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EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan mos driver

基于安森美半導體NCP1342驅動GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充電源方案

  • 此電源設計最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出；雙口同時輸出時，C+A同降為5V方案全系列采用雙面板、最簡化設計理念,尺寸才51X51X31mm！上下兩片1.0mm左右厚銅散熱既滿足EMI又導熱好！通標變壓器設計，21V效率最高達到93%,驅動與MOS均采用美國安森美半導體技術！?場景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?C口支持協(xié)議?核心技術優(yōu)勢1.51.5*51.5*31 超小體積 功率密度：1.26cm3/W2. QR架構，COST
  • 關鍵字： 安森美  NCP1342  65W  PD  GAN  1A1C  超小尺寸PD  

RS瑞森半導體高壓MOS在開關電源中的應用

  • 開關電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關變換器，是電源供應器的一種高頻化電能轉換裝置，也是一種以半導體功率器件為開關管，控制其關斷開啟時間比率，來保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。開關電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關變換器，是電源供應器的一種高頻化電能轉換裝置，也是一種以半導體功率器件為開關管，控制其關斷開啟時間比率，來保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。在目前電子產品的飛速增長中，開關電源憑借其70%~
  • 關鍵字： 瑞森半導體  MOS  開關電源  

TP4054 TP4056 TP4057專業(yè)電源管理IC MOS

  • 極限TP4057充電模塊TP4057是一款單節(jié)鋰電池專用的恒流/恒壓線性充電IC,其內部帶有電池反接保護及防倒充電路。該充電IC的工作電壓范圍為4～6V,靜態(tài)工作電流僅有40μA模塊尺寸8x10mm。集成鋰電保護和指示燈?？勺鳛镾MT貼片模塊使用貼裝在其他主板上
  • 關鍵字： 充電IC  TP4054  TP4056  TP4057  電源管理IC  MOS  

基于英飛凌數(shù)位半橋返馳式(XDPS2201)+賽普拉斯通訊協(xié)議(CYPD3174) 之 65W PD充電器方案

  • 隨著USB PD產品的廣泛應用與普及化，Infineon推出全新數(shù)位共振返馳式PWM電源控制芯片，此一架構除較現(xiàn)行客戶常使用之ACF架構更具競爭力，在電路設計上相對容易，還可減少元件數(shù)量，且數(shù)位化的設計界面可滿足不同輸出瓦數(shù)的產品應用，提高在設計上的靈活度與可靠性。同時搭配Cypress PD控制芯片，借由數(shù)位控制與參數(shù)設定功能來改變輸出電壓，藉以符合各種不同產品的應用。同時Infineon共振返馳式電源芯片在與Cypress PD控制芯片，可大幅度提高效率與功率密度的表現(xiàn)，更可以減少客戶的產品設計與開發(fā)
  • 關鍵字： Infineon  Mos  Charger  AdapterXDPS2201  CYPD3174  

格芯獲得3000萬美元政府基金研發(fā)GaN芯片

  • 據(jù)外媒《NBC》報道，近日，晶圓代工廠商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發(fā)和生產GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機、射頻無線基礎設施、電動汽車、電網(wǎng)等領域。格芯稱，電動汽車的普及、電網(wǎng)升級改造以及5G、6G智能手機上更快的數(shù)據(jù)傳輸給下一代半導體帶來需求。格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
  • 關鍵字： 格芯獲  GaN  

GaN IC縮小電機驅動器并加快eMobility、電動工具、 機器人和無人機的上市時間

  • EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設計，增強了電機驅動系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時簡化設計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅動逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內含柵極驅動器功能和兩個具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 Apk(2
  • 關鍵字： GaN IC  電機驅動器  

世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源

  • 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
  • 關鍵字： GaN  氮化鎵  SiC  碳化硅  NCP51561  onsemi  

功率GaN RF放大器的熱考慮因素

  • 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。其中許多應用需要很長的使用壽
  • 關鍵字： Wolfspeed  放大器  GaN  

MOS管的Miller 效應

  • 本文對于 MOS 管工作在開關狀態(tài)下的 Miller 效應的原因與現(xiàn)象進行了分析。巧妙的應用 Miller 效應可以實現(xiàn)電源的緩啟動。01 Miller效應一、簡介MOS管的米勒效應會在高頻開關電路中，延長開關頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。下面波形是在博文  ZVS振蕩電路工作原理分析[1]  中觀察到振蕩 MOS 管柵極電壓與漏極電壓波形。可以看到柵極電壓在上升階段具有一個平坦的小臺階。這就是彌勒效應所帶來的 MOS 管驅動電壓波
  • 關鍵字： MOS  Miller  

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

  • 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現(xiàn)。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使用 GaN 進行設計面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
  • 關鍵字： TI  GaN  

大聯(lián)大友尚集團推出基于onsemi和GaN System產品的PD快充電源方案

  • 2022年9月20日，致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產品以及氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。 圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi和GaN System產品的PD快充電源方案的展示板圖 以手機、電腦為代表的移動智能設備已經成為人們日常生活的重要工具，然而隨著這些設備所覆蓋的功能越來越多，設備有限的續(xù)航能力已經無法滿足用戶對
  • 關鍵字： 大聯(lián)大友尚  onsemi  GaN System  PD快充電源  

使用集成GaN解決方案提高功率密度

  • 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現(xiàn)。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使用 GaN 進行設計面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
  • 關鍵字： 德州儀器  GaN  功率密度  

GaN將在數(shù)據(jù)服務器中挑起效率大梁

  • 雖然增加可再生能源是全球的大趨勢，但這還不夠，能源效率是另一個重點領域，這是因為服務器及其冷卻系統(tǒng)對能源消耗，占據(jù)了數(shù)據(jù)中心將近40%的運營成本。GaN具有獨特的優(yōu)勢，提供卓越的性能和效率，并徹底改變數(shù)據(jù)中心的配電和轉換、節(jié)能、減少對冷卻系統(tǒng)的需求，并最終使數(shù)據(jù)中心更具成本效益和可擴展性。數(shù)字化和云端服務的快速建置推動了全球數(shù)據(jù)服務器的產業(yè)規(guī)模的成長。今天，數(shù)據(jù)服務器消耗了全球近1%的電力，這個數(shù)字預計會不斷的成長下去。次世代的產業(yè)趨勢，例如虛擬世界、增強實境和虛擬現(xiàn)實，所消耗大量電力將遠超現(xiàn)今地球上所能
  • 關鍵字： GaN  數(shù)據(jù)服務器  效率  

殺入新能源汽車市場的GaN，勝算幾何？

  • 在電力電子應用中，為了滿足更高能效和更高開關頻率的要求，功率密度正在成為關鍵的指標之一?；诠瑁⊿i）的技術日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的應用之門。SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，GaN也有著許多出色的性能，它的帶隙為3.2eV，幾乎比硅的1.1eV帶
  • 關鍵字： 貿澤電子  GaN  

東芝級聯(lián)共源共柵技術解決 GaN 應用的痛點

  • 和傳統(tǒng)的硅功率半導體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著更高的電壓能力、更快的開關速度、更高的工作溫度、更低導通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來新興的半導體材料。但他們也存在著各自不同的特性，簡單來說，GaN 的開關速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數(shù)極小，開關速度極高，比較適合高頻應用，例如：電動汽車的 DC-DC（直流 - 直流）轉換電路、OBC（車載充電）、低功率開關電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大
  • 關鍵字： 202207  東芝    共源共柵  GaN  
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gan mos driver介紹

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