- 氮化鎵(GaN)是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車(EV)車載充電器和電動汽車(EV)充電站等設計得以實施。在許多具體應用中，由于GaN能夠驅動更高的功率密度和具有更高的效率，因此它取代了傳統(tǒng)的MOSFET晶體管。但由于GaN的電氣特性和它所能實現的性能，使得使用GaN元件進行設計時，要面臨與硅元件截然不同的一系列挑戰(zhàn)?！ aN場效應晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強型（e-mode）、共源共柵型(cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的
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氮化鎵 GaN
- 意法半導體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關反激式功率變換器設計，并集成一個 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到更高水平。VIPerGaN50 采用單開關拓撲，集成很多功能，包括內置電流采樣和保護電路，采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內部集成的GaN 晶體管可應用于高開關頻率，從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產品設計先進的高能效開關電源 (SMPS)，可顯著減少外圍元器件的數量。VIPerGaN50 可幫助設計人員利用 GaN 寬禁帶
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意法半導體 GaN 功率變換器
- 過去的2020年是5G手機大爆發(fā)的一年。5G手機無疑為大家?guī)砹烁斓纳暇W體驗，更快的下載速度、低延時，高達10Gps/s的理論峰值速率，比4G手機數據傳輸提升10倍以上，延時更是低至1ms，比4G手機縮短10倍?！ ‘斎?，5G對數據傳輸速度提升，更強的CPU處理性能也對手機的續(xù)航能力提出了更高要求。為此，不少手機廠商為5G手機配備更大容量的電池，采用更高的充電功率，并在充電器上引進最新的氮化鎵技術，實現在提高充電器功率的同時，將體積控制得更小巧?！ 《@里其實有一個有趣的事實： 這項為5G手機帶來
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- 根據阿里巴巴達摩院發(fā)布的《2021十大科技趨勢》預測的第一大趨勢是“以氮化鎵（GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體迎來應用大爆發(fā)”。達摩院指出，近年來第三代半導體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現，正在打開應用市場：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。半導體材料演進圖：資料來源：Yole, 國盛證券相對于第一代（硅基）半導體，第三代半導體禁帶寬度大，電導率高、熱導率高，其具有臨界擊穿電場高、電子遷移率高、頻率特性好等特點。氮化鎵（GaN）是最具代表性的第三代半導體材料，成為高溫、高頻、大功
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- 氮化鎵充電器頻繁的出現在我們的視線中，那么氮化鎵充電器與普通充電器有什么不一樣呢？我們一起來看看?！ 〉壥堑玩壍幕衔铮且环N直接能隙的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中氮化鎵材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的
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氮化鎵 GaN 充電器
- 2022年3月21日Power Integrations宣布推出節(jié)能型HiperLCS?-2芯片組以及集成750V PowiGaN?氮化鎵開關的HiperPFS?-5系列功率因數校正(PFC)IC?！ 私猓琀iperLCS-2雙芯片解決方案由一個隔離器件和一個獨立半橋功率器件組成。其中的隔離器件內部集成了高帶寬的LLC控制器、同步整流驅動器和FluxLink?隔離控制鏈路。而獨立半橋功率器件則采用Power Integrations獨特的600V FREDFET，具有無損耗的電流檢測，同時集成有上
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PI HiperLCS-2芯片組 HiperPFS-5 GaN
- 半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產體制，該系列產品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用于基地臺、數據中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數據中心實現低功耗和小型化一般來說，GaN組件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關性能，有助降低各種電源功耗和實現外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，RO
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SiC GaN ROHM
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產體制，該系列產品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達8V，非常適用于基站、數據中心等工業(yè)設備和各種物聯網通信設備的電源電路。一般而言，GaN器件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實現外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低，在開關工作時的器件可靠性方面存在問題。針對這一課題，ROHM的新產品通過采用自有的結構，成功
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ROHM 150V GaN HEMT
- 1. 提前預定五年產能，全球半導體硅片進入黃金期！根據SEMI發(fā)布的數據顯示，2021年全球硅片的出貨量同比增加了14%，總出貨量達到141.65 億平方英寸（MSI），收入同比增長了13%，達到126.2億美元。 目前，包括長江存儲和武漢新芯等客戶，都與滬硅旗下的上海新昇簽訂了2022年至2024年的長期供貨協議。其中，2022年1-6月預計交易金額分別為1.55億元、8000萬元，而2021年1-11月上述公司的交易金額分別為1.43億元、1.03億元。2. 2021 年中國集成電路銷售額首
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半導體 GaN 芯片 產能
- 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領域來說，如果能將電力利用效率提升1%，就能節(jié)省95.
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- 安森美（onsemi）正在執(zhí)行其fab-liter制造戰(zhàn)略，最終目標是透過擴大毛利率實現可持續(xù)的財務業(yè)績。安森美於上周簽署一份最終協議，將剝離其在美國緬因州南波特蘭的工廠。隨著將生產轉移到其全球制造網絡內更高效的晶圓廠，安森美將透過消除與已出售晶圓廠相關的固定成本和降低公司的制造單位成本來改善成本結構。安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane
El-Khoury表示：「該擬議的資產剝離表明我們正在實現優(yōu)化的制造網路，同時為我們的客戶提供長期的供應保證。這些交易為受影響工廠的員工提供了持續(xù)的就業(yè)和發(fā)展機
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安森美 晶圓制造廠 GaN
- 1? ?看好哪類GaN功率器件的市場？2020—2021 年硅基氮化鎵（GaN）開關器件的商用化進程和5 年前（編者注：指2016 年）市場的普遍看法已經發(fā)生了很大的變化，其中有目共睹的是基于氮化鎵件的高功率密度快充的快速成長。這說明影響新材料市場發(fā)展的，技術只是眾多因素當中的1 個。我個人看好的未來5 年（編者注：指2022—2027 年）的氮化鎵應用，包括：快充、服務器/ 通信電源、電機驅動、工業(yè)電源、音響、無線充電、激光雷達等，其中快充會繼續(xù)引領氮化鎵開關器件的市場成長。相對于硅
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- GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導體材料，以高頻、高壓等為特色。但長期以來，由于工藝、成本等因素制約，GaN還處于Si（硅）和SiC（碳化硅）應用的夾縫之間。在新的一年里，GaN的市場前景將如何？GaN技術和應用有何新突破？為此，本媒體邀請了部分GaN資深企業(yè)，介紹一下GaN功率器件的新動向。
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202201 GaN
- GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導體材料，以高頻、高壓等為特色。但是長期以來，在功率電源領域，處于常規(guī)的Si（硅）和熱門的SiC（碳化硅）應用夾縫之間。GaN產品的市場前景如何？GaN技術有何新突破？不久前，消費類GaN（氮化鎵）功率解決方案供應商——納微半導體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片，采用了專利的GaNSense?技術。值此機會，電子產品世界的記者采訪了銷售營運總監(jiān)李銘釗、高級應用總監(jiān)黃秀成、高級研發(fā)總監(jiān)徐迎春。圖 從左至右：納微半導體級的高級應用總監(jiān)黃秀成、銷售營運總監(jiān)李銘
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- 10月19日消息，據The Verge報道，蘋果公司向其證實，新上架的140W USB-C電源適配器是蘋果首款GaN充電器?！ ∨c傳統(tǒng)充電器相比，GaN充電器的更小、更輕，同時支持大功率?！ 〈送猓O果公司還確認，140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標準，這意味著該充電器可以為其他支持該標準的設備充電。 新的140W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線現已在蘋果中國官網上架?！ ∑渲?，140W USB-C電源適配器的價格為729元，USB-C轉MagSa
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