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助力新基建，安世半導體升級GaN產(chǎn)品線
- 近日，安世半導體宣布推出新一代H2技術(shù)的全新650V GaN（氮化鎵） FET。重點應(yīng)用場合包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器和發(fā)動機牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級工業(yè)電源，用于機架裝配的電信設(shè)備、5G設(shè)備和數(shù)據(jù)中心相關(guān)設(shè)備。 日前，安世半導體MOS業(yè)務(wù)集團大中華區(qū)總監(jiān)李東岳詳細解析了安世半導體的GaN FET藍圖以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN產(chǎn)品升級 2019年，安世半導體正式推出650V GaN MOSFET，采用級聯(lián)技術(shù)，利用高壓GaN配合低壓
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Nexperia（安世半導體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)
- 半導體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場效應(yīng)管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現(xiàn)了更出色的開關(guān)和導通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場效應(yīng)管無需復雜的驅(qū)動和控制，應(yīng)用設(shè)計大為簡化；使用標準的硅MOSFET 驅(qū)動器也可以很容易地驅(qū)動它們。 新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
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貿(mào)澤即日起供應(yīng)Qorvo旗下Custom MMIC全線產(chǎn)品
- 作為 Qorvo 產(chǎn)品的全球授權(quán)分銷商，貿(mào)澤電子 ( Mouser Electronics ) 很高興地宣布即日起Qorvo的Custom MMIC全線產(chǎn)品均可在貿(mào)澤官網(wǎng)上在線訂購。Qorvo的Custom MMIC產(chǎn)品組合包括 高性能氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaA) 單片微波集成電路 (MMIC) ，適用于各種航空航天、國防和商業(yè)應(yīng)用。Qorvo是一家知名的射頻和毫米波創(chuàng)新解決方案制造商，致力于實現(xiàn)一個萬物互聯(lián)的世界。Qorvo最近
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學習采用氮化鎵（GaN）技術(shù)設(shè)計最先進的人工智能、機械人、無人機、 全自動駕駛汽車及高音質(zhì)音頻系統(tǒng)
- EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列，上載了六個視頻，針對器件可靠性及基于氮化鎵場效應(yīng)晶體管及集成電路的各種先進應(yīng)用，包括面向人工智能的高功率密度運算應(yīng)用，面向機械人、無人機及車載應(yīng)用的激光雷達系統(tǒng)，以及Ｄ類放音頻放大器。宜普電源轉(zhuǎn)換公司?（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。剛剛上載的六個視頻主要分享實用范例，目的是幫助設(shè)計師利用氮化鎵技術(shù)設(shè)計面向人工智能服務(wù)器及超薄筆記本電腦的先進?DC/DC轉(zhuǎn)換器?、
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EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的氮化鎵（GaN）功率晶體管及集成電路的播客系列
- 日前，宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）依據(jù)《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》第三版教科書的增訂內(nèi)容，更新了首7個、合共14個教程的視頻播客，與工程師分享采用氮化鎵場效應(yīng)晶體管及集成電路的理論、設(shè)計基礎(chǔ)及應(yīng)用，例如激光雷達、DC/DC轉(zhuǎn)換及無線電源等應(yīng)用。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。該視頻系列的內(nèi)容是依據(jù)最新出版的?《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》?第三版教科書的內(nèi)容制作。合共14個教程的視頻播客系列旨在為功率
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TI LMG341xR050 GaN功率級在貿(mào)澤開售，支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計
- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅(qū)動器和強大的保護功能，可讓設(shè)計人員在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種
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氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計
- 在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。對于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢，包括遠高于硅的電子遷移率（3.4eV對比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導效率的潛力。值得注
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馬瑞利牽手氮化鎵(GaN)技術(shù)領(lǐng)導者TRANSPHORM Inc.
- 領(lǐng)先的汽車供應(yīng)商MARELLI近日宣布與美國一家專注于重新定義功率轉(zhuǎn)換的半導體公司Transphorm達成戰(zhàn)略合作。通過此協(xié)議，MARELLI將獲得電動和混合動力車輛領(lǐng)域OBC車載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和動力總成逆變器開發(fā)的尖端技術(shù)，進一步完善MARELLI在整體新能源汽車技術(shù)領(lǐng)域的布局。Transphorm被公認為是氮化鎵(GaN)技術(shù)的領(lǐng)導者，提供高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導體，并擁有和汽車行業(yè)（尤其是日本）直接合作的成功經(jīng)驗。獲得這一技術(shù)對正在探索電力傳動系統(tǒng)業(yè)務(wù)
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Qorvo推出業(yè)內(nèi)最高性能的寬帶 GaN 功率放大器
- 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?, Inc.近日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的這款功率放大器是專為通信應(yīng)用和測試儀表應(yīng)用而設(shè)計，擁有多項性能突破：它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業(yè)界領(lǐng)先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號增益和 20-35% 的功率附加效率。這種組合為系統(tǒng)設(shè)計人員帶來提高系統(tǒng)性能和可靠性所需的靈活性，同時減少了元件數(shù)量、占用空間和成本。Qorvo 高性能解決方案業(yè)務(wù)
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Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計
- 奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的EV逆變器技術(shù)演示器。 GaN是這些應(yīng)用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關(guān)拓撲。在汽車領(lǐng)域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動汽車消費者最關(guān)心的問題?，F(xiàn)在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動力汽車
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Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
- 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應(yīng)管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應(yīng)用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
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CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領(lǐng)域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應(yīng)用中
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Cree積極擴廠開發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術(shù)發(fā)展待觀察
- 全球SiC晶圓市場規(guī)模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術(shù)大廠Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產(chǎn)工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產(chǎn)尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進磊晶技術(shù)進一步應(yīng)用于功率及射頻元件中。
- 關(guān)鍵字： Cree 射頻 GaN on SiC磊晶技術(shù)
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