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使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個(gè)寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構(gòu)成的。這個(gè)寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
關(guān)鍵字： FET 雙極性晶體管緩沖電路寬帶

如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響-　在使用電子元器件時(shí)，你有時(shí)候不可避免地會(huì)聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓，系統(tǒng)中的電流以相反的方向運(yùn)行；從輸出到輸入。幸運(yùn)的是，有很多方法可以保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護(hù)系列博文的第一篇文章，在這篇文章中，你將能夠?qū)ΜF(xiàn)有解決方案有高層次的總體認(rèn)識(shí)和了解。
關(guān)鍵字： FET TPS22963 德州儀器反向電流

揭開(kāi)電池管理系統(tǒng)的神秘面紗

揭開(kāi)電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設(shè)備具有更高的移動(dòng)性并且比以前更綠色，電池技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)了這一進(jìn)展，并惠及了包括便捷式電動(dòng)工具、插電式混合動(dòng)力車(chē)、無(wú)線(xiàn)揚(yáng)聲器在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品。近年來(lái)，電池效率（輸出功率/尺寸比）和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車(chē)電池得多龐大和笨重，其主要用途是啟動(dòng)汽車(chē)。隨著技術(shù)的最新進(jìn)展，你可以改用鋰離子電池來(lái)迅速啟動(dòng)汽車(chē)，其重量只有幾磅，尺寸也就人手那么大。
關(guān)鍵字：電池管理系統(tǒng) FET FET驅(qū)動(dòng)器

制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開(kāi)始

　　接近62%的能源被白白浪費(fèi) 　　美國(guó)制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱(chēng)為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國(guó)制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說(shuō)，而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車(chē)減重設(shè)計(jì)，本身也是為了降低能源消耗的問(wèn)題。在美國(guó)第二個(gè)創(chuàng)新研究院“美國(guó)電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問(wèn)題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場(chǎng)的創(chuàng)新中心。　　　　圖1：整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
關(guān)鍵字： SiC GaN

GaN器件開(kāi)路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

　　未來(lái)五年，通信產(chǎn)業(yè)向5G時(shí)代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對(duì)智能手機(jī)市場(chǎng)，還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，并且，5G將為RF功率市場(chǎng)的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來(lái)重大市場(chǎng)機(jī)遇。　　未來(lái)幾年，據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場(chǎng)和技術(shù)趨勢(shì)-2017版》報(bào)告預(yù)計(jì)，隨著電信基站升級(jí)和小型基站部署的需求增長(zhǎng)，RF功率市場(chǎng)將獲得強(qiáng)勁增長(zhǎng)。2016~2022年期間，整體RF功率市場(chǎng)營(yíng)收或?qū)⒃鲩L(zhǎng)75%，帶來(lái)9.8%的復(fù)合年增長(zhǎng)率。這意味著市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模將從2016年的15億美元增長(zhǎng)至202
關(guān)鍵字： GaN 5G

5G推動(dòng)RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

展望未來(lái)，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù)，LDMOS制程的市場(chǎng)份額則會(huì)明顯萎縮。
關(guān)鍵字： 5G GaN

2021年全球MOCVD市場(chǎng)將突破11億美元

　　什么是MOCVD? 　　MOCVD是在氣相外延生長(zhǎng)(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長(zhǎng)各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。　　MOCVD設(shè)備主要用于半導(dǎo)體材料襯底的外延生長(zhǎng)，是LED以及半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備。　　根據(jù)Technavio統(tǒng)計(jì)，全球MOCVD市場(chǎng)的復(fù)合年平均增長(zhǎng)率將在2021年之前增長(zhǎng)到14%，市場(chǎng)規(guī)模將從201
關(guān)鍵字： MOCVD GaN

趁著第三代半導(dǎo)體的東風(fēng)，紫外LED要做弄潮兒

本文主要介紹了第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會(huì)影響力。
關(guān)鍵字：照明紫外LED GaN 第三代半導(dǎo)體

GaN組件和AMO技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高效率與寬帶

隨著無(wú)線(xiàn)通信的帶寬、用戶(hù)數(shù)目以及地理覆蓋范圍擴(kuò)展，基地臺(tái)收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對(duì)于更高效率的需求也不斷成長(zhǎng)。無(wú)線(xiàn)功率放大器所消耗的功率超過(guò)了基地臺(tái)運(yùn)作所需功率的一半。透過(guò)提高效率來(lái)減少功耗具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，首先，最明顯的好處是降低運(yùn)營(yíng)成本；同時(shí)，更少的熱意味著更低的設(shè)備冷卻需求以及更高的可靠性。
關(guān)鍵字： GaN AMO 放率放大器 LINC DPDm

