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EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan mos driver

氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設計

  • 在所有電力電子應用中，功率密度是關(guān)鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。對于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢，包括遠高于硅的電子遷移率（3.4eV對比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導效率的潛力。值得注
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馬瑞利牽手氮化鎵(GaN)技術(shù)領導者TRANSPHORM Inc.

  • 領先的汽車供應商MARELLI近日宣布與美國一家專注于重新定義功率轉(zhuǎn)換的半導體公司Transphorm達成戰(zhàn)略合作。通過此協(xié)議，MARELLI將獲得電動和混合動力車輛領域OBC車載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和動力總成逆變器開發(fā)的尖端技術(shù)，進一步完善MARELLI在整體新能源汽車技術(shù)領域的布局。Transphorm被公認為是氮化鎵(GaN)技術(shù)的領導者，提供高壓電源轉(zhuǎn)換應用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導體，并擁有和汽車行業(yè)（尤其是日本）直接合作的成功經(jīng)驗。獲得這一技術(shù)對正在探索電力傳動系統(tǒng)業(yè)務
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Qorvo推出業(yè)內(nèi)最高性能的寬帶 GaN 功率放大器

  • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商Qorvo?, Inc.近日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的這款功率放大器是專為通信應用和測試儀表應用而設計，擁有多項性能突破：它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業(yè)界領先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號增益和 20-35% 的功率附加效率。這種組合為系統(tǒng)設計人員帶來提高系統(tǒng)性能和可靠性所需的靈活性，同時減少了元件數(shù)量、占用空間和成本。Qorvo 高性能解決方案業(yè)務
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Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設計

  •  奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領域的生產(chǎn)專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的EV逆變器技術(shù)演示器。 GaN是這些應用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關(guān)拓撲。在汽車領域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動汽車消費者最關(guān)心的問題。現(xiàn)在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動力汽車
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納微半導體65W 氮化鎵(GaN)方案獲小米10 Pro充電器采用

  • 小米集團和納微（Navitas）宣布，其GaNFast充電技術(shù)已被小米采用，用于旗艦產(chǎn)品Mi 10 PRO智能手機。 小米董事長兼首席執(zhí)行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發(fā)布會上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵（GaN），這是一種新的半導體材料，其運行速度比以前的硅（Si）電源芯片快100倍，因此僅需45分鐘即可對Mi 10 PRO進行0至100％的充電。
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Nexperia 推出行業(yè)領先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

  • 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
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CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

  • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領域?qū)崿F(xiàn)廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應用中
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Cree積極擴廠開發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術(shù)發(fā)展待觀察

  • 全球SiC晶圓市場規(guī)模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術(shù)大廠Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產(chǎn)工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產(chǎn)尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進磊晶技術(shù)進一步應用于功率及射頻元件中。
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支持瓦特到千瓦級應用的氮化鎵技術(shù)

  • 兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權(quán)衡，但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢實現(xiàn)設計，同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
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工程師必須掌握的MOS管驅(qū)動設計細節(jié)

  • 一般認為MOSFET是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。然而，在MOS的G、S兩級之間，有結(jié)電容存在。這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單......
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MACOM和意法半導體攜手合作提高硅基GaN產(chǎn)能，支持5G無線網(wǎng)絡建設

  • 　　MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達克股票代碼:MTSI) (以下簡稱“MACOM”)和意法半導體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡稱“ST”)于25日宣布，將在2019年擴大ST工廠150mm 硅基GaN的產(chǎn)能，200mm硅基GaN按需擴產(chǎn)。該擴產(chǎn)計劃旨在支持全球5G電信網(wǎng)建設，基于2018年初 MACOM和ST宣布達成的廣泛的硅基GaN協(xié)議?！　‰S著全球推出5G網(wǎng)絡并轉(zhuǎn)向大規(guī)模MIMO(M-MIMO)天線配置，射頻RF功率產(chǎn)品需求預計
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MACOM推出寬帶多級硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊 具備靈活安裝性能，實現(xiàn)領先的設計敏捷性

  • 　　全球領先的半導體解決方案供應商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產(chǎn)品組合。該寬帶PA模塊經(jīng)過優(yōu)化改良，適用于陸地移動無線電系統(tǒng)(LMR)、無線公共安全通信以及軍事戰(zhàn)術(shù)通信和電子對抗 (ECM) 領域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、 兩級PA架構(gòu)的高效設計，以及頂端和底端安
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GaN逐步向RF領域的發(fā)展之路

  • 目前，氮化鎵(GaN)技術(shù)已經(jīng)不再局限于功率應用，其優(yōu)勢也在向射頻/微波行業(yè)應用的各個角落滲透，而且對射頻/微波行業(yè)的影響越來越大，不容小覷。因為它可以實現(xiàn)從太空、軍用雷達到蜂窩通信的應用。雖然GaN通常與功率放大器(PA)相關(guān)度很高，但它也有其他用例。自推出以來，GaN的發(fā)展歷程令人矚目，隨著5G時代的到來，它可能會更加引人關(guān)注。
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射頻前端市場潛力巨大 GaN發(fā)展優(yōu)勢明顯

  • 目前射頻前端元器件基本均由半導體工藝制備，如手機端的功率放大器(PA)和低噪聲放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射頻(RF)開關(guān)主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料，從目前的材料工藝角度來看，主要針對5G的Sub-6GHz范圍。以PA為例，許多業(yè)內(nèi)人士認為，GaN技術(shù)的運用將能為PA帶來高效低功耗的優(yōu)勢。
  • 關(guān)鍵字： 射頻  GaN  

盤點2018年全球電子產(chǎn)業(yè)最具代表性的十大“黑科技”

  • 今年整個產(chǎn)業(yè)在技術(shù)上也是節(jié)節(jié)攀升，2018年可以說是產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的一年，全球電子產(chǎn)業(yè)也產(chǎn)生了眾多技術(shù)突破。
  • 關(guān)鍵字： 芯片，GaN  
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