首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> e-mode gan fet

Burst Mode電壓控制電路圖

  • 圖為BurstMode電壓控制電路,當(dāng)S43電平>C54(此時(shí)C54和電平C96相等為0.84V),時(shí),Burst_on信號(hào)為低電平,關(guān)斷功率管;當(dāng)S43
  • 關(guān)鍵字: Burst  Mode  電壓控制  

松下:力推阻容元件與開(kāi)發(fā)工具,開(kāi)關(guān)器件X-GaN效率更高

  •   松下被動(dòng)元件展區(qū),松下位于德國(guó)的器件解決方案部門(mén)被動(dòng)元件團(tuán)隊(duì)產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問(wèn)世的導(dǎo)電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優(yōu),例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流。  ZK和ZC產(chǎn)品在125C下可工作4000小時(shí)。三種類(lèi)型產(chǎn)品都有更低的ESR(等效串聯(lián)電阻)和LC,可用于LED、汽車(chē)、電力電子、電信等場(chǎng)合?! ∷上录瘓F(tuán)汽車(chē)&工業(yè)系統(tǒng)公司介紹了其網(wǎng)上工具--LC Simulator,可加速
  • 關(guān)鍵字: 松下  X-GaN  

使用FET的壓控衰減器(音量控制)電路

  • 該電路采用衰減場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)分流信號(hào)到地面。這個(gè)R2是用來(lái)控制輸出級(jí)(衰減等級(jí)),但是你可以用其他來(lái)源的電壓信號(hào)來(lái)控制網(wǎng)格的FET如DAC輸出,這是一種負(fù)面的信號(hào)電壓會(huì)(你可以用DAC采用對(duì)稱(chēng)與供電系統(tǒng))。使用FET...
  • 關(guān)鍵字: FET  壓控衰減器  

最新Qorvo技術(shù)支持更高性能的GaN分立式LNA和驅(qū)動(dòng)器

  •   實(shí)現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42,新產(chǎn)品的高頻性能更出色,噪聲更低,這對(duì)先進(jìn)的通信、雷達(dá)和國(guó)防RF系統(tǒng)應(yīng)用而言甚為關(guān)鍵。   該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關(guān)模型的制造工藝采用了業(yè)內(nèi)獨(dú)有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達(dá)25 GHz,支持芯片級(jí)設(shè)計(jì),通過(guò)K頻段應(yīng)用提供頻率更
  • 關(guān)鍵字: Qorvo  GaN  

半導(dǎo)體大佬撐腰之下 GaN功率半導(dǎo)體能取代MOSFET?

  • 2010年,供應(yīng)商發(fā)布了第一波基于GaN技術(shù)的功率半導(dǎo)體。但直到最近,這種產(chǎn)品的可用性依然不高,價(jià)格也高昂不下,GaN技術(shù)一直在尋找理想的應(yīng)用空間。隨著時(shí)間的推移,這些器件預(yù)計(jì)將逐步應(yīng)用到電動(dòng)汽車(chē)、移動(dòng)設(shè)備的快速充電適配器、無(wú)線充電和其他系統(tǒng)中,GaN基功率半導(dǎo)體器件正在電源市場(chǎng)上攻城拔寨。
  • 關(guān)鍵字: GaN  MOSFET  

如何應(yīng)對(duì)GaN測(cè)量挑戰(zhàn)

  • 功耗是當(dāng)今電子設(shè)計(jì)以及測(cè)試中最熱門(mén)也是競(jìng)爭(zhēng)最激烈的領(lǐng)域之一。這是因?yàn)槿藗儗?duì)高能效有強(qiáng)烈需求,希望能充分利用電池能量,幫助消減能源帳單,或者支持空間敏感或熱量敏感型應(yīng)用。在經(jīng)過(guò)30年的發(fā)展之后,硅MOSFET發(fā)
  • 關(guān)鍵字: GaN    測(cè)試  

單片機(jī)設(shè)計(jì)注意要點(diǎn)

  • 首先介紹一下這樣做的優(yōu)點(diǎn):采用低的晶振和總線頻率使得我們可以選擇較小的單片機(jī)滿(mǎn)足時(shí)序的要求,這樣單片機(jī)的工作電流可以變得更低,最重要的是VDD到VSS的電流峰值會(huì)更小。
  • 關(guān)鍵字: 單片機(jī)  FET  穿通電流  工作頻率  

中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶(hù)東莞

  •   中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“南方基地”)正式落戶(hù)東莞。9月30日,中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項(xiàng)目啟動(dòng)發(fā)布會(huì)在東莞召開(kāi)。國(guó)家科技部原副部長(zhǎng)、國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)決策委員會(huì)主任曹健林,廣東省副省長(zhǎng)袁寶成、省科技廳廳長(zhǎng)黃寧生,市委副書(shū)記、市長(zhǎng)梁維東,國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲等領(lǐng)導(dǎo)出席中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項(xiàng)目啟動(dòng)發(fā)布會(huì)并見(jiàn)證簽約儀式。   副市長(zhǎng)楊曉棠,市政府黨組成員、松山湖管委會(huì)主任殷煥明等參加了啟動(dòng)儀式。   為廣東實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化提
  • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  GaN  

