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未來十年GaN和SiC功率半導體市場將以18%的速度穩(wěn)增

  •   在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅動,新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。   據(jù)有關報告稱,至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預測,未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。   SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
  • 關鍵字: GaN  半導體  SiC  

未來十年GaN和SiC功率半導體市場將以18%的速度穩(wěn)增

  •   在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅動,新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。   據(jù)有關報告稱,至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預測,未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。   SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
  • 關鍵字: GaN  半導體  SiC  

三菱化學計劃擴增LED用GaN基板產(chǎn)能

  •   因照明用LED需求大增,三菱化學計劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的2-3倍。   目前,三菱化學利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板,生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸,月產(chǎn)能分別為1,000片、數(shù)百片。   而為了要達到穩(wěn)定獲利的水平,有必要將產(chǎn)品尺寸擴大至4-6寸,所以,三菱化學計劃借由調整水島事業(yè)所現(xiàn)有設備的制程,開始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板,月產(chǎn)能為200-300片,并計劃憑借新設生產(chǎn)設備或增設廠房等措施,開始生產(chǎn)6寸GaN基板,將GaN基板產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的2-3倍
  • 關鍵字: LED  GaN  

eGaN FET與硅功率器件比拼之六:隔離型PoE-PSE轉換器

  • 隔離型磚式轉換器被廣泛應用于電信系統(tǒng),為網(wǎng)絡設備供電,這些轉換器可以提供各種標準尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
  • 關鍵字: eGaN  FET  硅功率器  轉換器  

正確的同步降壓FET時序設計

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關期間,存在兩個過渡階...
  • 關鍵字: 同步降壓  FET  時序設計  

GaN類功率元件,高耐壓成功率半導體主角

  • 采用Si基板降低成本,通過改變構造改善特性那么,GaN類功率元件的成本、電氣特性以及周邊技術方面存在...
  • 關鍵字: GaN類功率半導體  功率半導體  GaN  

電源設計小貼士46:正確地同步降壓FET時序

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關期間,存在兩個過渡階段:低...
  • 關鍵字: FET    MOSFET    電源設計小貼士    德州儀器  

富士通半導體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件

  •   上海,2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用,對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。   與傳統(tǒng)硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率,并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業(yè)化
  • 關鍵字: 富士通  功率器件  GaN  

富士通明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

  • 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用,對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。
  • 關鍵字: 富士通  功率器  GaN  

電源設計:正確地同步降壓 FET 時序

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關期間,存在兩個過渡階段:低...
  • 關鍵字: 電源設計  同步降壓  FET  時序  

德州儀器推出最靈活PFET高側負載開關

  • 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側負載開關。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業(yè)界最寬泛電源電壓支持,是分立式 FET 開關的最靈活替代產(chǎn)品。
  • 關鍵字: TI  TPS27081A  FET  

功放為智能手機提供最佳效率

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字: 智能手機  功放  最佳效率  TD-LTE  GaN  

將光電FET光耦用作一個線性壓控電位器

  • 光電FET可以用作一只可變電阻,或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓,因此能夠安全地控制高壓電路參數(shù)。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種非線性,可以采用一
  • 關鍵字: FET  光電  電位器  光耦    

基于優(yōu)化變換器的FET開關來改善能量效率

  •  在計算和消費電子產(chǎn)品中,效率已經(jīng)有了顯著的提高,重點是AC/DC轉換上。不過,隨著80 PLUS,Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn),設計人員開始認識到,AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進?! C/DC平均系統(tǒng)
  • 關鍵字: 改善  能量  效率  開關  FET  優(yōu)化  變換器  基于  

設計主電源和備用電源之間的FET-OR電路開關

  • 圖1為一具有“二極管或”功能的電路,用于主電源和備用電源之間必須自動切換的場合,包括電池供電存儲器電...
  • 關鍵字: 主電源  備用電源  FET-OR  
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