第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
關(guān)鍵字： GaN SiC 第三代半導(dǎo)體材料

FET知識(shí)：采用結(jié)型FET實(shí)現(xiàn)的放大電路經(jīng)典案例

　　與之前介紹的晶體管放大電路相同，各級(jí)FET放大電路之間的連接也必須通過(guò)電容連接，以構(gòu)成CR的連接方式。此時(shí)，為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系，就需要偏置電路來(lái)提供柵極電壓?！　∨c晶體管放大電路的接地方式相同，結(jié)型FET放大電路也有多種接地方式?！　∽钜话愕脑礃O接地電路和自偏置電路　　n溝道FET的例子如下圖所示，p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向，與此圖完全相反?！　ET源極接地電路的功能，與晶體管的共射放大電路一樣。由于結(jié)型FET的正常工作，要求柵極和源極間的電壓VGS為
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MACOM：硅基GaN產(chǎn)品更適應(yīng)5G未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)

　　MACOM是半導(dǎo)體行業(yè)的支柱型企業(yè)，在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中，公司敢于采用大膽的技術(shù)手段，為客戶(hù)提供真正的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)并為投資者帶來(lái)卓越的價(jià)值，致力于構(gòu)筑更加美好的世界。　　在基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)領(lǐng)域中，MACOM的技術(shù)提高了移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率，讓光纖網(wǎng)絡(luò)得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無(wú)法想象的巨大通信量，讓數(shù)百萬(wàn)人在生活中每時(shí)每刻方便地交流溝通。　　日前在上海舉辦的EDICON展會(huì)上，MACOM展出了一系列應(yīng)用在基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域中的射頻功率晶體管產(chǎn)品，根據(jù)客戶(hù)的需求及痛點(diǎn)提供一站式解決方案。
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汽車(chē)功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

　　汽車(chē)功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件，是支撐新型電動(dòng)汽車(chē)?yán)m(xù)航里程達(dá)到至少200英里的核心部件。　　雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(chē)(2015年為14億部[1]，汽車(chē)銷(xiāo)量為8,800萬(wàn)輛[2])，但汽車(chē)的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車(chē)功率IC穩(wěn)健增長(zhǎng)，2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車(chē)在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長(zhǎng)推動(dòng)力，2015年5月Teardown.com針對(duì)寶馬i3電動(dòng)車(chē)的報(bào)告顯示，該車(chē)型物料清單中包含100多個(gè)電源
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前瞻性技術(shù)：加速GaN技術(shù)應(yīng)用

　　相較于過(guò)去所使用的硅晶體管，氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應(yīng)用在同等電壓條件下，以更高的切換頻率運(yùn)作。這代表在相同條件下，GaN能夠較以硅為基礎(chǔ)的解決方案實(shí)現(xiàn)更高的效率。　　電源供應(yīng)設(shè)計(jì) 　　德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型，讓工程師能夠輕松地將GaN技術(shù)設(shè)計(jì)至電源解決方案中，進(jìn)而超越傳統(tǒng)上功率密度限制。基于數(shù)十年的電源測(cè)試專(zhuān)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，TI針對(duì)GaN進(jìn)行了數(shù)百萬(wàn)小時(shí)的加速測(cè)試，并建立了能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源設(shè)計(jì)的生態(tài)系統(tǒng)。　　GaN將在功率密集的應(yīng)用中大展身手，它能夠在保持或提
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汽車(chē)功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

　　雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(chē)(2015年為14億部[1]，汽車(chē)銷(xiāo)量為8,800萬(wàn)輛[2])，但汽車(chē)的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車(chē)功率IC穩(wěn)健增長(zhǎng)，2015 - 2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車(chē)在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長(zhǎng)推動(dòng)力，2015年5月Teardown.com針對(duì)寶馬i3電動(dòng)車(chē)的報(bào)告顯示，該車(chē)型物料清單中包含100多個(gè)電源相關(guān)芯片?！　∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進(jìn)邏輯晶體管不同，功率元器件FET通常運(yùn)用更老的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，使用200毫米(和
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