Dialog加入功率元件市場(chǎng)戰(zhàn)局 GaN應(yīng)用成長(zhǎng)可期

  •   隨著去年Dialog取得了臺(tái)灣敦宏科技40%的股份后,國(guó)際Fabless業(yè)者Dialog于今日又有重要?jiǎng)幼鳌4舜蔚闹卮蟀l(fā)布是與晶圓代工龍頭臺(tái)積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。        Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall   透過(guò)臺(tái)積電以六寸晶圓廠的技術(shù),Dialog推出了DA8801,Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會(huì)后接受CTIMES采訪時(shí)表示,該款元件為目前產(chǎn)業(yè)界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
  • 關(guān)鍵字: Dialog  GaN  

以GaN打造的功率放大器為5G鋪路

  •   德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的建構(gòu)模組:以氮化鎵(GaN)技術(shù)制造的高功率放大器電晶體...   下一代行動(dòng)無(wú)線網(wǎng)路——5G,將為需要極低延遲的間和/或高達(dá)10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應(yīng)用提供平臺(tái)。德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics,F(xiàn)raunhofer IAF)近日開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構(gòu)模組
  • 關(guān)鍵字: GaN  5G  

GaN、SiC功率元件帶來(lái)更輕巧的世界

  •   眾人皆知,由于半導(dǎo)體制程的不斷精進(jìn),數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高,運(yùn)算力不斷增強(qiáng),使運(yùn)算的取得愈來(lái)愈便宜,也愈來(lái)愈輕便,運(yùn)算力便宜的代表是微電腦、個(gè)人電腦,而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機(jī)、平板。    ?   GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source:www.nedo.go.jp)   不過(guò),姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去,有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進(jìn)提升,例如筆電出門(mén)經(jīng)常要帶著一個(gè)厚重占體積的電源配接器(Power Ad
  • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門(mén)之——二極管/晶體管/FET

  •   導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體   硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英、陶瓷等絕緣體之間,用于制造半導(dǎo)體器件的原材料,具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動(dòng)的電子量不同引起的。這種可移動(dòng)電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過(guò)向其摻入雜質(zhì)來(lái)改變自由電子的數(shù)量,并可控制電流動(dòng)的物質(zhì)稱(chēng)為半導(dǎo)體。        根據(jù)電流流動(dòng)的構(gòu)造,可將半導(dǎo)體分為N型和P型兩類(lèi)。   半導(dǎo)體的電流流通原理   (1) N型半導(dǎo)體   圖1是在硅晶
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  FET  

諾貝爾獎(jiǎng)后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動(dòng)態(tài)

  •   當(dāng)諾貝爾獎(jiǎng)委員會(huì)在2014年宣布物理獎(jiǎng)得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎(jiǎng)的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后,掀起日本人對(duì)LED及氮化鎵(GaN)注意,也讓相關(guān)研究單位及研究計(jì)劃獲得更多的支持與關(guān)注。   比方2015年以諾貝爾獎(jiǎng)得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟,便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì)加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(NagoyaUniversity)合作,在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進(jìn)零組件開(kāi)創(chuàng)研究實(shí)驗(yàn)室(GaN-OIL),都是
  • 關(guān)鍵字: GaN  LED  

諾貝爾獎(jiǎng)后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動(dòng)態(tài)

  •   當(dāng)諾貝爾獎(jiǎng)委員會(huì)在2014年宣布物理獎(jiǎng)得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎(jiǎng)的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后,掀起日本人對(duì)LED及氮化鎵(GaN)注意,也讓相關(guān)研究單位及研究計(jì)劃獲得更多的支持與關(guān)注。   比方2015年以諾貝爾獎(jiǎng)得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟,便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì)加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(Nagoya University)合作,在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進(jìn)零組件開(kāi)創(chuàng)研究實(shí)驗(yàn)室(GaN-OIL),都
  • 關(guān)鍵字: GaN  藍(lán)光LED  

我國(guó)發(fā)展化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正當(dāng)時(shí)

  • 當(dāng)前,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革,化合物半導(dǎo)體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點(diǎn),我國(guó)應(yīng)加緊產(chǎn)業(yè)布局,搶占發(fā)展的主動(dòng)權(quán)。
  • 關(guān)鍵字: GaAs  GaN  
共417條 19/28 |‹ « 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 » ›|

e-mode gan fet介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條e-mode gan fet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)e-mode gan fet的理解,并與今后在此搜索e-mode gan fet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473