC市場(chǎng)還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價(jià)格低于2美元，那么它需求將會(huì)出現(xiàn)大幅度增長(zhǎng)。 　　Simon Chen還表示，上游芯片供應(yīng)商紛紛通過(guò)工藝升級(jí)的方式來(lái)加大DDR3芯片的產(chǎn)量，不過(guò)這種升級(jí)或許會(huì)因?yàn)槠渌O(shè)備的供應(yīng)短缺而延緩。 　　根據(jù)DRAMeXchange的監(jiān)測(cè)，1Gb DDR2
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三星發(fā)布全球首顆30nm級(jí)工藝DDR3內(nèi)存芯片

  • 　　三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級(jí)別工藝的DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)通過(guò)客戶認(rèn)證。注意這里說(shuō)的是30nm級(jí)別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說(shuō)有可能是38nm 之類的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級(jí)別的。 　　三星這種30nm工藝級(jí)DDR3 DRAM內(nèi)存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標(biāo) 準(zhǔn)電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級(jí)可節(jié)省最多30%的功耗，因此又稱為綠色內(nèi)存(Gree
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DRAM迎來(lái)希望之光 年底將“春光燦爛”

  • 　　在DRAM市場(chǎng)的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠商能活下來(lái)就不錯(cuò)了。 　　但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來(lái)了光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為19%，營(yíng)業(yè)收入達(dá)22億美元，市場(chǎng)份額擴(kuò)大到35.5%的最高水平。 　　DDR3來(lái)臨 　　第三季度，下一代DRAM技術(shù)——DDR3看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來(lái)的一股潮流。iSuppli公司預(yù)測(cè)，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
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DRAM跌價(jià)襲擊　模塊廠1月?tīng)I(yíng)收處變不驚

  • 　　2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補(bǔ)貨行情落空，DRAM價(jià)格大跌，所幸NAND Flash價(jià)格比預(yù)期強(qiáng)勢(shì)，存儲(chǔ)器模塊廠1月?tīng)I(yíng)收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營(yíng)收受到2月農(nóng)歷過(guò)年工作天數(shù)減少影響，而呈現(xiàn)下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認(rèn)為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤(rùn)較高，另一方面DDR3短期會(huì)被DDR2價(jià)格帶下來(lái)，但整體第1季DDR3供貨仍相對(duì)吃緊。 　　存儲(chǔ)器模塊廠2009年交出豐厚的成績(jī)單，創(chuàng)見(jiàn)、威剛都賺足1個(gè)股本，但2010年1月立
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IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器

  • 　　IDT 公司推出首款針對(duì)DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤(pán)和電腦主板市場(chǎng)的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業(yè)、移動(dòng)及嵌入式計(jì)算系統(tǒng)以最高效率運(yùn)行，通過(guò)監(jiān)測(cè)各子系統(tǒng)的溫度來(lái)節(jié)省總電力，提高可靠性和性能。 　　全新的IDT溫度傳感器可測(cè)量計(jì)算子系統(tǒng)的局部溫度，一旦溫度上升超過(guò)預(yù)定水平，系統(tǒng)控制器就會(huì)通過(guò)控制系統(tǒng)帶寬、調(diào)整內(nèi)存刷新率或改變風(fēng)扇速度進(jìn)行響應(yīng)。此外，如果溫度達(dá)到臨界點(diǎn)，新的IDT溫度傳感器可以觸發(fā)一個(gè)子系統(tǒng)關(guān)閉，從而提高可靠性。IDT 的產(chǎn)品包括一個(gè)獨(dú)立溫度傳感器(TS3000B3)，以及一
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DDR3來(lái)臨 2010年DRAM市場(chǎng)云開(kāi)月明

  • 　　2009年DRAM 市場(chǎng)烏云籠罩，廠商艱難度過(guò)黑暗時(shí)期，終于守得云開(kāi)見(jiàn)月明。春季溫和復(fù)蘇，夏季迎來(lái)光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。 　　三星走在前列，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為19%，營(yíng)業(yè)收入達(dá)22 億美元，市場(chǎng)份額擴(kuò)大到35.5%的最高水平。 　　DDR3 來(lái)臨 　　第三季度，下一代 DRAM 技術(shù)——DDR3 看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來(lái)的一股潮流。iSuppli 公司預(yù)測(cè)，DDR3 出貨量將在2010 年第一季度超過(guò)DDR2。 　　三星在 DDR3
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ddr3介紹

目錄概述 設(shè)計(jì) 發(fā)展 DDR3內(nèi)存的技術(shù)改進(jìn) 概述 　　針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢(shì)如下： 　　(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。 　　(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度 [ 查看詳細(xì) ]

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