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Maxim推出業(yè)內(nèi)首款8 x 4衛(wèi)星IF開(kāi)關(guān)IC
- Maxim推出業(yè)內(nèi)首款8 x 4衛(wèi)星IF開(kāi)關(guān)IC MAX12005,可擴(kuò)展至16路衛(wèi)星信號(hào)輸入。MAX12005具有高度集成特性,且應(yīng)用十分靈活,非常適合多種空間受限的衛(wèi)星IF分配和多開(kāi)關(guān)應(yīng)用。 MAX12005應(yīng)用十分靈活,通過(guò)一路附加的IF開(kāi)關(guān)輸入配置內(nèi)部8 x 4矩陣,可擴(kuò)展至16路衛(wèi)星信號(hào)輸入。器件支持單個(gè)四路低噪聲下變頻模塊(LNB),垂直或水平極化信號(hào)可通過(guò)矩陣切換至四個(gè)衛(wèi)星接收器。使用兩片MAX12005 IC以及增加八個(gè)輸入分離器還可實(shí)現(xiàn)將八路衛(wèi)星IF輸入分配至八個(gè)衛(wèi)星接收器的配
- 關(guān)鍵字: Maxim IF開(kāi)關(guān) MAX12005 8 x 4 LNB
Maxim推出結(jié)構(gòu)緊湊的USB充電器識(shí)別開(kāi)關(guān)
- Maxim推出USB充電器識(shí)別方案MAX14566E,支持采用筆記本電腦為便攜設(shè)備充電,即使筆記本電腦處于休眠或深度休眠模式也可進(jìn)行充電。該款開(kāi)關(guān)支持USB電池充電規(guī)范1.1版以及面向中國(guó)市場(chǎng)的CCSA YD/T 1591-2006標(biāo)準(zhǔn)。MAX14566E結(jié)構(gòu)緊湊(2mm x 2mm),與分立方案相比可有效節(jié)省電路板空間,降低軟件開(kāi)銷。 MAX14566E通過(guò)充電器識(shí)別電路可自動(dòng)識(shí)別所連接的便攜設(shè)備類型,該電路無(wú)需外部軟件干預(yù),主機(jī)USB端口可通過(guò)短接D+/D-檢測(cè)支持兼容USB電池充電規(guī)范1.
- 關(guān)鍵字: Maxim 識(shí)別開(kāi)關(guān) 2mm x 2mm MAX14566E
Ramtron和奧地利微電子公司合作提供MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器套件
- 世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron) 和全球領(lǐng)先的高性能模擬IC設(shè)計(jì)商與生產(chǎn)商奧地利微電子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于評(píng)測(cè)第三代數(shù)據(jù)豐富自動(dòng)識(shí)別應(yīng)用的MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器套件。Ramtron的MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器評(píng)測(cè)套件在德國(guó)慕尼黑electronica 2010展會(huì)上首次展出。
- 關(guān)鍵字: Ramtron F-RAM RFID
X-FAB公布首款0.35微米100V高壓純晶圓代工廠技術(shù)
- X-FAB Silicon Foundries,業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)晶圓廠及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家,今天公布了業(yè)界首款100V高壓0.35微米晶圓廠工藝。它能用于電池管理,提供新類型的可靠及高性能電池監(jiān)控與保護(hù)系統(tǒng)。它也非常適合用于功率管理設(shè)備,以及用于使用壓電驅(qū)動(dòng)器的超聲波成像和噴墨打印機(jī)的噴頭。此外,X-FAB加入了新興改良式N類與P類雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)晶體管,對(duì)于達(dá)到100V的多運(yùn)作電壓,導(dǎo)通電阻可降低45%,晶片的占位能夠降低40%,從而降低了晶
- 關(guān)鍵字: X-FAB 晶圓代工
X-FAB公布8英寸MEMS晶片工藝
- X-FAB Silicon Foundries,業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)晶圓廠及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家,今天宣布其將擴(kuò)大自身的晶圓廠服務(wù),囊括8英寸(200毫米)MEMS晶片工藝。移至更大的晶片直徑及單片電路的MEMS/CMOS集成可以大大降低生產(chǎn)成本。X-FAB相信其擴(kuò)展到8英寸MEMS生產(chǎn)使其能夠在領(lǐng)先的MEMS晶圓廠中占據(jù)有利地位,并能使為汽車與消費(fèi)電子市場(chǎng)開(kāi)發(fā)應(yīng)用設(shè)備的客戶受益。公司早已開(kāi)展與主要客戶合作,結(jié)合0.35微米CMOS技術(shù),開(kāi)發(fā)200毫米晶片的MEMS設(shè)
- 關(guān)鍵字: X-FAB MEMS 晶圓
X-FAB將參展2010 中國(guó)國(guó)際微機(jī)械/MEMS展覽會(huì)
