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EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan mos driver

諾貝爾獎后　日本GaN產(chǎn)學應用新動態(tài)

  • 　　當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。 　　比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學、與2個技術研發(fā)基金會加入;日本產(chǎn)業(yè)技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(Nagoya University)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都
  • 關鍵字： GaN  藍光LED  

高手詳解，MOS及MOS驅(qū)動電路基礎總結(jié)

  • 　　在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設計也是不允許的。 　　下面是我對MOS及MOS驅(qū)動電路基礎的一點總結(jié)，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動以及應用電路。 　　MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，
  • 關鍵字： MOS  MOS驅(qū)動電路  

我國發(fā)展化合物半導體產(chǎn)業(yè)正當時

  • 當前，全球半導體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革，化合物半導體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關注點，我國應加緊產(chǎn)業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動權(quán)。
  • 關鍵字： GaAs  GaN  

臺積電發(fā)力“硅基氮化鎵”元件受托業(yè)務

  • 　　臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開了受托生產(chǎn)服務的藍圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術生產(chǎn)GaN晶體管。 　　臺積電打算開展受托生產(chǎn)的GaN晶體管有三種類型：(1)常開型(Normal On)MISFET、(2)常開型HEMT、(3)常關型(Normal Off)。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產(chǎn)品。 　　其中，耐壓650V的常關
  • 關鍵字： 臺積電  GaN  

恩智浦將分立器件與功率MOS業(yè)務出售給中國公司

  • 　　半導體行業(yè)的重組還在繼續(xù)。恩智浦半導體(NXP Semiconductors)將把經(jīng)營分立器件、邏輯芯片、功率MOS半導體等產(chǎn)品的標準產(chǎn)品業(yè)務部門出售給中國的投資公司(英文發(fā)布資料)。 　　標準產(chǎn)品業(yè)務部門2015年財年的銷售額為12億美元，約占恩智浦總銷售額(61億美元)的2成。該部門約有員工1.1萬名，約為恩智浦總員工數(shù)量(4.5萬)的2.5成。 　　出售金額約為27.5億美元，購買方是北京建廣資產(chǎn)管理有限公司(簡稱“建廣資產(chǎn)”)與Wise Road Capital兩家
  • 關鍵字： 恩智浦  MOS  

Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統(tǒng)功率性能

  • 　　移動應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設計用于優(yōu)化商業(yè)用雷達、通信系統(tǒng)及航空電子應用的功率性能。 　　Qorvo 國防與航空航天產(chǎn)品總經(jīng)理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統(tǒng)性能。Qorvo可以更好地實現(xiàn)相位陣列雷達等先進設備的要求，提供
  • 關鍵字： Qorvo  GaN   

基于GaN FET的CCM圖騰柱無橋PFC

  • 　　氮化鎵 (GaN) 技術由于其出色的開關特性和不斷提升的品質(zhì)，近期逐漸得到了電力轉(zhuǎn)換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN可實現(xiàn)更高的開關頻率和效率，從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。連續(xù)傳導模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個得益于GaN優(yōu)點的拓撲。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓撲相比，CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導體開關和升壓電感器的數(shù)量減半，同時又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因，并給出了相應的解決方案。一個750W圖騰柱PFC原型機被
  • 關鍵字： GaN  PFC  

TI的600V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能

  • 　　基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動器的GaN解決方案的半導體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數(shù)字電力轉(zhuǎn)換控制器組合在一起，能使設計人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設計。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計算和可再生能源應用中都特別重要。如需了解更多信息
  • 關鍵字： TI  GaN   

安森美半導體推進更快、更智能和更高能效的GaN晶體管

  • 　　氮化鎵(GaN)是一種新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優(yōu)勢，被稱為第三代半導體材料，用于電源系統(tǒng)的設計如功率因數(shù)校正(PFC)、軟開關DC-DC、各種終端應用如電源適配器、光伏逆變器或太陽能逆變器、服務器及通信電源等，可實現(xiàn)硅器件難以達到的更高電源轉(zhuǎn)換效率和更高的功率密度水平，為開關電源和其它在能效及功率密度至關重要的應用帶來性能飛躍?！　aN的優(yōu)勢　　從表1可見，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著開關過程的反向恢復時間可忽略不計
  • 關鍵字： 安森美  GaN  

【E問E答】MOS管為什么會被靜電擊穿？

  • 　　MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高?！　§o電放電形成
  • 關鍵字： MOS  擊穿  

一種簡單的防短路的保護方法

  • 　　前段時間開發(fā)了一個產(chǎn)品，由單片機控制對負載供電，滿負載時基準電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機輸出一個PWM信號控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導通時內(nèi)阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來說是一種效果不錯的器件?！　‰m然MOS管導通內(nèi)阻非常小，但所流過的電流也有最大限制，如果電流過大，比如外接負載短路，同樣會被燒毀。短路都是非正常工
  • 關鍵字： 防短路  MOS  

場效應晶體管的幾點使用知識

  • 　　我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應管就陌生一點，但是，由于場效應管有其獨特的優(yōu)點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場效應管和絕緣柵型場效應管;絕緣柵型場效應管又稱為金屬氧化物導體場效應管，或簡稱MOS場效應管.　　1、如何防止絕緣柵型場效應管擊穿　　由于絕緣柵場效應管的輸入阻抗非常高，這本來是它的優(yōu)點，但在使用上卻帶來新的問題.由于輸入阻抗高，當帶電荷物體一旦靠近柵極時，在柵極感應出來的
  • 關鍵字： 場效應晶體管  MOS  

英國專家用半極性GaN生長高效益LED

  • 　　英國雪菲爾大學(SheffieldUniversity)的一支研究團隊最近在《應用物理學快報》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長LED的最新成果。 　　利用在M-Plane藍寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。 　　相較于在C-Plane藍寶石基板上生長的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波長的藍位移隨著驅(qū)動電流增加而
  • 關鍵字： GaN  LED  

英國專家用半極性GaN生長高效益LED

  • 　　英國雪菲爾大學(Sheffield University)的一支研究團隊最近在《應用物理學快報》(Applied Physics Letter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長LED的最新成果?！　±迷贛-Plane藍寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。　　相較于在C-Plane藍寶石基板上生長的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波
  • 關鍵字： GaN  LED  

波音和通用實驗室研發(fā)出GaN CMOS場效應晶體管

  • 　　由美國波音公司和通用汽車公司擁有的研發(fā)實驗室-HRL實驗室已經(jīng)宣布其實現(xiàn)互補金屬氧化物半導體(CMOS)FET技術的首次展示。該研究結(jié)果發(fā)表于2016年1月6日的inieee電子器件快報上。 　　在此過程中，該實驗室已經(jīng)確定半導體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉(zhuǎn)換電路的備選技術鋪平了道路。 　　氮化鎵晶體管在電源開關和微波/毫米波應用中有出色的表現(xiàn)，但該潛力還未用于集成功率轉(zhuǎn)換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
  • 關鍵字： GaN  場效應晶體管  
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