新聞中心

EEPW首頁 > 光電顯示 > 業(yè)界動態(tài) > 全球最大容量 爾必達4Gb DDR3顆粒開發(fā)完成

全球最大容量 爾必達4Gb DDR3顆粒開發(fā)完成

作者: 時間:2010-04-23 來源:驅動之家 收藏

  日本DRAM大廠今天宣布,已經成功開發(fā)出4Gbit容量內存顆粒。這是目前市場上顆粒的最大容量,只需單面8顆即可組成 4GB容量內存條,雙面16顆即可構成單條8GB內存。該顆粒使用 工藝制造,相比同工藝的2Gb顆??晒?jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬,其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝,x16bit產品采用96-ball FBGA封裝。除標準的1.5V電壓外,還可支持1.35V低壓標準。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/108311.htm

  計劃將該顆粒使用在單條32GB RDIMM/LR DIMM服務器內存(36顆DDP雙層堆疊封裝顆粒),或8GB ECC內存(18顆顆粒),或單條 8GB的SO-DIMM筆記本內存(16顆顆粒)上,也將向消費電子產品廠商出貨單顆DIMM顆粒。預計該顆粒將于今年二季度內在爾必 達廣島工廠開始試產,三季度實現(xiàn)量產。



關鍵詞: 爾必達 40nm CMOS DDR3

評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