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gan mos driver
gan mos driver 文章 進(jìn)入gan mos driver技術(shù)社區(qū)
MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載(三)
- 相對(duì)通用的電路電路圖如下:圖1用于NMOS的驅(qū)動(dòng)電路圖2用于PMOS的驅(qū)動(dòng)電路這里只針對(duì)NMOS...
- 關(guān)鍵字: MOS 驅(qū)動(dòng)電路
MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載(二)
- 現(xiàn)在的MOS驅(qū)動(dòng),有幾個(gè)特別的應(yīng)用1、低壓應(yīng)用當(dāng)使用5V電源,這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于...
- 關(guān)鍵字: MOS
MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載(一)
- 在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很...
- 關(guān)鍵字: MOS
MOSFET分析:選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
- 前不久,能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求,同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。...
- 關(guān)鍵字: mos
MOSEFT分析:理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗
- 本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗,并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程,從而使電子工程師知...
- 關(guān)鍵字: mos/開(kāi)關(guān)損耗
開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路
- 對(duì)于一位開(kāi)關(guān)電源工程師來(lái)說(shuō),在一對(duì)或多對(duì)相互對(duì)立的條件面前做出選擇,那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話題就是一對(duì)相互對(duì)立的條件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最?。? 在討論前我們先做
- 關(guān)鍵字: 吸收 回路 RCD 管反峰 設(shè)計(jì) MOS 開(kāi)關(guān)電源
一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一,由于其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn),被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn),基于Agilent ADS仿真軟件,利用負(fù)載/源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說(shuō)明了設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試,數(shù)據(jù)表明放大器在2.3~2.4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過(guò)15W,附加效率超過(guò)67%的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí),GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 功率放大器 GaN 一種
Soft-start enhances LED driver
- To emulate the natural soft start of an incandescent bulb, this circuit makes use of the thermal-foldback protection built into an LED-driver IC (MAX16832). It thereby avoids the annoying and almost i
- 關(guān)鍵字: driver LED enhances Soft-start
gan mos driver介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條gan mos driver!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)gan mos driver的理解,并與今后在此搜索gan mos driver的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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