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C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器MBM

  • 本文以基于三個(gè)C6201／C6701 DSP芯片開發(fā)成功的嵌入式并行圖像處理實(shí)時(shí)系統(tǒng)為例，介紹這一設(shè)計(jì)技術(shù)。
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基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口設(shè)計(jì)

  • 　　在一些軍用芯片的早期設(shè)計(jì)中，一般先采用比較成熟的商用協(xié)議芯片進(jìn)行軍用化改造(通常做成板卡形式)，而商用 ...
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C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究

  • C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究,引言
    TI公司C6000系列DSP具有強(qiáng)大的處理能力，在嵌入式系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。由于程序在DSP內(nèi)部存儲(chǔ)器的運(yùn)行速度遠(yuǎn)大于片外存儲(chǔ)器的運(yùn)行速度，通常需要將程序從外部加載到DSP內(nèi)部運(yùn)行。由于C6000系列DSP均沒有
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電動(dòng)車電池成本大降

  • 　　7月16日，“一起‘飆’電動(dòng)”主題電動(dòng)車科普論壇在北京舉行，大眾汽車集團(tuán)(中國)總裁兼CEO倪凱銘博士以及北京交通大學(xué)的專家講述了目前電動(dòng)車的發(fā)展?fàn)顩r。就目前困擾大多數(shù)企業(yè)的電動(dòng)車電池成本高的問題，大眾汽車集團(tuán)(中國)的相關(guān)人士向雅虎汽車透露，未來幾年大眾電動(dòng)車電池的價(jià)格會(huì)降低到200歐元/每千瓦時(shí)，并表示大眾汽車若干年后在電動(dòng)車時(shí)代的主力車型E-up消費(fèi)者或?qū)?huì)在中國看到。 　
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三星、東芝NAND Flash市占差距縮減至0.3%

  • 　　據(jù)韓國媒體報(bào)導(dǎo)，2011年第1季NAND Flash市場上，日廠東芝(Toshiba)猛力追擊，以市占率0.3%差距，威脅三星電子(Samsung Electronics) 8年來業(yè)界第1的地位。然而在快速成長的行動(dòng)DRAM市場上，三星仍坐擁壓倒性的市占率。
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支持Flash的單板計(jì)算機(jī)嵌入式系統(tǒng)

  • 支持Flash的單板計(jì)算機(jī)嵌入式系統(tǒng),1 引言　　在實(shí)際開發(fā)中，為了提高開發(fā)效率，大多是采用以一個(gè)與目標(biāo)板硬件相似的BSP為模板，并在此基礎(chǔ)上修改移植。在這個(gè)過程中.除了CPU以外，另一個(gè)重要的器件就是裝有啟動(dòng)程序的Flash器件?！　? 系統(tǒng)介紹　　采
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基于FPGA的NAND Flash ECC校驗(yàn)

  • 摘要 基于Flash存儲(chǔ)器的Hamming編碼原理，在Altera QuartusⅡ7．0開發(fā)環(huán)境下，實(shí)現(xiàn)ECC校驗(yàn)功能。測(cè)試結(jié)果表明，該程序可實(shí)現(xiàn)每256 Byte數(shù)據(jù)生成3 Byte的ECC校驗(yàn)數(shù)據(jù)，能夠檢測(cè)出1 bit錯(cuò)誤和2 bit錯(cuò)誤，對(duì)于1 bit錯(cuò)誤
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一種基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口設(shè)計(jì)

  • 摘要：從一種軍用板卡的實(shí)際需求出發(fā)，對(duì)SPI接口在設(shè)計(jì)中有諸如FPGA資源和管腳等限制的情況下，快速加栽配置數(shù)據(jù)的方法進(jìn)行了分析。并基于ATMEL公司的AT25F1024 FLASH器件，描述了高速SPI接口的設(shè)計(jì)原理和方法，具有
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德州儀器推出業(yè)界首款高溫?cái)?shù)據(jù)采集系統(tǒng)

