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e-mode gan fet 文章 進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)
松下:力推阻容元件與開(kāi)發(fā)工具,開(kāi)關(guān)器件X-GaN效率更高
- 松下被動(dòng)元件展區(qū),松下位于德國(guó)的器件解決方案部門(mén)被動(dòng)元件團(tuán)隊(duì)產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問(wèn)世的導(dǎo)電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優(yōu),例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流。 ZK和ZC產(chǎn)品在125C下可工作4000小時(shí)。三種類(lèi)型產(chǎn)品都有更低的ESR(等效串聯(lián)電阻)和LC,可用于LED、汽車(chē)、電力電子、電信等場(chǎng)合?! ∷上录瘓F(tuán)汽車(chē)&工業(yè)系統(tǒng)公司介紹了其網(wǎng)上工具--LC Simulator,可加速
- 關(guān)鍵字: 松下 X-GaN
最新Qorvo技術(shù)支持更高性能的GaN分立式LNA和驅(qū)動(dòng)器
- 實(shí)現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42,新產(chǎn)品的高頻性能更出色,噪聲更低,這對(duì)先進(jìn)的通信、雷達(dá)和國(guó)防RF系統(tǒng)應(yīng)用而言甚為關(guān)鍵。 該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關(guān)模型的制造工藝采用了業(yè)內(nèi)獨(dú)有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達(dá)25 GHz,支持芯片級(jí)設(shè)計(jì),通過(guò)K頻段應(yīng)用提供頻率更
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中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶(hù)東莞
- 中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“南方基地”)正式落戶(hù)東莞。9月30日,中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項(xiàng)目啟動(dòng)發(fā)布會(huì)在東莞召開(kāi)。國(guó)家科技部原副部長(zhǎng)、國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)決策委員會(huì)主任曹健林,廣東省副省長(zhǎng)袁寶成、省科技廳廳長(zhǎng)黃寧生,市委副書(shū)記、市長(zhǎng)梁維東,國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲等領(lǐng)導(dǎo)出席中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項(xiàng)目啟動(dòng)發(fā)布會(huì)并見(jiàn)證簽約儀式。 副市長(zhǎng)楊曉棠,市政府黨組成員、松山湖管委會(huì)主任殷煥明等參加了啟動(dòng)儀式。 為廣東實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化提
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 GaN
Dialog加入功率元件市場(chǎng)戰(zhàn)局 GaN應(yīng)用成長(zhǎng)可期
- 隨著去年Dialog取得了臺(tái)灣敦宏科技40%的股份后,國(guó)際Fabless業(yè)者Dialog于今日又有重要?jiǎng)幼鳌4舜蔚闹卮蟀l(fā)布是與晶圓代工龍頭臺(tái)積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。 Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall 透過(guò)臺(tái)積電以六寸晶圓廠的技術(shù),Dialog推出了DA8801,Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會(huì)后接受CTIMES采訪時(shí)表示,該款元件為目前產(chǎn)業(yè)界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
- 關(guān)鍵字: Dialog GaN
以GaN打造的功率放大器為5G鋪路
- 德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的建構(gòu)模組:以氮化鎵(GaN)技術(shù)制造的高功率放大器電晶體... 下一代行動(dòng)無(wú)線網(wǎng)路——5G,將為需要極低延遲的間和/或高達(dá)10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應(yīng)用提供平臺(tái)。德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics,F(xiàn)raunhofer IAF)近日開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構(gòu)模組
- 關(guān)鍵字: GaN 5G
GaN、SiC功率元件帶來(lái)更輕巧的世界
- 眾人皆知,由于半導(dǎo)體制程的不斷精進(jìn),數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高,運(yùn)算力不斷增強(qiáng),使運(yùn)算的取得愈來(lái)愈便宜,也愈來(lái)愈輕便,運(yùn)算力便宜的代表是微電腦、個(gè)人電腦,而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機(jī)、平板。 ? GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source:www.nedo.go.jp) 不過(guò),姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去,有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進(jìn)提升,例如筆電出門(mén)經(jīng)常要帶著一個(gè)厚重占體積的電源配接器(Power Ad
- 關(guān)鍵字: GaN SiC
學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門(mén)之——二極管/晶體管/FET
- 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體 硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英、陶瓷等絕緣體之間,用于制造半導(dǎo)體器件的原材料,具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動(dòng)的電子量不同引起的。這種可移動(dòng)電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過(guò)向其摻入雜質(zhì)來(lái)改變自由電子的數(shù)量,并可控制電流動(dòng)的物質(zhì)稱(chēng)為半導(dǎo)體。 根據(jù)電流流動(dòng)的構(gòu)造,可將半導(dǎo)體分為N型和P型兩類(lèi)。 半導(dǎo)體的電流流通原理 (1) N型半導(dǎo)體 圖1是在硅晶
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) FET
諾貝爾獎(jiǎng)后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動(dòng)態(tài)
- 當(dāng)諾貝爾獎(jiǎng)委員會(huì)在2014年宣布物理獎(jiǎng)得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎(jiǎng)的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后,掀起日本人對(duì)LED及氮化鎵(GaN)注意,也讓相關(guān)研究單位及研究計(jì)劃獲得更多的支持與關(guān)注。 比方2015年以諾貝爾獎(jiǎng)得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟,便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì)加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(NagoyaUniversity)合作,在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進(jìn)零組件開(kāi)創(chuàng)研究實(shí)驗(yàn)室(GaN-OIL),都是
- 關(guān)鍵字: GaN LED
諾貝爾獎(jiǎng)后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動(dòng)態(tài)
- 當(dāng)諾貝爾獎(jiǎng)委員會(huì)在2014年宣布物理獎(jiǎng)得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎(jiǎng)的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后,掀起日本人對(duì)LED及氮化鎵(GaN)注意,也讓相關(guān)研究單位及研究計(jì)劃獲得更多的支持與關(guān)注。 比方2015年以諾貝爾獎(jiǎng)得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟,便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì)加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(Nagoya University)合作,在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進(jìn)零組件開(kāi)創(chuàng)研究實(shí)驗(yàn)室(GaN-OIL),都
- 關(guān)鍵字: GaN 藍(lán)光LED
e-mode gan fet介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條e-mode gan fet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)e-mode gan fet的理解,并與今后在此搜索e-mode gan fet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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