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半導(dǎo)體大佬撐腰之下 GaN功率半導(dǎo)體能取代MOSFET?

  • 2010年,供應(yīng)商發(fā)布了第一波基于GaN技術(shù)的功率半導(dǎo)體。但直到最近,這種產(chǎn)品的可用性依然不高,價(jià)格也高昂不下,GaN技術(shù)一直在尋找理想的應(yīng)用空間。隨著時(shí)間的推移,這些器件預(yù)計(jì)將逐步應(yīng)用到電動(dòng)汽車(chē)、移動(dòng)設(shè)備的快速充電適配器、無(wú)線充電和其他系統(tǒng)中,GaN基功率半導(dǎo)體器件正在電源市場(chǎng)上攻城拔寨。
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如何應(yīng)對(duì)GaN測(cè)量挑戰(zhàn)

  • 功耗是當(dāng)今電子設(shè)計(jì)以及測(cè)試中最熱門(mén)也是競(jìng)爭(zhēng)最激烈的領(lǐng)域之一。這是因?yàn)槿藗儗?duì)高能效有強(qiáng)烈需求,希望能充分利用電池能量,幫助消減能源帳單,或者支持空間敏感或熱量敏感型應(yīng)用。在經(jīng)過(guò)30年的發(fā)展之后,硅MOSFET發(fā)
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單片機(jī)設(shè)計(jì)注意要點(diǎn)

  • 首先介紹一下這樣做的優(yōu)點(diǎn):采用低的晶振和總線頻率使得我們可以選擇較小的單片機(jī)滿足時(shí)序的要求,這樣單片機(jī)的工作電流可以變得更低,最重要的是VDD到VSS的電流峰值會(huì)更小。
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中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶東莞

  •   中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡(jiǎn)稱“南方基地”)正式落戶東莞。9月30日,中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項(xiàng)目啟動(dòng)發(fā)布會(huì)在東莞召開(kāi)。國(guó)家科技部原副部長(zhǎng)、國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)決策委員會(huì)主任曹健林,廣東省副省長(zhǎng)袁寶成、省科技廳廳長(zhǎng)黃寧生,市委副書(shū)記、市長(zhǎng)梁維東,國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲等領(lǐng)導(dǎo)出席中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項(xiàng)目啟動(dòng)發(fā)布會(huì)并見(jiàn)證簽約儀式。   副市長(zhǎng)楊曉棠,市政府黨組成員、松山湖管委會(huì)主任殷煥明等參加了啟動(dòng)儀式。   為廣東實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化提
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Dialog加入功率元件市場(chǎng)戰(zhàn)局 GaN應(yīng)用成長(zhǎng)可期

  •   隨著去年Dialog取得了臺(tái)灣敦宏科技40%的股份后,國(guó)際Fabless業(yè)者Dialog于今日又有重要?jiǎng)幼?。此次的重大發(fā)布是與晶圓代工龍頭臺(tái)積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。        Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall   透過(guò)臺(tái)積電以六寸晶圓廠的技術(shù),Dialog推出了DA8801,Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會(huì)后接受CTIMES采訪時(shí)表示,該款元件為目前產(chǎn)業(yè)界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
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以GaN打造的功率放大器為5G鋪路

  •   德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的建構(gòu)模組:以氮化鎵(GaN)技術(shù)制造的高功率放大器電晶體...   下一代行動(dòng)無(wú)線網(wǎng)路——5G,將為需要極低延遲的間和/或高達(dá)10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應(yīng)用提供平臺(tái)。德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics,F(xiàn)raunhofer IAF)近日開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構(gòu)模組
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GaN、SiC功率元件帶來(lái)更輕巧的世界

  •   眾人皆知,由于半導(dǎo)體制程的不斷精進(jìn),數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高,運(yùn)算力不斷增強(qiáng),使運(yùn)算的取得愈來(lái)愈便宜,也愈來(lái)愈輕便,運(yùn)算力便宜的代表是微電腦、個(gè)人電腦,而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機(jī)、平板。    ?   GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source:www.nedo.go.jp)   不過(guò),姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去,有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進(jìn)提升,例如筆電出門(mén)經(jīng)常要帶著一個(gè)厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門(mén)之——二極管/晶體管/FET

  •   導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體   硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英、陶瓷等絕緣體之間,用于制造半導(dǎo)體器件的原材料,具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動(dòng)的電子量不同引起的。這種可移動(dòng)電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過(guò)向其摻入雜質(zhì)來(lái)改變自由電子的數(shù)量,并可控制電流動(dòng)的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。        根據(jù)電流流動(dòng)的構(gòu)造,可將半導(dǎo)體分為N型和P型兩類(lèi)。   半導(dǎo)體的電流流通原理   (1) N型半導(dǎo)體   圖1是在硅晶
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諾貝爾獎(jiǎng)后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動(dòng)態(tài)

