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GaN功率芯片走向成熟，納微GaNSense開啟智能集成時代

  • GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以高頻、高壓等為特色。但是長期以來，在功率電源領(lǐng)域，處于常規(guī)的Si（硅）和熱門的SiC（碳化硅）應(yīng)用夾縫之間。GaN產(chǎn)品的市場前景如何？GaN技術(shù)有何新突破？不久前，消費類GaN（氮化鎵）功率解決方案供應(yīng)商——納微半導(dǎo)體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片，采用了專利的GaNSense?技術(shù)。值此機(jī)會，電子產(chǎn)品世界的記者采訪了銷售營運總監(jiān)李銘釗、高級應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、高級研發(fā)總監(jiān)徐迎春。圖 從左至右：納微半導(dǎo)體級的高級應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、銷售營運總監(jiān)李銘
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蘋果證實：新上架的 140W 電源適配器為其首款 GaN 充電器

  • 　　10月19日消息，據(jù)The Verge報道，蘋果公司向其證實，新上架的140W USB-C電源適配器是蘋果首款GaN充電器。　　與傳統(tǒng)充電器相比，GaN充電器的更小、更輕，同時支持大功率?！　〈送?，蘋果公司還確認(rèn)，140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標(biāo)準(zhǔn)，這意味著該充電器可以為其他支持該標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備充電?！　⌒碌?40W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線現(xiàn)已在蘋果中國官網(wǎng)上架?！　∑渲?，140W USB-C電源適配器的價格為729元，USB-C轉(zhuǎn)MagSa
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碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來？

  • 以GaN和SiC為代表第三代半導(dǎo)體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導(dǎo)體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用。但不可否認(rèn)，第三代半導(dǎo)體確實具有更多的性能優(yōu)勢。
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InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度

  • 　　2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數(shù)字控制電源(PPS)適配器應(yīng)用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案，不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護(hù)等卓越性能，同時還能顯著減少BOM，非常適合要求具備超薄小巧外形的應(yīng)用設(shè)計?！　⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝，內(nèi)部集成
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TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

  • TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計難題，降低總所有成本
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新思科技PrimeSim可靠性分析解決方案加速任務(wù)關(guān)鍵型IC設(shè)計超收斂

  • 經(jīng)晶圓廠認(rèn)證的全生命周期可靠性簽核有助于預(yù)防汽車、醫(yī)療和5G芯片設(shè)計中的過度設(shè)計和昂貴的后期ECO（工程變更指令） 要點： ?   經(jīng)過驗證的技術(shù)統(tǒng)一工作流程在整個產(chǎn)品生命周期內(nèi)提供符合ISO 26262等標(biāo)準(zhǔn)的高性能可靠性分析?   與PrimeSim? Continuum解決方案整合可無縫使用業(yè)界領(lǐng)先的仿真器進(jìn)行電遷移/IR壓降分析、MOS老化、高西格瑪Monte Carlo、模擬故障和其他可靠性分析?   與PrimeWave?設(shè)計環(huán)境整合
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集邦咨詢：新能源車需求助攻GaN功率元件

  • TrendForce集邦咨詢表示，2021年隨著各國于5G通訊、消費性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車等需求拉升，驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應(yīng)用需求大增，使得第三代半導(dǎo)體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中，以GaN功率元件成長幅度最高，預(yù)估今年營收將達(dá)8,300萬美元，年增率高達(dá)73%。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，GaN功率元件，其主要應(yīng)用大宗在于消費性產(chǎn)品，至2025年市場規(guī)模將達(dá)8.5億美元，年復(fù)合成長率高達(dá)78%。前三大應(yīng)用占比分別為消費性電子60%、新能源車20
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多家IC設(shè)計廠商證實：收到臺積電漲價通知

  • 　　原標(biāo)題：多家IC設(shè)計廠商證實：收到臺積電漲價通知 強調(diào)不影響合作關(guān)系　　8月25日，市場幾度傳出臺積電即將全線漲價，從最初的明年成熟制程上漲15%至20%、先進(jìn)制程漲幅達(dá)10%，到全面漲價20%，并從即日起生效。　　對此，據(jù)中央社報道，多家IC設(shè)計廠商證實收到臺積電漲價通知，并表示不會因而影響與臺積電的合作關(guān)系?！　C設(shè)計業(yè)者指出，臺積電包含7納米及5納米的先進(jìn)制程漲價約7%至9%，其余成熟制程代工價格漲幅約20%?！　〈送猓_積電罕見未給客戶緩沖期，今天通知漲價隨即于今天生效，供應(yīng)鏈也緊急尋求因應(yīng)
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ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)

  • 氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負(fù)載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，GaN功率開關(guān)組件的黃金時期即將到來。相較于應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力，這
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憑借快充出圈的氮化鎵，為什么這么火？

  • 氮化鎵快充火爆的背后，除了受消費者需求影響，是否還有其他原因？為什么快充會率先用到氮化鎵呢？
  • 關(guān)鍵字： 氮化鎵  快充  GaN  

媒體稱明年晶圓代工價漲定了，臺積電：不評論

  • 　　財聯(lián)社6月24日訊，據(jù)媒體報道，IC設(shè)計業(yè)者透露，明年初晶圓代工價格已經(jīng)敲定，不僅聯(lián)電8英寸和12英寸的晶圓代工價格續(xù)漲，晶圓代工龍頭臺積電也漲價，部分8英寸和12英寸制程價格上漲一到兩成，且12英寸制程漲幅高于8英寸。臺積電發(fā)言窗口表示，不評論價格問題。
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Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認(rèn)證

  • 空間應(yīng)用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運行，防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響，因為這類事件會降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運行。為滿足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國防空間應(yīng)用認(rèn)證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換電路提供了主要的開關(guān)元件，包括負(fù)載點轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電
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中國臺灣IC產(chǎn)值雙位成長新常態(tài) 2021第一季整體較去年增長25%

  • 據(jù)WSTS統(tǒng)計，21Q1全球半導(dǎo)體市場銷售值1,231億美元，較上季(20Q4)成長3.6%，較2020年同期(20Q1)成長17.8%；銷售量達(dá)2,748億顆，較上季成長4.9%，較去年同期成長22.7%；ASP為0.448美元，較上季衰退1.2%，較去年同期(20Q1)衰退4.0%。區(qū)域市場方面，中國大陸市場銷售值成長幅度最高，較上季(20Q4)成長8.9%，達(dá)到434億美元，較去年同期(20Q1)成長25.6%；歐洲市場次之，較上季(20Q4)成長8.8%，達(dá)到110億美元，較去年同期成長8.7%；
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德州儀器宣布與中車株洲所簽署升級聯(lián)合設(shè)計實驗室合作備忘錄

  • 德州儀器(TI)今日宣布與中國領(lǐng)先的軌道交通設(shè)備制造商中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司（后簡稱“株洲所”）簽署諒解備忘錄，升級共同運營的聯(lián)合設(shè)計實驗室，實現(xiàn)更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術(shù)，加速包括軌道交通，電動汽車等方面的應(yīng)用設(shè)計以助力中國新基建關(guān)鍵領(lǐng)域建設(shè)。合作還將拓展至太陽能和風(fēng)能等可再生能源方面的應(yīng)用，以響應(yīng)中國在2060年實現(xiàn)碳中和的宏偉目標(biāo)。德州儀器(TI)與中車株洲電力機(jī)車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動中國城際軌道交通系統(tǒng)的快速
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
  • 關(guān)鍵字： Nexperia  MOSFET  GaN  
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