  • 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款高溫?cái)?shù)據(jù)采集系統(tǒng) — 苛刻環(huán)境采集終端 (H.E.A.T.) 評(píng)估板 (EVM)，其包含可滿足 -55oC 至 210oC 極端工作溫度要求的全系列 TI 信號(hào)鏈組件。H.E.A.T. EVM 可用于測(cè)試高溫爐，能夠在高達(dá) 200oC 的爐溫下工作長達(dá) 200 小時(shí)。該產(chǎn)品支持 8 個(gè)模擬數(shù)據(jù)通道，可在苛刻高溫環(huán)境下實(shí)現(xiàn)各種應(yīng)用的信號(hào)調(diào)節(jié)、數(shù)字化及處理，充分滿足井下鉆孔、噴射引擎以及重工業(yè)應(yīng)用需求。
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Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì),引言
    嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理的、針對(duì)嵌入式應(yīng)用
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外接PCI-E標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃挑戰(zhàn)Thunderbolt

  • 　　PCI特別興趣小組(PCI SIG)在年度會(huì)議上宣布，將開發(fā)一種基于PCI-E規(guī)范的外接設(shè)備互連標(biāo)準(zhǔn)，直接競爭Intel力推的Thunderbolt，以及USB-IF組織的USB 3.0。外接PCI-E將基于新一代的PCI-E 3.0技術(shù)，支持四通道傳輸，也就是相當(dāng)于PCI-E 3.0 x4，最高帶寬32Gbps(或者說32GT/s)。該技術(shù)初期使用銅線，但是隨著速度的提升和未來PCI-E 4.0的發(fā)布，有可能最終改用光纖，屆時(shí)帶寬至少會(huì)翻一番達(dá)到64Gbps?！?/li>
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歐洲的“e-BRAINS”研究項(xiàng)目

  • 2010年9月，英飛凌科技股份公司與19家合作伙伴攜手合作，啟動(dòng)了歐洲e-BRAINS（最可靠的環(huán)境智能納米傳感器系統(tǒng)）研究項(xiàng)目，圍繞異構(gòu)系統(tǒng)的集成展開研究。這個(gè)項(xiàng)目由英飛凌和弗勞恩霍夫模塊化固態(tài)技術(shù)研究所負(fù)責(zé)技術(shù)管理，將于2013年底完成。納米傳感器將與IC（集成電路）、功率半導(dǎo)體、電池或無線通信模塊等組件結(jié)合使用，從而大幅提升e-BRAINS應(yīng)用的能源效率、成本效益、使用壽命和運(yùn)行可靠性。
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基于Pro/E Harness的釘板圖設(shè)計(jì)

  • 一、簡介　　構(gòu)建釘板圖時(shí)，首先利用展平后的線束模型創(chuàng)建視圖，并在二維模型中標(biāo)注尺寸，創(chuàng)建線束BOM 表。創(chuàng)建釘板圖的過程與機(jī)械零部件二維圖樣的構(gòu)建過程類似，如圖1所示?！　?　　二、構(gòu)建釘板圖　　在Pro/ENGI
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  Harness  Pro/E  基于  

終端需求疲軟 NAND Flash合約價(jià)大跌

  • 　　第2季NAND Flash終端需求太差，新出爐合約報(bào)價(jià)大跌超過10%，內(nèi)存模塊廠表示，合計(jì)整個(gè)5月現(xiàn)貨報(bào)價(jià)跌幅達(dá)20%，合約價(jià)合計(jì)跌幅也超過15%，反映終端需求確實(shí)需要新刺激，目前市場是底部已臨，靜待反彈階段;展望第3季，市場認(rèn)同威剛董事長陳立白的基調(diào)，預(yù)期第3季仍會(huì)比第2季好一些，但市場不至于會(huì)有缺貨或價(jià)格飆漲的情況發(fā)生。
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flash接口電路的實(shí)現(xiàn)

  • flash接口電路的實(shí)現(xiàn),0引言

    　　我們?cè)谶M(jìn)行嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，根據(jù)需求，要設(shè)計(jì)出特定的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)，而嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)包含硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)和軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)兩個(gè)部分，并且這兩部分設(shè)計(jì)是互相關(guān)聯(lián)、密不可分的，嵌入式應(yīng)用系
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