  •   當(dāng)諾貝爾獎(jiǎng)委員會(huì)在2014年宣布物理獎(jiǎng)得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎(jiǎng)的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后,掀起日本人對(duì)LED及氮化鎵(GaN)注意,也讓相關(guān)研究單位及研究計(jì)劃獲得更多的支持與關(guān)注。   比方2015年以諾貝爾獎(jiǎng)得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟,便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì)加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(NagoyaUniversity)合作,在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進(jìn)零組件開(kāi)創(chuàng)研究實(shí)驗(yàn)室(GaN-OIL),都是
  • 關(guān)鍵字: GaN  LED  

諾貝爾獎(jiǎng)后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動(dòng)態(tài)

  •   當(dāng)諾貝爾獎(jiǎng)委員會(huì)在2014年宣布物理獎(jiǎng)得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎(jiǎng)的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后,掀起日本人對(duì)LED及氮化鎵(GaN)注意,也讓相關(guān)研究單位及研究計(jì)劃獲得更多的支持與關(guān)注。   比方2015年以諾貝爾獎(jiǎng)得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟,便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì)加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(Nagoya University)合作,在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進(jìn)零組件開(kāi)創(chuàng)研究實(shí)驗(yàn)室(GaN-OIL),都
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我國(guó)發(fā)展化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正當(dāng)時(shí)

  • 當(dāng)前,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革,化合物半導(dǎo)體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點(diǎn),我國(guó)應(yīng)加緊產(chǎn)業(yè)布局,搶占發(fā)展的主動(dòng)權(quán)。
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臺(tái)積電發(fā)力“硅基氮化鎵”元件受托業(yè)務(wù)

  •   臺(tái)灣臺(tái)積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開(kāi)了受托生產(chǎn)服務(wù)的藍(lán)圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術(shù)生產(chǎn)GaN晶體管。   臺(tái)積電打算開(kāi)展受托生產(chǎn)的GaN晶體管有三種類(lèi)型:(1)常開(kāi)型(Normal On)MISFET、(2)常開(kāi)型HEMT、(3)常關(guān)型(Normal Off)。按耐壓高低來(lái)分有40V、100V和650V產(chǎn)品。   其中,耐壓650V的常關(guān)
  • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  GaN  

Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統(tǒng)功率性能

  •   移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防等應(yīng)用中領(lǐng)先的RF解決方案供應(yīng)商Qorvo, Inc.今日宣布,推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010,以及QPD1008(L)和QPD1015(L),專門(mén)設(shè)計(jì)用于優(yōu)化商業(yè)用雷達(dá)、通信系統(tǒng)及航空電子應(yīng)用的功率性能。   Qorvo 國(guó)防與航空航天產(chǎn)品總經(jīng)理Roger Hall表示:“全新50V GaN晶體管系列通過(guò)提供更高功率增益和功率附加效率來(lái)提升系統(tǒng)性能。Qorvo可以更好地實(shí)現(xiàn)相位陣列雷達(dá)等先進(jìn)設(shè)備的要求,提供
  • 關(guān)鍵字: Qorvo  GaN   

基于GaN FET的CCM圖騰柱無(wú)橋PFC

  •   氮化鎵 (GaN) 技術(shù)由于其出色的開(kāi)關(guān)特性和不斷提升的品質(zhì),近期逐漸得到了電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復(fù)的安全GaN可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率和效率,從而為全新應(yīng)用和拓?fù)溥x項(xiàng)打開(kāi)了大門(mén)。連續(xù)傳導(dǎo)模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個(gè)得益于GaN優(yōu)點(diǎn)的拓?fù)?。與通常使用的雙升壓無(wú)橋PFC拓?fù)湎啾?,CCM圖騰柱無(wú)橋PFC能夠使半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)和升壓電感器的數(shù)量減半,同時(shí)又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因,并給出了相應(yīng)的解決方案。一個(gè)750W圖騰柱PFC原型機(jī)被
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TI的600V GaN FET功率級(jí)革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能

  •   基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn),德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí)工程樣片,從而使TI成為首家,也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動(dòng)器的GaN解決方案的半導(dǎo)體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比,這款全新的12A LMG3410功率級(jí)與TI的模擬與數(shù)字電力轉(zhuǎn)換控制器組合在一起,能使設(shè)計(jì)人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設(shè)計(jì)。而這些優(yōu)勢(shì)在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計(jì)算和可再生能源應(yīng)用中都特別重要。如需了解更多信息
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