- 業(yè)界領(lǐng)先的模擬或混合信號(hào)硅晶圓代工廠和“超越摩爾定律”技術(shù)的專家X-FAB公司,將參加2010年5月27日-29日舉行的中國(guó)國(guó)際微機(jī)械/MEMS展覽會(huì)暨新技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化論壇,展示其先進(jìn)的MEMS代工廠服務(wù),展位號(hào)為 #A303 & 304。X-FAB公司的代工制程技術(shù),已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用在制造微型機(jī)械傳感器上,包含結(jié)合了MEMS和CMOS的集成解決方案, 可以用來(lái)探測(cè)壓力、加速度、轉(zhuǎn)速和紅外線輻射。 X-FAB在MEMS代工方面已經(jīng)擁有超過(guò)10年的經(jīng)驗(yàn),為壓力傳感器、
- 關(guān)鍵字: X-FAB MEMS
連接Profibus和Modbus-TCP網(wǎng)絡(luò)的Anybus X-網(wǎng)關(guān)
- 簡(jiǎn)便易用的智能網(wǎng)關(guān)可將施耐德電氣、ABB或通用電氣設(shè)備同西門子自控系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)連接起來(lái)。來(lái)自HMS工業(yè)網(wǎng)絡(luò)有限公司的Anybus X-網(wǎng)關(guān)使得系統(tǒng)集成器可以在兩個(gè)不同的PLC系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)間輕松傳導(dǎo)輸入輸出數(shù)據(jù)。X-網(wǎng)關(guān)是一種可配置的獨(dú)立網(wǎng)關(guān),它能使得基于Profibus網(wǎng)絡(luò)的車間設(shè)備可與基于Modbus-TCP網(wǎng)絡(luò)的設(shè)備進(jìn)行雙向通信。典型的應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)榛旌鲜褂梦鏖T子、施耐德電氣、ABB或通用電氣設(shè)備的裝置。一個(gè)實(shí)例是在汽車制造工廠,在那兒基于Profibus的裝置需要同基于工業(yè)以太網(wǎng)并使用流行的Modbus
- 關(guān)鍵字: HMS X-網(wǎng)關(guān) Profibus Anybus
X-fest 2010 系列研討會(huì)圓滿落幕好評(píng)如潮
- 安富利電子元件 (Avnet Electronics Marketing) 與賽靈思公司(Xilinx, Inc.)攜手舉辦的為期五個(gè)月、橫跨全球 37 個(gè)城市的 X-fest 系列技術(shù)研討會(huì)已經(jīng)圓滿結(jié)束。本次活動(dòng)的出席人數(shù)超出預(yù)期,并且贏得了參會(huì)人員的一致贊許。 為期一天的免費(fèi)培訓(xùn)提供了實(shí)用的系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)指導(dǎo),包含賽靈思的 Spartan®-6 和 Virtex®-6 FPGA 系列的詳盡介紹,以及來(lái)自賽普拉斯、英特爾、美信(Maxim Integrated Products)、
- 關(guān)鍵字: 安富利 X-fest 電子元件
X-FAB 率先提出單塊嵌入式NVRAM作為專業(yè)晶圓代工解決方案
- 業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)晶圓廠以及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家,X-FAB Silicon Foundries,今天成為第一家也是唯一一家提供嵌入式非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(NVRAM)工藝特征的專業(yè)晶圓代工廠,提出了一種單芯片解決方案。由于結(jié)合了快速存取SRAM以及EEPROM或閃存的非易失性保持的優(yōu)點(diǎn),即使芯片面積大大減少,XH018工藝的新的NVRAM能力和支持NVRAM編譯器可使客戶獲取同樣甚至更好的功能,同時(shí)當(dāng)他們?cè)O(shè)計(jì)與測(cè)試時(shí)更能夠節(jié)省時(shí)間和精力。 新的編譯器允許設(shè)
- 關(guān)鍵字: X-FAB NVRAM 晶圓代工
F-RAM與BBSRAM功能和系統(tǒng)設(shè)計(jì)之比較
- 引言 高性能和環(huán)保是當(dāng)前技術(shù)創(chuàng)新的兩大要求。二者共同推動(dòng)半導(dǎo)體元器件的發(fā)展,同時(shí)也為全球眾多企業(yè)和消費(fèi)者所耳熟能詳。 若系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù),工程師有(但不限于)以下選擇:電池備份靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM);以及其它noVRAM技術(shù)。在從工廠自動(dòng)化和電信到計(jì)量和醫(yī)療技術(shù)的每一種應(yīng)用中,要確定最適合的存儲(chǔ)器選擇,是一項(xiàng)重要的設(shè)計(jì)考慮事項(xiàng)。
- 關(guān)鍵字: Ramtron F-RAM BBSRAM
f-x介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)f-x的理解,并與今后在此搜索f-x的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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