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實測案例：1200V GaN HEMT功率器件動態(tài)特性測試

  • 氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表，具有極快的開關(guān)速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時，極快的開關(guān)速度又對其動態(tài)特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會得到錯誤結(jié)果。傳統(tǒng)氮化鎵器件多用于消費類電子市場，研發(fā)高壓氮化鎵器件將有助于在電力電子、新能源和電動汽車行業(yè)開拓新的應(yīng)用市場。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠家。這次測試的1200伏TO-252封裝的氮化鎵器件GPIHV15DK，在市場上具有標志性意義，傳統(tǒng)的氮化鎵功率器件最高電壓普
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汽車芯片，有兩大好賽道

  • 汽車的智能化和電動化趨勢，勢必帶動車用半導(dǎo)體的價值量提升，其中功率半導(dǎo)體和模擬芯片便迎來了發(fā)展良機。先看功率半導(dǎo)體，車規(guī)功率半導(dǎo)體是新能源汽車的重要組件，無論整車企業(yè)還是功率半導(dǎo)體企業(yè)都在瞄準這一賽道。新能源汽車電池動力模塊都需要功率半導(dǎo)體，混合動力汽車的功率器件占比增至 40%，純電動汽車的功率器件占比增至 55%。再看車規(guī)模擬芯片，模擬芯片在汽車各個部分均有應(yīng)用，包括車身、儀表、底盤、動力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車在充電樁、電池管理、車載充電、動力系統(tǒng)
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愛芯元智CEO仇肖莘出席2023 IC NANSHA

  • 中國 上海 2023年6月20日——6月17日-18日，以“南芯聲 聚勢未來”為主題的2023中國·南沙國際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇（IC NANSHA）成功舉辦。開幕式上，愛芯元智創(chuàng)始人、董事長兼CEO仇肖莘博士受邀發(fā)表《普惠智能的星辰大海》主題演講，向與會嘉賓分享了對邊緣側(cè)、端側(cè)人工智能的看沙法，并解讀愛芯元智2.0時代戰(zhàn)略規(guī)劃和業(yè)務(wù)布局。 聚焦感知與計算，布局智慧城市、智能駕駛、AIoT三大賽道 IC NANSHA是為響應(yīng)大灣區(qū)國家戰(zhàn)略而搭建的集成電路產(chǎn)業(yè)論壇。2022年6月，國務(wù)院正式
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第三代半導(dǎo)體高歌猛進，誰將受益？

  • “現(xiàn)在的新車，只要能用碳化硅的地方，便不會再用傳統(tǒng)功率器件”。功率半導(dǎo)體大廠意法半導(dǎo)體（ST）曾以此言表達碳化硅于新能源汽車市場的重要性。當(dāng)下，在全球半導(dǎo)體行業(yè)的逆流中，第三代半導(dǎo)體正閃爍著獨特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅定下注，一部關(guān)于第三代半導(dǎo)體的爭奪劇集已經(jīng)開始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進入高速成長期近日，科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長相里斌在2023中關(guān)村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進入下行周
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泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案， 加快SiC和GaN技術(shù)驗證速度

  • 中國北京，2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關(guān)器件正推動電動汽車、太陽能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠?qū)捊麕骷ㄈ鏢iC和GaN MOSFETs）提供自動可重復(fù)的、高精度測量功能。下一代功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計師現(xiàn)在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設(shè)計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行，并能夠無縫集成到示波器測量系統(tǒng)
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Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

  • 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導(dǎo)體，領(lǐng)先同類產(chǎn)品。這款產(chǎn)品的發(fā)布展現(xiàn)Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統(tǒng)，以及已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源市場的三相電力系統(tǒng)。與替代技術(shù)相比，這些應(yīng)用可受益于1
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EPC起訴英諾賽科，要求保護氮化鎵(GaN)專利

  • 案例聚焦新一代替代硅技術(shù)?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下簡稱宜普公司）于今日向美國聯(lián)邦法院和美國國際 貿(mào)易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎(chǔ)專利組合中的 四項專利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統(tǒng)稱英諾賽科）侵犯。 這些專利 涉及宜普公司獨家的增強型氮化
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意法半導(dǎo)體的100W和65W VIPerGaN功率轉(zhuǎn)換芯片節(jié)省空間

  • 2023?年?5?月?19?日，中國——意法半導(dǎo)體高壓寬禁帶功率轉(zhuǎn)換芯片系列新增VIPerGaN100?和?VIPerGaN65兩款產(chǎn)品，適合最大功率100W和65W的單開關(guān)管準諧振(QR)反激式功率轉(zhuǎn)換器。這個尺寸緊湊、高集成度的產(chǎn)品設(shè)計的目標應(yīng)用包括USB-PD充電器、家電、智能建筑控制器、照明、空調(diào)、智能表計和其他工業(yè)應(yīng)用的開關(guān)式電源(SMPS)。?每個器件都集成了脈寬調(diào)制?(PWM)?控制器和650
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ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。據(jù)悉，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為實現(xiàn)無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
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意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片

  • 2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導(dǎo)體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，采用隔離降壓拓撲結(jié)構(gòu)，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動時間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補償、電源正常指示，以及過流保護、熱關(guān)斷等保護功能。擴
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EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅(qū)動器參考設(shè)計

  • 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設(shè)計增強了高功率應(yīng)用的電機系統(tǒng)性能、精度、扭矩和可實現(xiàn)更長的續(xù)航里程。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅(qū)動逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農(nóng)業(yè)機械、叉車和大功率無人機等應(yīng)用。EPC9186在每個開關(guān)位置使用四個并聯(lián)的EPC2302，可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關(guān)鍵功能電路
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格力1.5億元參設(shè)創(chuàng)投基金，重點投資孵化IC等產(chǎn)業(yè)

  • 珠海市招商署消息顯示，5月6日，珠海賽納永盈一期創(chuàng)投基金成立暨項目簽約儀式舉行。據(jù)悉，珠海賽納永盈一期創(chuàng)投基金由珠海賽納科技有限公司聯(lián)合格力集團、正方集團共同組建，計劃規(guī)模8億元，重點投資孵化激光打印、3D打印、打印耗材、集成電路及上下游相關(guān)產(chǎn)業(yè)。格力集團消息稱，格力集團旗下格力金投出資1.5億元并參與管理。儀式上，賽納科技、格力集團、正方集團三方簽約代表簽署“珠海賽納永盈一期創(chuàng)投基金”協(xié)議，基金擬投資企業(yè)珠海諾威達電機有限公司、廣州市小篆科技有限公司分別和賽納科技簽署項目落地協(xié)議。
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Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET

  • 奈梅亨，2023年5月10日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計人員提供最佳的選擇。  Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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IC 設(shè)計市況不明

  • IC 設(shè)計市場氣氛詭譎難辨，相關(guān)公司只能邊走邊看。
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深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊

  • 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度達到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應(yīng)用有獨特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設(shè)計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關(guān)重要，襯底也占據(jù)了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實現(xiàn)商用，6 英寸
  • 關(guān)鍵字： GaN-on-Si  氮化鎵  
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