最新Qorvo技術(shù)支持更高性能的GaN分立式LNA和驅(qū)動(dòng)器

　　實(shí)現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42，新產(chǎn)品的高頻性能更出色，噪聲更低，這對(duì)先進(jìn)的通信、雷達(dá)和國(guó)防RF系統(tǒng)應(yīng)用而言甚為關(guān)鍵。

　　該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關(guān)模型的制造工藝采用了業(yè)內(nèi)獨(dú)有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達(dá)25 GHz，支持芯片級(jí)設(shè)計(jì)，通過(guò)K頻段應(yīng)用提供頻率更高且經(jīng)濟(jì)高效的分立式技術(shù)。

　　Qorvo高性能解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Roger Hall表示：“高性能GaN產(chǎn)品、互補(bǔ)模塊和專業(yè)的應(yīng)用工程支持有機(jī)結(jié)合，使得Qorvo脫穎而出。我們幫助設(shè)計(jì)人員將產(chǎn)品加速推向市場(chǎng)。”

　　支持迅速、準(zhǔn)確的性能測(cè)試并加速生產(chǎn)就緒過(guò)程的線性、非線性以及噪聲模型由我們的合作伙伴、仿真技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Modelithics, Inc.提供。這些模型提供的功能包括擴(kuò)展工作電壓、環(huán)境溫度和自熱效應(yīng)，以及針對(duì)波形優(yōu)化的固有電壓/電流節(jié)點(diǎn)訪問(wèn)。

　　下表簡(jiǎn)要介紹了QGaN15產(chǎn)品的特性。

　　10GHz時(shí)的數(shù)據(jù)：

　　Qorvo是國(guó)防和有線行業(yè)的領(lǐng)先GaN RF供應(yīng)商*。自1999年起，Qorvo 就一直在推動(dòng)GaN研究和創(chuàng)新，提供經(jīng)過(guò)檢驗(yàn)的GaN電路可靠性和緊湊型、高效率產(chǎn)品。Qorvo于2014年完成了美國(guó)國(guó)防生產(chǎn)法案第三法令的GaN on SiC計(jì)劃，是獲得國(guó)防制造電子機(jī)構(gòu)認(rèn)證的1A類可信來(lái)源。公司還是唯一一家達(dá)到制造成熟度(MRL)9級(jí)的GaN供應(yīng)商。Qorvo一直推動(dòng)GaN產(chǎn)品的下一代系統(tǒng)創(chuàng)新(從直流到Ka頻段)，憑借其可靠的性能、低維護(hù)和長(zhǎng)運(yùn)行壽命，成功實(shí)現(xiàn)從工廠到現(xiàn)場(chǎng)的轉(zhuǎn)變。