gan fet 文章進(jìn)入gan fet技術(shù)社區(qū)

如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

　　圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級(jí)繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
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基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對(duì)后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價(jià)格相對(duì)便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢(shì)，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
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MOS-FET開關(guān)電路

MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡(jiǎn)單，如釁5.4-100所示短路開關(guān)對(duì)應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
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J-FET開關(guān)電路工作原理

1、簡(jiǎn)單開關(guān)控制電路圖5.4-97為簡(jiǎn)單J-FET開關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí)，VGS=0，J-FET導(dǎo)通，傳輸信號(hào)至VO；當(dāng)VC比V1足夠負(fù)，VD導(dǎo)通而J-FET截止，VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
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與萬用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器

電路的功能場(chǎng)效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級(jí)，但一個(gè)等級(jí)內(nèi)仍有差別，如果在組裝電路之前測(cè)量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測(cè)量時(shí)，
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使用FET輸入型OP放大器的長(zhǎng)時(shí)間模擬定時(shí)電路

電路的功能定時(shí)器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個(gè)來組成定時(shí)器，這樣可以減少IC的數(shù)量，事先了
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可用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路

電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
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使用結(jié)型FET的簡(jiǎn)易電壓控制放大器

電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時(shí)，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
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GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)，2013年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1.8億

　　美國(guó)iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場(chǎng)規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。iSuppli預(yù)測(cè)，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測(cè)階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
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Vishay推出4款MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。　　新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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友達(dá)光電宣布收購FET公司的FED資產(chǎn)及技術(shù)

　　友達(dá)光電1月20日宣布，與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡(jiǎn)稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡(jiǎn)稱FETJ)簽署資產(chǎn)收購技術(shù)移轉(zhuǎn)協(xié)議，收購FET的場(chǎng)發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術(shù)，該公司為全球FED技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。友達(dá)在此交易中，將取得FET顯示技術(shù)及材料的專利、技術(shù)、發(fā)明，以及相關(guān)設(shè)備等資產(chǎn)。　　FED技術(shù)在快速反應(yīng)時(shí)間、高效率、亮度和對(duì)比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
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瞄準(zhǔn)高端市場(chǎng) 友達(dá)將收購FET的部分資產(chǎn)

　　臺(tái)灣友達(dá)科技近日宣布，他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達(dá)成了協(xié)議，友達(dá)將出資收購FET公司的部分資產(chǎn)，并將因此而獲得FET公司的部分專利技術(shù)。FET公司目前在FED場(chǎng)射顯示技術(shù)(Field Emission Display)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達(dá)并表示，其收購的內(nèi)容將包括FED場(chǎng)射面板相關(guān)技術(shù)專利，F(xiàn)ED技術(shù)實(shí)施方案，以及FED面板生產(chǎn)用設(shè)備等。　　FED場(chǎng)射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢(shì)，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
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砷化鎵外延襯底市場(chǎng)規(guī)模將超過4億美元

　　Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測(cè)報(bào)告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)預(yù)測(cè)2008-2013”。報(bào)告總結(jié)，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場(chǎng)年增長(zhǎng)率達(dá)到22%，但 Strategy Analytics 預(yù)計(jì)2009年該市場(chǎng)將持平或轉(zhuǎn)負(fù)增長(zhǎng)。借助下一代蜂窩手機(jī)平臺(tái)上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場(chǎng)對(duì)砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)在2010年將恢復(fù)增長(zhǎng)。　　一直
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T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，該器件將寬泛的輸入、輕負(fù)載效率以及更小的解決方案尺寸進(jìn)行完美結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機(jī)制的 1 MHz DC/DC 轉(zhuǎn)換器，與同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比，該器件在將外部輸出電容需求數(shù)量降至 32% 的同時(shí)，還可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)。該轉(zhuǎn)換器充分利用自動(dòng)跳過模式與 Eco-mode 輕負(fù)載控制機(jī)制，幫助設(shè)計(jì)人員滿足能量之星/90Plus 標(biāo)準(zhǔn)的要求，從而可實(shí)現(xiàn)整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的高
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SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

使用國(guó)產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號(hào)模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級(jí)GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測(cè)試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國(guó)產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
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